Iwamuro Noriyuki
- Intellectural property rights
- •ワイドバンドギャップ半導体装置
岩室 憲幸 - •Semiconductor device
岩室 憲幸 - •ワイドバンドギャップ半導体装置
岩室 憲幸 - •縦型高耐圧半導体装置およびその製造方法
岩室 憲幸 - •逆耐圧を有する縦型窒化ガリウム半導体装置
岩室 憲幸 - •半導体装置
岩室 憲幸 - •Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus
岩室 憲幸 - •Semiconductor device
岩室 憲幸 - •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof
岩室 憲幸 - •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
岩室 憲幸 - •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
岩室 憲幸 - •Fabrication method of silicon carbide semiconductor device
岩室 憲幸 - •Silicon carbide vertical field effect transistor
岩室 憲幸 - •電力変換装置
岩室 憲幸 - •電力変換装置
岩室 憲幸 - •縦型高耐圧装置の製造方法および縦型高耐圧半導体装置
岩室 憲幸 - •炭化珪素半導体装置の製造方法
岩室 憲幸 - •半導体装置
岩室 憲幸 - •縦型高耐圧装置および縦型高耐圧半導体装置の製造方法
岩室 憲幸 - •High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof
岩室 憲幸 - •Wide band gap semiconductor device and method for producing the same
岩室 憲幸 - •Semiconductor device
岩室 憲幸 - •Vertical high-voltage semiconductor device and fabrication method thereof
岩室 憲幸 - •High voltage semiconductor apparatus
岩室 憲幸 - •Wide band gap semiconductor device
岩室 憲幸 - more...
- •ワイドバンドギャップ半導体装置