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Shigekawa Hidemi

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Articles
  • Intensity vs Time Profiles of Photostimulated Exoelectron Emission from Scratched Aluminum.
    重川 秀実
    Jpn. J. Appl. Phys./22(10)/p.1493-1495, 1983-01
  • An Improved Method for Determining the Emission Rate and Source Population of PSEE.
    重川 秀実
    Jpn. J. Appl. Phys./22(10)/p.1627, 1983-01
  • 光ファイバー強度に及ぼすガラス/コーテイング界面の影響
    重川 秀実
    東京大学工学部紀要A/22/pp.34-35, 1984-01
  • 二過程モデルから見たPSEEとTSEEの類似性
    重川 秀実
    京都大学原子炉実験報告/(253)/p.9-10, 1984-01
  • Acoustic Location of Fracture Origin in Optical Fibers.
    重川 秀実
    Comunication of the American Ceramic Society/67(6)/p.c104-105, 1984-01
  • A Note on Electron Transfer to Exoelectron Emission Sources from Scratched Aluminum.
    重川 秀実
    Jpn. J. Appl. Phys./23(8)/p.1146, 1984-01
  • 光ファイバーの引っ張り強度と破断位置の相関
    重川 秀実
    東京大学工学部総合試験所年報/(44)/p.75-78, 1985-01
  • Two-Process Model of PSEE from Scratched Metals.
    重川 秀実
    Appl. Surf. Sci./22(23)/p.361-368, 1985-01
  • Two-Process Model for a Comprehensive Interpretation of Photostimulated Exoelectron Emission.
    重川 秀実
    Jpn. J. Appl. Phys. Suppl./24(4)/p.21-26, 1985-01
  • 機械的損傷とエキソ放出
    重川 秀実
    応用物理/55(5)/p.431-435, 1986-01
  • エキソ放出
    重川 秀実
    表面物性工学ハンドブック(丸善)/p.446-448, 1987-01
  • Component Assignments of the Raman Spectrum from Highly Elongated Silica Glass Fibers.
    重川 秀実
    Jpn. J. Appl. Phys./26(5)/p.649-654, 1987-01
  • 半導体の原子尺度での制御と評価
    重川 秀実
    第49応用物理学会学術講演会シンポジウムダイジェストJSAP,AP881225-03/p.23-27, 1988-01
  • Adsorption of Antimony on Au(001).
    重川 秀実
    Phys. Rev. B./38(14)/p.9606-9611, 1988-01
  • Structure Studies of Solid Surfaces by UHV-STM.
    重川 秀実
    7th Record of Semiconductor Phys. and Elec. Symp./p.81, 1988-01
  • Interface Formation on Co/Si(111)Using Angle Resolved Photoemin for Band Mapping.
    重川 秀実
    National Synchrotron Light Source(Brookhaven National Laboratory, USA)Annual Report/p.83, 1988-01
  • Adsorption of Antimony on Au(001).
    重川 秀実
    National Synchrotron Light Source(Brookhaven National Laboratory, USA)/p.90, 1988-01
  • Step bunching caused by annealing vicinal GaAs(001)in AsH3 and hydrogen ambient in its stationary state.
    重川 秀実
    Phys. Rev. B/57(8)/p.4500-4508, 1988-01
  • テレビカメラとマイクロコンピュータを利用した低速電子の回折強度の迅速測定
    重川 秀実
    表面科学/10(1)/p.47-51, 1989-01
  • 放射光光電子分光による硫化アンモニウム処理GaAs表面状態の解析
    重川 秀実
    電子情報通信学会/(ED89-64)/p.1-6, 1989-01
  • STM/STSを用いた半導体表面の研究
    重川 秀実
    表面科学/10(9)/p.579-587, 1989-01
  • Study of Interface Formation on Co/Si (111)-7x7 Using Angle Resolved Photoemission
    重川 秀実
    J. Vac. Sci. Tech. A/7(3)/p.2449-2453, 1989-01
  • Structure Studies of Solid Surfaces by UHV-STM.
    重川 秀実
    8th Record of Semiconductor Phys. and Elec. Symp./p.35-41, 1989-01
  • Synchrotron Radiation Photoemission Study on(NH4)2Sx-treated n-GaAs
    重川 秀実
    21th Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, c-3-LN4/p.547-548, 1989-01
  • Photoelectron Emission Study on(NH4)2Sx-treated GaAs.
    重川 秀実
    Photon Factory Activity Report/(7)/p.230, 1989-01