奥村 宏典(オクムラ ヒロノリ)
- 所属
- 数理物質系
- 職名
- 助教
- ORCID
- 0000-0002-5464-9169
- 科研費番号
- 80756750
- URL
- 研究分野
電子・電気材料工学 結晶工学 薄膜・表面界面物性 - 研究課題
半導体材料 2024-04 -- 2027-03 奥村宏典 東京エレクトロン/2023年度 共同研究公募制度 ドライアイ診断治療の新展開を目指したコンタクトレンズ型 活性酸素測定・除去デバイスの開発 2024-04 -- 2025-03 星崇仁 筑波大学/系横断R&Dプロジェクト 2,000,000円 波長可変の真空紫外固体発光素子の開発 2024-04 -- 2027-03 奥村宏典 東電記念財団/基礎研究 7,875,000円 縦型窒化アルミニウム素子の作製技術の確立 2023-04 -- 2027-03 奥村宏典 日本学術振興会/基盤研究(B) 18,590,000円 高放射線耐性半導体を用いたピクセル検出器に向けた調査研究 2022-04 -- 2024-03 奥村宏典 TIA連携プログラム/探索推進事業「かけはし」 3,810,000円 酸化ガリウムを用いたホットエレクトロントランジスタの開発 2021-10 -- 2023-03 奥村宏典 公益財団法人 住友電工グループ社会貢献基金/2021年度研究助成 1,700,000円 III族窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御 2021-04 -- 2025-03 上殿明良 日本学術振興会/基盤研究(B) 13,300,000円 酸化ガリウム高電子移動度トランジスタのノーマリオフ化 2020-10 -- 2021-09 奥村宏典 一般財団法人サムコ科学技術振興財団/第4回研究助成 2,000,000円 高放射線耐性GaN光検出器の開発 2020-06 -- 2021-05 奥村宏典 公益財団法人 村田学術振興財団/第36回研究助成 2,250,000円 高放射線耐性半導体を用いた重粒子線検出器の調査研究 2020-04 -- 2022-03 井村将隆 TIA連携プログラム/探索推進事業「かけはし」 5,100,000円 さらに表示... - 職歴
2018-04 -- (現在) University of TsukubaAssistant Professor (Tenure) 2016-04 -- 2018-03 MITEECSvisiting researcher 2015-04 -- 2016-03 EPFLPhysicsvisiting researcher 2015-04 -- 2018-03 University of TsukubaAssistant Professor (Tenure Track) 2014-04 -- 2015-03 NTT Basic research laboratoryPost-doc 2012-04 -- 2014-03 UCSBMaterialsPost-doc (JSPS fellowship) - 学歴
2007-04 -- 2012-03 Kyoto University Electrical and Electronics Engineering 2003-04 -- 2007-03 Kyoto University Electrical and Electronics Engineering - 取得学位
2012-03 Ph.D, engineering Kyoto University - 免許資格等
2014-10 特定高圧ガス取扱主任者 - 所属学協会
2021-12 -- (現在) JSAP Ionization Radiation Division 2019-12 -- (現在) Japanese Society of Applied Physics 2019-12 -- 2021-12 Japanese Association for Crystal Growth 2016-12 -- 2018-12 Material Research Society - 受賞
2021-03-08 CGCT Young Scientist Award 2020-11-17 Young Faculty Award in University of Tsukuba 2019-09-03 SSDM Young Researcher Award - 論文
- Study of radiation tolerance of Cu (In, Ga) Se2 detector
Itabashi Kosuke; OKUMURA Hironori
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2024-07 - MOCVD growth of Si-doped α-(AlGa)2O3 on m-plane α-Al2O3 substrates
OKUMURA Hironori; Varley Joel B.
Japanese Journal of Applied Physics/63/p.075502, 2024-06 - The CIGS semiconductor detector for particle physics
Togawa Manabu; Okumura Hironori
Journal of Instrumentation/19/p.C05042, 2024-05 - Si-doped (AlGa)2O3 growth on a-, m- and r-plane α-Al2O3 substrates by molecular beam epitaxy
Okumura Hironori; Fassion Andréa; Mannequin Cédric
Japanese Journal of Applied Physics/63(5)/p.055502, 2024-05 - Electrical properties of vertical Cu2O/β-Ga2O3 (001) p-n diodes
Jia Yun; Sato Sora; Traore Aboulaye; Morita Ryo; Broc...
AIP ADVANCES/13(10), 2023-10-01 - Degradation of vertical GaN diodes during proton and xenon-ion irradiation
Okumura Hironori; Ogawara Yohei; Togawa Manabu; Miyaha...
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(6)/p.064001, 2023-06 - Temperature dependence of electrical characteristics of Si-implanted AlN layers on sapphire substrates
Okumura Hironori; Watanabe Yasuhiro; Shibata Tomohiko
APPLIED PHYSICS EXPRESS/16(6)/p.064005, 2023-06 - Pseudomorphic growth of Si-doped α-(AlGa)2O3 on m-plane α-Al2O3 substrates by molecular beam epitaxy
Okumura Hironori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(6)/p.065504, 2023-06 - Annealing effects on Cu(In,Ga)Se2 solar cells irradiated by high-fluence proton beam
Nishinaga Jiro; Togawa Manabu; Miyahara Masaya; Itabas...
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62, 2023-04 - Mg implantation in AlN layers on sapphire substrates
Okumura Hironori; Uedono Akira
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(2)/p.020901, 2023-02 - Highly tolerant diamond Schottky barrier photodiodes for deep-ultraviolet xenon excimer lamp and protons detection
Imura Masataka; Togawa Manabu; Miyahara Masaya; Okumura ...
Functional Diamond/2(1)/pp.167-174, 2023-01 - Sn and Si doping of alpha-Al2O3 (10-10) layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Okumura Hironori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/61(12)/p.125505, 2022-11 - Photoconductivity buildup and decay kinetics in unintentionally doped β-Ga2O3
Aboulaye Traore; Okumura Hironori; Sakurai Takeaki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/61(9), 2022-08 - Impurity diffusion in ion implanted AlN layers on sapphire substrates by thermal annealing
Okumura Hironori
Japanese Journal of Applied Physics/61(2)/p.026501, 2022-02 - Optical and electrical properties of silicon-implanted α-Al2O3
Hironori Okumura; Riena Jinno; Akira Uedono; Masataka Imura
Japanese Journal of Applied Physics/60(10), 2021-09 - Electrical properties of heavily Sn-doped (AlGa)2O3 layers on β-Ga2O3 (010) substrates
Hironori Okumura
Japanese Journal of Applied Physics/60(6), 2021-06 - Photo-induced conductivity transient in n-type β-(Al0.16Ga0.84)2O3 and β-Ga2O3
Traore Aboulaye; Gouveia Maria; Okumura Hironori; Mannequ...
Japanese Journal of Applied Physics/60/pp.SBBD15-SBBD15-4, 2021-02 - Growth of double-barrier β-(AlGa)2O3/Ga2O3 structure and heavily Sn-doped Ga2O3 layers using molecular-beam epitaxy
Okumura Hironori
Japanese Journal of Applied Physics/59(7), 2020-06 - Dry and wet etching for β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with mesa termination
Okumura Hironori; Tanaka Taketoshi
Japanese Journal of Applied Physics/58(12), 2019-12 - Nitrogen-Polar Polarization-Doped Field-Effect Transistor Based on Al0.8Ga0.2N/AlN on SiC With Drain Current Over 100 mA/mm
Lemettinen Jori; Chowdhury Nadim; Okumura Hironori; Ki...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS/40(8)/pp.1245-1248, 2019-08 - Demonstration of lateral field-effect transistors using Sn-doped β-(AlGa)2O3 (010)
Okumura Hironori; Kato Yuji; Oshima Takayoshi; Palacios Tomás
Jpn. J. Appl. Phys./58(SB::S)/p.SBBD12, 2019-03 - Fabrication of an AlN ridge structure using inductively coupled Cl2/BCl3 plasma and a TMAH solution
Okumura Hironori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/58(2), 2019-02 - N-polar AlN buffer growth by metal–organic vapor phase epitaxy for transistor applications
Lemettinen Jori; Okumura Hironori; Palacios Tomás; Suihko...
Applied Physics Express/11(10)/p.101002, 2018-09 - MOVPE growth of nitrogen- and aluminum-polar AlN on 4H-SiC
Lemettinen J.; Okumura H.; Kim I.; Rudzinski M.; Grzonka ...
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH/487/pp.50-56, 2018-04 - MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: Effect of substrate miscut on layer quality
Lemettinen J.; Okumura H.; Kim I.; Kauppinen C.; Palacios...
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH/487/pp.12-16, 2018-04 - さらに表示...
- Study of radiation tolerance of Cu (In, Ga) Se2 detector
- 著書
- 欧米大学の研究環境
奥村 宏典
公益社団法人 日本表面科学会, 2016
- 欧米大学の研究環境
- 会議発表等
- Development of low-cost power devices using Al2O3
OKUMURA Hironori
Innovation for Cool Earth Forum/2024-10-09--2024-10-10 - 地球環境問題解決に向けた物質科学の挑戦
OKUMURA Hironori
Tsukuba Global Science Week/2024-10-03 - Si doping of alpha-Al2O3 grown by molecular beam epitaxy
Okumura Hironori
International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials/2024-05-26--2024-05-31 - High-temperature and high-power devices using AlN
Okumura Hironori
16th International Symposium on Advanced Plasma Science/2024-03-03--2024-03-07 - 1000 K operation of SBDs and MESFETs with Si-implanted AlN channel
Okumura Hironori
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors/2023-11-12--2023-11-17 - Electrical properties of silicon-implanted alpha-Al2O3
Okumura Hironori; Jinno Riena; UEdono Akira; Imura Masataka
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials/2022-10-23--2022-10-27 - Alpha-particle detectors with GaN PiN homoepitaxial layer
Okumura Hironori; Ogawara Yohei; Togawa Maanbu; Miyahara ...
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials/2021-09-06--2021-09-09 - Photo-induced Conductivity Transient in n-type β-(Al0.16Ga0.84)2O3 and β-Ga2O3
Traore Aboulaye; Gouveia Maria; Hironori Okumura; Mannequ...
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials SSDM 2020/2020-09-27--2020-09-30 - Electrical property of n-type β-(AlGa)2O3 layers with low Al composition
Okumura Hironori
8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology/2021-03-01--2021-03-04 - Growth and electrical property of n-type β-(AlGa)2O3 layers
Okumura Hironori
Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics/2021-02-01--2021-02-03 - (AlGa)2O3/Ga2O3 resonant tunneling diodes
Okumura Hironori
Compound Semiconductor Week 2020/2020-05-17--2020-05-21 - Demonstration of m-plane GaN MOSFETs
Okumura Hironori
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials/2019-09-02--2019-09-05 - Demonstration of (AlGa)2O3-channel MOSFETs
Okumura Hironori
2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials/2019-08-12--2019-08-15 - N-polar AlN POLFET
Okumura Hironori; Lemettinen Jori; Suihkonen Sami; Palaci...
International Workshop on Nitride Semiconductors/2018-11-11--2018-11-16 - Demonstration of beta-(AlGa)2O3(010) metal-semiconductor field-effect transistors with high breakdown voltage over 900 V
Okumura Hironori; Kato Yuji; Ohshima Takayoshi; Palacios ...
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials/2018-09-09--2018-09-13 - Nitrogen-face AlN-based field-effect transistors
Okumura Hironori; Lemettinen Jori; Suihkonen Sami; Palaci...
Compound Semiconductor Week 2018/2018-05-29--2018-06-01 - AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation
Okumura Hironori
The 2017 MRS Fall Meeting & Exhibit/2017-11-26--2017-12-01 - AIN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation
Okumura Hironori; Suihkonen Sami; Lemettinen Jori; Ued...
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)/2017-09-19--2017-09-22 - Electrical Properties of Si-Ion Implanted AlN
Okumura Hironori; Sami Suihkonen Tomas Palacios
9th International Conference on Nitride Semiconductors/2017-07 - Electrical Properties of Mg-doped GaN with High Acceptor Concentrations
Okumura Hironori; Marco Malinverni Denis Martin Nicolas...
2016 Materials Research Societies Fall meeting/2016-12 - Highly p-type GaN for Advanced Optoelectronic Devices
Okumura Hironori; Malinverni Marco; Martin Denis; Grandje...
2016 IEEE Photonics Conference/2016-10 - Electrical Properties of Mg-doped GaN with High Acceptor Concentrations
Okumura Hironori; Marco Malinverni Denis Martin Nicolas...
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy/2016-09
- Development of low-cost power devices using Al2O3
- 知的財産権
- (特開2023-058917)半導体、トランジスタおよび半導体の製造方法
奥村 宏典 - (特開2022-84473)導電性AlNエピタキシャル膜付き基板及びその製造方法
奥村 宏典; 柴田 智彦; 渡邊 康弘
- (特開2023-058917)半導体、トランジスタおよび半導体の製造方法
- 担当授業科目
2024-10 -- 2025-02 電子・物理工学特別研究IVA 筑波大学 2024-10 -- 2025-02 電子・物理工学特別研究IIIA 筑波大学 2024-04 -- 2024-08 電子・物理工学特別研究VB 筑波大学 2024-12 -- 2025-02 線形代数3 筑波大学 2024-10 -- 2025-02 電子・物理工学特別研究IA 筑波大学 2024-04 -- 2024-08 電子・物理工学特別研究IIIB 筑波大学 2024-04 -- 2024-08 電子・物理工学特別研究IIB 筑波大学 2024-10 -- 2025-02 電子・物理工学特別研究VB 筑波大学 2024-10 -- 2025-02 電子・物理工学特別研究IVB 筑波大学 2024-10 -- 2025-02 電子・物理工学特別研究VA 筑波大学 さらに表示... - 授業以外の教育活動
2020-08 -- 2020-08 ナノテクノロジープラットフォーム学生研修プログラム(GaN HEMTの作製) 筑波大学 2019-05 -- (現在) フレッシュマンセミナー体験配属(リソグラフィ) 筑波大学 2019-08 -- (現在) 応用理工サマースクール体験実験(Ga2O3結晶成長、GaN LED作製) 筑波大学 2018-07 -- 2018-07 電子工学特別講義 非常勤講師 大阪大学 2018-04 -- 2020-03 応用理工学類クラス担任 筑波大学 - 一般講演
- 厳環境におけるワイドギャップ半導体の利用可能性
奥村 宏典
名古屋大CIRFEセミナー/2024-03-04 - 酸化アルミニウムガリウムの電気伝導制御
奥村 宏典
TREMS成果報告会/2024-02-28 - 極限環境で動作する半導体デバイス
奥村 宏典
筑波大Tristar共創リレーセミナー/2023-12-20 - 世界初の導電性サファイア(酸化アルミニウム)実現
奥村 宏典
Innovation Leaders Summit/2023-12-04--2023-12-07 - 高温・高放射線耐性に向けた半導体の結晶成長と素子特性
奥村 宏典
数理物質系学際セミナー/2023-10-20 - Special session with University Presidents and Future Shapers
Okumura Hironori
Tsukuba conference/2023-09-28 - Growth and electrical property of α-(AlGa)2O3
Okumura Hironori
J-FAST workshop/2023-09-27 - Future of materials science contributing to the carbon neutrality
Okumura Hironori
Tsukuba Conference/2023-09-27 - 窒化ガリウムを用いた放射線検出器
奥村 宏典
TREMS成果報告会/2023-02-28 - 導電性サファイヤの開発
奥村 宏典
Innovation Japan 2022/2022-10-04--2022-10-31 - Alpha- and beta-(AlGa)2O3 growth using Molecular Beam Epitaxy
Okumura Hironori
J-FAST kick-off meeting/2022-06-22--2022-06-24 - 窒化アルミニウム層中の不純物拡散
奥村 宏典
TREMS成果報告会/2021-03-11 - 高放射線耐性半導体を用いた重粒子線検出器の研究
奥村 宏典; 井村 将隆; 外川 学; 西永 慈郎; 宮原 正也
TIAナノエレの若手の会セミナー/2022-03-08 - 極環境デバイス
奥村 宏典
100人論文/2021-11-05--2021-11-17 - ナノスケール加工に向けた電子線露光実習
奥村 宏典
微細加工技術 実践セミナー/2020-10-07 - 放射線耐性に優れた半導体素子の開発
奥村 宏典
JST新技術説明会/2020-10-04 - 酸化ガリウムの結晶成長と電子デバイスの作製
奥村 宏典
TREMS成果報告会/2020-03-11 - AlN結晶へのイオン注入
奥村 宏典
第162委員会 第116回研究会/2019-12-13--2019-12-14 - 電子ビーム露光装置を用いたGa2O3 FinFETとAlN光導波路の作製
奥村 宏典
電子ビームリソグラフィセミナーV/2019-11-27 - 放射線に負けないデバイスを使ってみよう!
奥村 宏典; 西永慈郎; 井村将隆; 外川学; 宮原正也
イノベーション・ジャパン2019-大学見本市/2019-08-29--2019-08-30 - 超ワイドバンドギャップ半導体を用いたトランジスタ動作
奥村 宏典
NTT 物性科学基礎研究所 セミナー/2019-07-19--2019-07-19 - 窒化アルミニウムおよび酸化ガリウムの結晶成長からトランジスタ作製まで
奥村 宏典
2019年度 第3回エネルギーマネージメント・材料デバイス技術分科会/2019-07-19--2019-07-19 - Crystal growth and devices for wide band-gap semiconductors over 5 eV
Okumura Hironori
Ohio State Univeristy, Seminar/2019-03-18--2019-03-18 - 省エネに向けた新規パワーデバイス材料に関する研究
奥村 宏典
産学連携シンポジウム/2019-03-15--2019-03-15 - 新規パワーデバイス用材料に関する研究
奥村 宏典
Nanotech expo 2019/2019-01-30--2019-02-01 - さらに表示...
- 厳環境におけるワイドギャップ半導体の利用可能性
- 学協会等委員
2021-04 -- 2022-11 International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials Program Committee 2020-03 -- 2022-02 Electronic Materials Symposium Secretaries 2020-01 -- 2022-12 International Conference on Solid State Devices and Materials Program Committee, Area 4 - 学内管理運営業績
2024-04 -- 2026-03 広報委員会 運営委員 2023-04 -- 2025-03 サマースクール/スプリングスクール 運営委員 2020-04 -- 2022-03 スポーツデー運営委員会 運営委員 2018-06 -- (現在) Nano-tech Platform in the university of Tsukuba Steering Committee 2018-04 -- (現在) Tsukuba Research Center for Energy Materials Science Member - その他の活動
2022-08 -- 2025-03 Top Runners in Strategy of Transborder Advanced Researches (TRiSTAR), Fellow 2018-08 -- 2019-12 free English chat room (BiVi Tsukuba satellite office), Organizer 2018-04 -- 2019-03 MEXT NISTEP, Science and Technology Foresight Center, Investigator
(最終更新日: 2024-08-01)