現在地

小野 倫也(オノ トモヤ; Ono, Tomoya)

所属
計算科学研究センター
職名
准教授
研究室
http://sip00.ph.tsukuba.ac.jp/
研究分野
物性Ⅰ
数理物理・物性基礎
薄膜・表面界面物性
複合材料・表界面工学
研究キーワード
第一原理計算
輸送特性
大規模超並列計算
研究課題
大規模第一原理スピン輸送シミュレーターの開発と革新的デバイス用界面構造の設計2016 -- 2019小野 倫也日本学術振興会/基盤研究(B)14430000
実空間差分法による超純水電気化学加工の第一原理分子動力学計算2000-04 -- 2001-03小野倫也文部科学省/科学研究費補助金 特別研究員奨励費
第一原理分子動力学計算による原子・分子細線の機能予測2002-04 -- 2005-03小野倫也日本学術振興会/科学研究費 若手研究(B)
第一原理計算による分子スケールデバイスの設計2005-04 -- 2008-03小野倫也日本学術振興会/科学研究費 若手研究(B)
第一原理量子輸送計算による高機能界面ナノ構造の設計2008-04 -- 2011-03小野倫也日本学術振興会/科学研究費 若手研究(B)
計算科学手法によるスピントロニクス材料の設計と機能予測2009-08 -- 2013-03小野倫也科学技術振興機構(JST)/戦略的国際科学技術協力推進事業
第一原理計算による高効率量子輸送デバイスのデザイン2012-04 -- 2014-03小野倫也日本学術振興会/科学研究費 若手研究(B)
計算科学的手法による省電力・低損失デバイス用界面のデザイン2013-10 -- 2017-03小野倫也科学技術振興機構(JST)/JSTさきがけ
大規模第一原理スピン輸送シミュレーターの開発と革新的デバイス用界面構造の設計2016-04 -- 2020-03小野倫也日本学術振興会/科学研究費 基盤研究(B)
職歴
2000-01 -- 2001-03日本学術振興会 特別研究員
2001-04 -- 2014-09大阪大学 大学院工学研究科 助手(助教)
2007-02 -- 2008-02ユーリッヒ研究センター 固体物理研究所 フンボルト研究員
2013-10 -- (現在)科学技術振興機構 さきがけ研究員
2014-10 -- (現在)筑波大学 計算科学研究センター 准教授
2014-12 -- (現在)大阪大学 ナノサイエンスナノデザイン教育研究センター 招へい准教授
2015-04 -- 2016-03大阪大学 大学院工学研究科 招へい准教授
2016-04 -- (現在)大阪大学 大学院基礎工学研究科 招へい准教授
学歴
1993-04 -- 1997-03大阪大学 工学部 精密工学科卒業
1997-04 -- 1998-03大阪大学 大学院工学研究科 精密科学専攻博士前期課程修了
1998-04 -- 2001-03大阪大学 大学院工学研究科 精密科学専攻博士後期課程修了
取得学位
2001-03-28博士(工学)大阪大学
所属学協会
2005-01 -- (現在)日本表面科学会
2005-01 -- (現在)応用物理学会
1997-06 -- (現在)日本物理学会
受賞
2011-03日本物理学会若手奨励賞
2014-07大阪大学総長奨励賞
論文
著書
  • 表面界面物性シミュレーション
    小野 倫也
    超精密加工と表面科学/pp.19-32, 2014-03
会議発表等
  • First-principles study on atomic and electronic structures of 4HSiC(0001)/SiO interface
    Ono Tomoya; kirkham Christopher James
    APS March Meeting 2017/2017-03-13--2017-03-17
  • First-principles study on carrier scattering property at 4H-SiC(0001)/SiO2
    Ono Tomoya; Kirkham Christopher James; Iwase Shigeru
    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials/2016-09-26--2016-09-29
  • Density functional theory study on transport property of nanomaterials
    Ono Tomoya
    5th International Conference from Nanoparticles and Nanomaterials to Nanodevices and Nanosystems (IC4N)/2016-06-26--2016-06-30
  • First-Principles Study on Electron Conduction at 4H-SiC(0001)/SiO2 Interface
    Ono Tomoya; Kirkham Christopher James; Iwase Shigeru
    Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2016/2016-10-02--2016-10-07
  • SiC酸化過程とMOS界面電子状態の第一原理シミュレーション
    小野 倫也
    応用物理学会先進パワー半導体分科会 第1回個別討論会 「SiC酸化メカニズムと界面欠陥」/2016-08-04--2016-08-04
  • Density functional theory calculation for transport property of carbon nanostructures
    Ono Tomoya
    EMN Meeting on Carbon Nanostructures/2016-03-27--2016-03-31
  • Ab initio investigations for interface electronic structures of SiC-MOS
    Ono Tomoya; Kirkham Christopher
    International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices – Science and Technology –/2015-11-02--2015-11-04
  • First-Principles Calculations using Real-Space Finite-Difference Method
    Ono Tomoya
    Advances in Modeling of Nano Materials/2015-06-14--2015-06-16
  • Rashba Spin-Orbit Coupling in Graphene Doped with Transition Metals
    Nguyen Duy Huy; Ono Tomoya
    ISPlasma/2014-03-02--2014-03-06
  • Density-functional theory calculation for oxidation process of SiC(0001) surface and SiC(0001)/SiO2 interface
    Ono Tomoya; Saito Shoichiro
    10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials/2014-09-21--2014-09-25
  • First-Principles Simulation for Oxidation Process of 4H-SiC, The 17th Asian Workshop on First-principles Electronic Structure Calculations
    Ono Tomoya
    The 17th Asian Workshop on First-principles Electronic Structure Calculations/2014-11-03--2014-11-05
  • Efficient treatment of the surface Green’s function based on real-space finite-difference scheme
    Iwase Shigeru; Ono Tomoya
    The 17th Asian Workshop on First-principles Electronic Structure Calculations/2014-11-03--2014-11-05
  • Efficient treatment of the Green's function for first-principles transport calculation
    Iwase Shigeru; Ono Tomoya
    The 2nd International Symposium on Computics: Quantum Simulation and Design/2014-12-01--2014-12-03
  • Effect of SiC Stacking on the Electronic Properties of the SiC/SiO2 Interface
    Kirkham Christopher; Ono Tomoya
    The 17th Asian Workshop on First-principles Electronic Structure Calculations/2014-11-03--2014-11-05
  • Efficient treatment of the Green's function for first-principles transport calculation
    Iwase Shigeru; Ono Tomoya
    The 2nd International Symposium on Computics: Quantum Simulation and Design/2014-12-01--2014-12-03
  • DFT calculations for oxidation of SiC
    Ono Tomoya
    The 2nd International Symposium on Computics: Quantum Simulation and Design/2014-12-01--2014-12-03
  • Density functional theory study on oxidation of SiC
    Ono Tomoya
    Semiconductor Interface Specialists Conference/2014-12-10--2014-12-13
  • Interplay between defects and stacking at the SiC/SiO2 interface
    Kirkham Christopher; Ono Tomoya
    17th International Workshop on Computational Physics and Materials Science: Total Energy and Force Methods/2015-01-15--2015-01-17
  • First-Principles Calculation for Thermal Oxidation Process of SiC
    Ono Tomoya
    17th International Workshop on Computational Physics and Materials Science: Total Energy and Force Methods/2015-01-15--2015-01-17
  • 第一原理計算を用いたナノデバイスの機能予測
    小野 倫也
    応用物理学会関西支部平成26年度第2回講演会「シミュレーションが先導するエレクトロニクス・フォトニクス研究 ~関西発イノベーションと若手からの発信~」/2014-11-12--2014-11-12
  • First-principles calculation on transport properties of carbon nanotubes and fullerenes
    Ono Tomoya
    International Workshop of Computational Nano-Materials Design on Green Energy, JSPS Core-to-Core Program Workshop/2014-06-01--2014-06-03
担当授業科目
2017-10 -- 2018-02物性理論特別研究IVA筑波大学
2017-04 -- 2017-08物性理論特別研究VB筑波大学
2017-04 -- 2017-08物性理論特別研究IIIB筑波大学
2017-10 -- 2018-02物性理論特別研究VB筑波大学
2017-10 -- 2018-02物性理論セミナーB筑波大学
2017-10 -- 2018-02物性理論特別研究IA筑波大学
2017-04 -- 2017-08物理学実習II筑波大学
2017-10 -- 2018-02物理学実習II筑波大学
2017-10 -- 2018-02物性理論特別研究IVB筑波大学
2017-04 -- 2017-08物性理論特別研究IB筑波大学

(最終更新日: 2017-06-24)