Yano Hiroshi

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Conference, etc.

• Experimental Demonstration of Superior Vf-Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length
  金森大河; 饗場　塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
  PCIM asia 2020/2020-11-16--2020-11-18
• Influence of Interface Traps on the Shape of Split C-V Curves of 4H-SiC MOSFETs at Inversion
  Cui Xiaoran; Iwamuro Noriyuki; 矢野裕司
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)/2020-9-27--2020-9-30
• 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化
  北村 雄大; 亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
  第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-3-16--2021-3-19
• 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析
  亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
  第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-3-16--2021-3-19
• 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析
  柏 佳介; 松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  令和3年電気学会全国大会/2021-3-9--2021-3-11
• 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価
  松井ケビン; 饗場　塁士; 柏 佳介; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  令和3年電気学会全国大会/2021-3-9--2021-3-11
• Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
  Kanamori Taiga; Aiba Ruito; Okawa Masataka; Harada Shins...
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-09-29--2019-10-04
• 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
  松井　ケビン; 戸高　駿希; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　大河; 原田　信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
• 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
  戸高　駿希; 松井　ケビン; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　大河; 原田　信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
• SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
  金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
• SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
  亀和田亮; 饗場　塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
• The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface
  寺尾豊; 辻英徳; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司
  電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01
• SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
  岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01
• 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価
  比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
• 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
  松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
• pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
  根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
• ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
  周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
• 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
  坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 根本宏樹; 張旭芳; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
• pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
  根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
• SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性
  辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司
  第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
• Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties
  Wei Fu; Xufang Zhang; Hiroshi Umishio; Aboulaye Traore; 矢...
  第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
• Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement
  Takeda Hironori; Sometani Mitsuru; Hosoi Takuji; Shimura ...
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
• Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
  Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shin...
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
• The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study
  Umeda Takahide; Kobayashi Takuma; Matsushita Yu-ichro; Hi...
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
• Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
  Higa Eito; Sometani Mitsuru; Harada Shinsuke; Yano Hiros...
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
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