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Sano Nobuyuki

Affiliation
Faculty of Pure and Applied Sciences
Official title
Professor
URL
Research fields
Electron device/Electronic equipment
Computational science
Mathematical physics/Fundamental condensed matter physics
Research keywords
Device Physics
Electron Transport
Kinetic Theory
Nonequilibrium Statistical Physics+
Research projects
単原子層FETデバイスにおける電子間クーロン相互作用と室温動作特性の予測2015 -- 2017佐野 伸行Japan Society for the Promotion of Science/Grant-in-Aid for Scientific Research(B)13,890,000Yen
経済産業省ナノエレクトロニクス・プロジェクト「半古典輸送と量子輸送を融合したナノデバイス・シミュレーションの研究開発」2007-10 -- 2011-03佐野 伸行産業技術総合研究所/その他
宇宙線中性子起因ソフトエラーシミュレーションに関する研究2008-04 -- 2010-03佐野 伸行半導体理工学研究センター(STARC)/企業からの受託研究
Theoretical Study of Electron-Impurity Coulomb Interaction in Deca-nano Devicese2003 -- 2006佐野伸行東芝/企業からの受託研究
高エネルギー粒子による半導体誤動作のシミュレーション解析2005 -- 2005佐野伸行NTスペース/企業からの受託研究
Theoretical Study on Impact Ionization in SiC?2002 -- 2003佐野伸行産業技術総合研究所/その他
Discrete Impuruty Modeling and Molecular Dynamics for 3-D Device Simulations2001 -- 2002佐野伸行半導体理工学研究センター(STARC)/企業からの受託研究
Theoretical Study on Quantum Transport in Semiconductors1998 -- 2000佐野伸行モデナ大学/国際共同研究
Simulation Study on High-Field Carrier Transport in Semiconductors1997 -- 2002佐野伸行IBMワトソン研究所/国際共同研究
Advanced Device Simulation Analyses on Fluctuations of Device Properties and the Problem Extraction for Large Integration.??1997 -- 2000佐野伸行半導体理工学研究センター(STARC)/企業からの受託研究
Academic background
-- 1988-08Auburn University Graduate School, Division of Physics Theoretical PhysicsCompleted
Degree
1988-08Ph.D.Auburn University
Academic societies
1984 -- (current)American Physical Society
1988 -- (current)The Japan Society of Applied Physics
2013 -- (current)IEEE
2013 -- 2015電子情報通信学会
2000 -- (current)応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
Honors & Awards
1992Outstanding Research Award
1988Outstanding Research Award (Auburn University)
Articles
Books
  • A Theoretical Study on Dielectric Breakdown
    佐野 伸行
    1988-08
  • シミュレーション工学
    佐野 伸行
    2000
  • デバイスシミュレーション序論・実習
    佐野 伸行
    2009
  • 計算機実習
    佐野 伸行
    2009
  • Monte Corlo Simulation of Ionization Phenomena in Si-MOSFET's
    佐野 伸行
    1991-01
  • Nonlocality of Impact Ionization Processes under Inhomogeneous Electric Fields : A Full-Band Monte Carlo Approach
    佐野 伸行
    1993-01
  • Quasi-Ballistic Transport in Nano-Scale Devices: Boundary Layer, Potential Fluctuation, and Coulomb Interaction
    Sano Nobuyuki; Karasawa Takahiko
    TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS/pp.207-213, 2011-01
  • Effects of gate-edge metamorphoses (GEM) on device characteristics of scaled MOSFETs
    Yamada Tatsuya; Sano Nobuyuki
    2007 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE RESEARCH SYMPOSIUM, VOLS 1 AND 2/pp.78-79, 2007-01
  • 3D Monte Carlo simulation including full Coulomb interaction under high electron concentration regimes
    Uechi Tadayoshi; Fukui Takayuki; Sano Nobuyuki
    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 1/pp.102-106, 2008-01
  • Self-Consistent Monte Carlo Device Simulations under Nano-Scale Device Structures: Role of Coulomb interaction, Degeneracy, and Boundary Condition
    Nakanishi Kohei; Uechi Tadayoshi; Sano Nobuyuki
    2009 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING/pp.71-74, 2009-01
Conference, etc.
  • Role of Coulomb Interaction in Nanoscale MOSFETs: A Theoretical Viewpoint
    佐野 伸行
    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD-2014) Workshop
  • Role of Coulomb Interaction in Nanoscale MOSFETs: A Theoretical Viewpoint
    佐野 伸行
    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD-2014) Workshop/2014-09-08--2014-09-11
  • Effect of Impurity Scattering on Mobility in Si Nanowire Junctionless FETs
    佐野 伸行
    International Workshop on Computational Electronics (IWCE-17)/2014-06-03--2014-06-06
  • Monte Carlo Study of the long-range Coulomb interaction for Junctionless Transistors
    佐野 伸行
    International Workshop on Computational Electronics (IWCE-17)/2014-06-03--2014-06-06
  • Multi-Scale Monte Carlo Simulation of Soft Errors Using PHITS-HyENEXSS Code System
    Abe Shin-ichiro; Watanabe Yukinobu; Shibano Nozomi; Sano ...
    Conference on Radiation Effects on Components and Systems (RADECS)/Radiation Effects Data Workshop/2011-09-19--2011-09-23
  • Quasi-Ballistic Transport in Nano-Scale Devices: Boundary Layer, Potential Fluctuation, and Coulomb Interaction
    Sano Nobuyuki; Karasawa Takahiko
    International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics/2010-06-03--2010-06-05
  • Effects of gate-edge metamorphoses (GEM) on device characteristics of scaled MOSFETs
    Yamada Tatsuya; Sano Nobuyuki
    International Semiconductor Device Research Symposium
  • 3D Monte Carlo simulation including full Coulomb interaction under high electron concentration regimes
    Uechi Tadayoshi; Fukui Takayuki; Sano Nobuyuki
    15th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors
Teaching
2017-10 -- 2018-02Research in Applied Physics IAUniversity of Tsukuba.
2017-10 -- 2018-02Research in Nano-Science and Nano-Technology IAUniversity of Tsukuba.
2017-10 -- 2018-02Research in Nano-Science and Nano-Technology IIAUniversity of Tsukuba.
2017-04 -- 2017-08Seminar under Industry-University Collaboration IIIUniversity of Tsukuba.
2017-10 -- 2018-02Seminar under Industry-University Collaboration IIIUniversity of Tsukuba.
2017-10 -- 2018-02Research ProposalUniversity of Tsukuba.
2017-04 -- 2017-08Research ProposalUniversity of Tsukuba.
2017-04 -- 2017-06Science and Technology Seminar IUniversity of Tsukuba.
2017-04 -- 2017-08Research in Nano-Science and Nano-Technology IIAUniversity of Tsukuba.
2017-04 -- 2017-08Research in Nano-Science and Nano-Technology IIIBUniversity of Tsukuba.
Other educational activities
2011-06 -- (current)国立交通大学 特別講義 「Quantum Transport Theory: A Simple Application of Nonequilibrium Green Functions」学外
2010-12 -- 2016-05Sepcial Seminar at NCTU学外
2006-08 -- (current)文部科学省ナノテクノロジーサマースクール「量子効果素子の物理」学外
2006-06 -- (current)Lecture: Many-Partcile Quantum Theory of Electron Transport学外
2005-08 -- (current)文部科学省ナノテクノロジーサマースクール「量子効果素子の物理」学外
Talks
  • ナノデバイスのシミュレーョン:なぜ、モンテカルロ法か?
    佐野 伸行
    第60回応用物理学会春季学術講演会 シンポジウム「半導体モデリング・シミュレーションの現状と将来展望」/2013-03-27
  • 大学院連携WG~筑波大学オナーズプログラムからTIA連携大学院への展開~
    村上浩一; 佐野伸行
    第2回つくばイノベーションアリーナ(TIA-nano)公開シンポジウム/2011-11-25
  • Past and Future of Theory and Simulation for Semiconductor Devices
    Nobuyuki Sano
    JST, NSF, MEST and NSC US-Japan-Korea-Taiwan Workshop/2010-07-26
  • 極微細シリコンナノデバイスにおける電流ゆらぎとその物理的起源
    佐野 伸行
    電気学会調査専門委員会/2011-07-29
  • The Role of High-Doped Source and Drain on Device Performance in Nano-Scale Si-MOSFETs
    佐野 伸行
    2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)/2011-05-19
  • Electron Kinetic Transport under Localized Impurities: How Could Localized Impurities be Incorporated in Simulations?
    Nobuyuki Sano
    9-th IMACS Seminar on Monte Carlo Methods (MCM-2003)/2003-09-15
  • Electron Transport and Particle-based Simulations for Nanoscale Semiconductor Devices
    Nobuyuki Sano
    2005 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai/2005-04-11
  • Electron Transport in Nanoscale Semiconductor Devices: Ballistic vs. Quasiballistic
    Nobuyuki Sano
    2005 VLSI-TSA Technology Symposium/2005-04-25
  • SiナノワイヤFETのモンテカルロシミュレーション
    佐野 伸行
    応用物理学会シンポジウム「2020~30年代のナノエレクトロニクスデバイスの本命を考える」/2010-03-19
  • ナノスケールMOSFETにおける電子輸送機構とデバイスシミュレーション
    佐野 伸行
    応用物理学会シンポジウム「半導体のプロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション」/2010-03-17
  • Quasi-Ballistic Transport in Nano-Scale Devices: Boundary Layer, Potential Fluctuation, and Coulomb Interaction
    Nobuyuki Sano
    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD-2010)/2010-09-06
  • Scaling FETs to 10 nm: Coulomb Effects, Source Starvation, and Virtual Source
    M.V.Fischetti; S. Jin; T.-w. Tang; P. Asbeck; Y. Taur; S....
    217th ECS Meeting/2010-04-25
  • Simulation of Electron Transport in Si Nano Devices
    Nobuyuki Sano
    G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030 - Prospects by World's Leading Scientists/2009-10-13
  • Scaling FETs to 10 nm: Coulomb Effects, Source Starvation, and Virtual Source
    M.V.Fischetti; S. Jin; T.-w. Tang; P. Asbeck; Y. Taur; S....
    International Workshop on Computational Electronics (IWCE-13)/2009-05-27
  • ナノスケール・デバイス構造での電子輸送とポテンシャル揺らぎ
    佐野 伸行
    特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開―ポストスケーリングテクノロジー」第3回 成果報告会/2009-01-28
  • 少数電子で動く未来デバイスの姿 -デバイスシミュレーションからのメッセージ-
    佐野 伸行
    応用物理学会シンポジウム「ポストスケーリング時代をデバイス・物性物理から斬る -これが半導体デバイスの未来像だ-」/2009-04-01
  • Impact of the Coulomb Interaction on Nano-scale Device Characteristics: A Monte Carlo Study
    Nobuyuki Sano
    IEEE EDS Mini-colloquium for Nano CMOS and Nanowire/2009-02-21
  • IEDM2007報告会 モデリング・シミュレーション・セッション
    佐野伸行
    IEEE EDチャプター/2008-01-14
  • ナノデバイスでの微視的揺らぎと電子輸送、そしてデバイス特性ばらつき
    佐野伸行
    特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開―ポストスケーリングテクノロジー」/2008-03-07
  • 3次元モンテカルロ・シミュレーションによる縮退電子のクーロン相互作用の導入
    福井貴之; 上地忠良; 佐野伸行
    応用物理学会シンポジウム「半導体のプロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション」/2008-03-28
  • 3D Monte Carlo Simulations of Nano-scale Devices: Impact of Coulomb Interaction on Device Characteristics
    Nobuyuki Sano; Tadayoshi Uechi; Takayuki Fukui
    Technical Seminar, International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM-2008)/2008-09-23
  • 電子デバイスにおける特性ばらつきの物理的起源
    佐野伸行
    学振第154委員会 第42回研究会/2003-06-01
  • 微細MOSFETでの離散不純物に伴った巨視的ポテンシャルと微視的ポテンシャル
    三浦真澄; 佐野伸行
    応用物理学会シンポジウム/2004-03-29
  • High-k導入に伴った極微細素子構造での揺らぎと輸送機構
    佐野伸行
    誘電体薄膜集積技術調査専門委員会/2004-12-20
  • ナノ素子の少数電子系による輸送機構と揺らぎ
    佐野伸行
    応用物理学会シンポジウム「シリコンナノエレクトロニクスの新展開」/2005-03-30
Professional activities
2017 -- 2018文部科学省高等教育局工学系教育の在り方に関する調査研究WG
2011 -- 2011新エネルギー・産業技術総合開発機構MIRAIプロジェクト評価委員
2008 -- 2013Japanese Journal of Applied PhysicsAssociate Editor
2007 -- 2008IEDMプログラム委員
2006 -- 2007SSDM-2007 実行委員
2006 -- 2007HCIS プログラム委員、実行委員
2003 -- (current)応用物理学会シリコンテクノロジー分科会常任理事
2003 -- 2005Chair, Program Committee (SISPAD-2005)
2001 -- (current)文部科学省科学技術動向調査研究センタ 専門調査員
2001 -- 2003Si nanoelectronics International Workshop プログラム委員
University Management
2016-04 -- 2018-03Provost of Science and Engineering
2012-04 -- 2014-03応用理工学類長
2010-04 -- 2015-03ナノエレ人材育成プログラム運営委員
2009-04 -- 2011-03委員・全学学群教育課程委員会
2009-04 -- 2011-03応用理工学類カリキュラム委員長
2009-04 -- 2013-03筑波大学出版会運営委員、編集委員

(Last updated: 2017-06-21)