Yano Hiroshi

Affiliation
Institute of Pure and Applied Sciences
Official title
Associate Professor
ORCID
0000-0001-7241-7014
Research fields
Electronic materials/Electric materials
Research keywords
SiC, MOS interface, MOSFET, power device
Research projects
ＳｉＣ横型超接合パワーＭＯＳＦＥＴによるワンチップ相補型電力変換器の開発2022 -- (current)矢野 裕司Japan Society for the Promotion of Science/Grant-in-Aid for Scientific Research(B)
低損失p型SiC超接合パワーMOSFETの基盤技術開発2016-04 -- 2020-03矢野 裕司Japan Society of for the Promotion of Science/Grant in Aid for Scientific Research (B)16,120,000Yen
異種原子導入によるSiC／絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新2011-04 -- 2014-03矢野 裕司Japan Society of for the Promotion of Science/科学研究費補助金　若手研究（B)4,420,000Yen
Career history
2013-12 -- (current)筑波大学数理物質系　物理工学域准教授
2013-12 -- 2016-03奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科客員准教授
2007-04 -- 2013-11奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助教
2001-04 -- 2007-03奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助手
Degree
2001-03博士(工学)京都大学
Academic societies
2011-01 -- (current)IEEE
1998-03 -- (current)The Japan Society of Applied Physics
Articles
  • Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
    髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/pp.250-253, 2023-05
  • The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs
    Fu Wei; Yano Hiroshi; Sakurai Takeaki; Ueda Akiko
    APPLIED PHYSICS EXPRESS/16(8), 2023-08-01
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26
  • Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
    Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.109-112, 2022-05-22
  • Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
    Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116, 2022-05-22
  • Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
    柏佳介; 姚　凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116/pp.113-116, 2022-05-22
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26
  • AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第83回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.12-122, 2022-09-20
  • 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    第83回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.12-121, 2022-09-20
  • SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み
    矢野 裕司
    結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会資料/pp.22-28, 2022-10-21
  • モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　予稿集/pp.91-92, 2022-12-20
  • バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　予稿集/pp.75-75, 2022-12-20
  • 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価：酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　予稿集/pp.73-74, 2022-12-20
  • チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.12-095, 2023-03-15
  • Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs
    柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(SC1073)/pp.SC2073-1-SC1073-10, 2023-02
  • Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection
    松井ケビン; 俵　武志; 原田 信介; 田中聡; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING/18(2)/pp.278-285, 2022-10
  • Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs
    北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵　武志; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(SC1007), 2022-12
  • Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
    Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116, 2022-05-22
  • Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
    Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.109-112, 2022-05-22
  • 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    第69回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.100000000-150, 2022-03-22
  • Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
    Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    第69回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.100000000-138, 2022-03-22
  • 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析
    森海斗; 亀和田亮; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会先進パワー半導体分科会　第8回講演会　予稿集/pp.61-62, 2021-12-09
  • TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析
    髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和4年電気学会全国大会　予稿集/pp.4-5, 2022-03-21
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Books
  • SiC半導体
    矢野 裕司
    次世代パワー半導体の開発動向と応用展開/シーエムシー出版/pp.22-30, 2021-08
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor/Angel Business Communications publication/pp.47-50, 2017-06
Conference, etc.
  • Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
    凱倫 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22
  • Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
    北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵　武志; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22
  • Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
    柏佳介; 姚　凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22
  • AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23
  • 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23
  • SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み
    矢野 裕司
    結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会/2022-10-21
  • モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21
  • バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21
  • 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価：酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21
  • チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    第70回応用物理学会春季学術講演会/2023-03-15--2023-03-18
  • Characterization of SiC MOS structures using p-channel devices
    Yano Hiroshi
    The 10th Asia-Pasific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2022)/2022-11-13--2022-11-18
  • 1.2 kV 耐圧 SiC トレンチ MOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析
    北村雄大; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    電気学会電子デバイス研究会/2023-03-27--2023-03-27
  • SBD 内蔵 SiC トレンチ MOSFET におけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和5年電気学会全国大会/2023-03-15--2023-03-17
  • SBD占有面積割合の異なる1.2kV SBD内蔵SiC-MOSFETのUIS耐量解析
    柏佳介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和5年電気学会全国大会/2023-3-15--2023-3-17
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29
  • Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
    松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
  • Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
    戸高駿希; 松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
  • Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
    Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-5-22--2022-05-25
  • Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
    Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25
  • Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
    Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25
  • 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26
  • Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
    Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26
  • 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析
    森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26
  • 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価
    坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    応用物理学会　先進パワー半導体分科会　第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10
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Intellectural property rights
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
    下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司
Teaching
2023-10 -- 2024-02Research in Applied Physics IIIAUniversity of Tsukuba.
2023-10 -- 2024-02Research in Applied Physics IAUniversity of Tsukuba.
2023-04 -- 2023-08Research in Applied Physics IIBUniversity of Tsukuba.
2023-10 -- 2023-11Electromagnetism 1University of Tsukuba.
2023-04 -- 2023-08Research in Applied Physics IVBUniversity of Tsukuba.
2023-04 -- 2023-08Research in Applied Physics VBUniversity of Tsukuba.
2023-10 -- 2024-02Research in Applied Physics IVAUniversity of Tsukuba.
2023-04 -- 2023-08Research in Applied Physics IAUniversity of Tsukuba.
2023-10 -- 2024-02Research in Applied Physics IIIBUniversity of Tsukuba.
2023-04 -- 2023-08Research in Applied Physics IIIBUniversity of Tsukuba.
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Professional activities
2023-04 -- (current)SiC Alliance技術・普及WG/グループリーダー
2022-11 -- 2023-03SiC Alliance技術・普及WG/委員
2022-10 -- (current)SSDM 2023Program Committee/JJAP Special Issues Editors
2022-10 -- (current)ICSCRM 2023Technical Program Committee/Member
2022-09 -- (current)ICSCRMInternational Steering Committee/Member
2022-07 -- 2023-03EDTM 2023Technical Program Committee/Member
2022-01 -- (current)SSDM 2022Program Committee/JJAP Special Issues Editors
2021-12 -- 2022-10ICSCRM2022Technical Program Committee/Member
2021-07 -- 2022-03EDTM 2022Technical Program Committee/Member (Power Device session)
2021-04 -- (current)応用物理学会APEX/JJAP編集委員
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University Management
2021-04 -- 2022-03国際交流支援部門企画・審査委員会委員
2021-04 -- 2023-03学生担当教員
2020-04 -- 2022-03数理物質系共通施設委員会委員
2020-04 -- 2022-03パワエレ共用システム責任者
2019-04 -- 2021-03応用理工学類運営委員会運営委員
2020-04 -- 2021-03応用理工学類2年クラス担任
2019-04 -- 2020-03応用理工学類1年クラス担任
2018-04 -- 2020-03交通安全会理事

(Last updated: 2023-05-01)