Iwamuro Noriyuki
- Intellectural property rights
- 高耐圧半導体装置およびその製造方法
岩室 憲幸; 原田信介 - •炭化珪素半導体装置およびその製造方法
岩室 憲幸 - •炭化珪素半導体素子の製造方法
岩室 憲幸 - •Semiconductor Device With SiC Base Layer
岩室 憲幸 - •Semiconductor Device
岩室 憲幸 - Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof
岩室 憲幸 - •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司 - 電力変換装置
磯部高範; 岩室憲幸; 只野博; 矢野 裕司 - 電力変換装置
磯部高範; 岩室憲幸; 只野博; 矢野 裕司 - 前駆体溶液及び炭化シリコンを含有する層、並びに、パワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 井上 聡; 増田 貴史; 村上 達也; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
- 高耐圧半導体装置およびその製造方法