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Iwamuro Noriyuki

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Affiliation
Faculty of Pure and Applied Sciences
Official title
Professor
URL
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Office
Power Electronics Laboratory
Research fields
Electron device/Electronic equipment
Research keywords
power semiconductor devices
Research projects
ショットバリアダイオード内蔵SiCトレンチMOSFET破壊メカニズム解明とその耐量向上に関する研究2018-04 -- 2019-03岩室 憲幸産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000Yen
超低オン抵抗SiCトレンチMOSFETのインピーダンスソースインバータ回路への適用可能性の研究2019-04 -- 2020-03岩室 憲幸産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000Yen
ノイズ計測器向け高速・高耐圧パワー半導体デバイス構造に関する研2019-09 -- 2020-03岩室 憲幸国立研究開発法人産業技術総合研究所/990,000Yen
コンパクト加速器を実現するための超高速・高電圧パルス電源の開発2015-06 -- 2017-03内藤 孝新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)/9,939,000Yen
SIP(戦略的イノベーション創造プログラム)/次世代パワーエレクトロニクス2014-10 -- 2019-02岩室 憲幸産総研/77,238,000Yen
Si and SiC Power device1988-04 -- (current)/
Career history
1984-04 -- (current)Fuji Electric Co., Ltd
2009-04 -- 2013-03AIST 先進パワーエレクトロニクス研究センター
Academic background
1980-04 -- 1984-03Waseda University 理工学部 電気工学科Graduated
1992-06 -- 1993-08North Carolina State University Power Semiconductor Research CenterOther
Degree
1998-03ph.D(Engineering)Waseda University
Licenses and qualifications
2006-122級ファイナンシャルプランナー技能士
Academic societies
2014 -- (current)The Japan Society of Applied Physics
1988-12 -- (current)THE INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS OF JAPAN
1995-04 -- (current)IEEE
Honors & Awards
2011-08電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞著書「世界を動かすパワー半導体」
Articles
  • Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    Japanese Journal of Applied Physics/59(4), 2020-03
  • SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
    岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第25回研究会 予稿集/pp.97-100, 2020-01
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.85-86, 2019-12
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.87-88, 2019-12
  • pチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
    周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.89-90, 2019-12
  • 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.143-144, 2019-12
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-251, 2019-09
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-248, 2019-09
  • Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shins...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Tu-3A-07LN, 2019-09
  • Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
    Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuki...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-P-30, 2019-09
  • Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
    Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsuru...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Th-P-52LN, 2019-09
  • Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-04, 2019-09
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Tu-2A-05, 2019-09
  • Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
    岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-02, 2019-09
  • 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFET with extension structure and titanium-based single contact
    清水悠佳; Iwamuro Noriyuki
    Japanese Journal of Applied Physics/pp.026502-1-026502-7, 2020-01
  • Design Strategy of Z-source Inverter for Utilization of Power Semiconductors with Extremely Low Short-circuit Capability
    髙嶋 薫; 飯島 竜司; 萬年 智介; 磯部 高範; 只野 博; I...
    Proceedings of The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019), 2019-10
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 ...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.105-106, 2018-11
  • Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
    周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.101-102, 2018-11
  • Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
    X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Hara...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会 予稿集/pp.221-224, 2019-01
  • Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
    姚 凱倫; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.10-11, 2019-03
  • SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
    饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.18-19, 2019-03
  • SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
    大川 雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.22-23, 2019-03
  • SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析
    金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕...
    平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.12-13, 2019-03
  • Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
    Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷 満; 原田 信介; 張...
    Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.WE.02b.04, 2018-09
  • Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    宏樹 根本; 岡本 大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原...
    Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.We.P.MI6, 2018-09
Books
  • サーマルマネジメント―パワー半導体デバイス技術と課題
    岩室 憲幸
    サーマルデバイス ~新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用~, (株)エヌ・ティー・エス, 2019-04
  • SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題
    岩室 憲幸
    高熱伝導樹脂の開発 ~さらなる熱伝導率向上のために~, 株式会社 技術情報協会, pp.369-378, 2019-07
  • GaNパワーデバイスの基礎
    岩室 憲幸
    Power Device Enabling Association report, 一般社団法人 パワーデバイスイネーブリング協会, pp.7-9, 2020-02
  • 注目される次世代パワーデバイスSiC・GaN
    岩室 憲幸
    電気計算, 株式会社 電気書院, pp.35-40, 2020-03
  • SiC/GaNパワーデバイスの技術トレンドと求められる放熱・耐熱特性
    岩室 憲幸
    月間マテリアルステージ, 株式会社 技術情報協会, pp.5-9, 2020-01
  • IV. パワー半導体デバイスの現状
    岩室 憲幸
    日本粉体工業技術協会, 2019-06
  • 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装
    岩室 憲幸
    科学情報出版株式会社, 2019-09
  • 体系的パワエレ研究と教育の重要性(巻頭言)
    岩室 憲幸
    パワーデバイスイネーブリング協会PDEA 巻頭言, 2019-02
  • 次世代パワー半導体デバイスとサーマルマネジメント材料技術
    岩室 憲幸
    サーマルマネジメント材料技術, サイエンス&テクノロジー株式会社, pp.209-222, 2019-07
  • SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題
    岩室 憲幸
    高熱伝導材料の開発~さらなる熱伝導率の向上のために~, (株)技術情報協会, pp.369-378, 2019-07
  • Low-cost SiC-MOSFETs poise for global adoption
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA Electronics Industry, Dempa Publications Inc., pp.28-29, 2018-09
  • Innovations Find Optimal Materials, Structure for Power Device
    Iwamuro Noriyuki
    AEI Asia Electronic Industry, Dempa Publications, Inc, pp.40-41, 2018-11
  • Low-cost SiC-MOSFETs poise for global adoption
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 電波新聞社, pp.28-29, 2018-09
  • SiC power device design and fabrication
    Iwamuro Noriyuki
    Wide Bandgap Semiconductor Power Devices, ELSEVIER, WOODHEAD PUBLISHING, pp.79-149, 2018-10
  • パワーデバイスの最新技術とその応用
    岩室 憲幸
    クリーンテクノロジー, 日本工業出版, 2017-12
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor, Angel Business Communications publication, pp.47-50, 2017-06
  • SiCパワーデバイスの開発と車載用途への要望
    岩室 憲幸
    車載テクノロジー, 株式会社技術情報協会, pp.25-28, 2018-02
  • 新材料の実用化が進むパワー半導体 パワー半導体の基礎
    岩室 憲幸
    電気総合誌「オーム OHM」1月号, 株式会社オーム社, pp.4-8, 2018-01
  • パワーデバイス基礎講座(全8回)
    岩室 憲幸
    パワーデバイス・イネーブリング協会 会報誌, 2016-06
  • SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
    岩室 憲幸
    SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント, S&T出版, 2018-01
  • シリコンパワーデバイス・パワーICの更なる進化および新材料パワーデバイスの進展
    岩室 憲幸
    シリコンパワーデバイス・パワーICの更なる進化および新材料パワーデバイスの進展, 電気学会, 2018-04
  • Power Semiconductors Shape up for Future Vehicles
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 電波新聞社, pp.26-27, 2017-06
  • Semiconductor Materials Seal Role in Power Devices
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, pp.46-49, 2016-09
  • 次世代パワーエレクトロニクスを支えるSiCパワー半導体デバイスならびにその実装技術
    Iwamuro Noriyuki
    SEAJ Journal, pp.32-34, 2016-01
  • Technological Advance of the Next-generation Power Semiconductors and their Industrial Applications
    岩室 憲幸
    シーエムシー出版, 2015-06
Conference, etc.
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    Kanamori Taiga; Aiba Ruito; Okawa Masataka; Harada Shinsu...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • 最新パワーデバイス技術動向ならびに新材料パワーデバイスへの期待
    岩室 憲幸
    (一社)ニューダイヤモンドフォーラム 2019年度第1回研究会/2019-06-26--2019-06-26
  • 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
    松井 ケビン; 戸高 駿希; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 ...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
    戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 ...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiC トレンチ MOSFET 内蔵pin ダイオードに おける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
    金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野裕司;...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
    亀和田亮; 饗場 塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
    岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
    周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
  • Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shins...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
    Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuki...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
    Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsuru...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Investigation of UIS Capability for-600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
    Yao Kailun; Yano Hiroshi; Iwamuro Noriyuki
    31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
  • Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
    Okawa Masataka; Aiba Ruito; Kanamori Taiga; Yano Hiroshi;...
    31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)/2019-05-19--2019-05-23
  • Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
    岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4
  • Design Strategy of Z-source Inverter for Utilization of Power Semiconductors with Extremely Low Short-circuit Capability
    髙嶋 薫; 飯島 竜司; 萬年 智介; 磯部 高範; 只野 博; I...
    The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019)/2019-10-14--2019-10-17
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-9-18--2019-9-21
  • パワーデバイスの動向およびSiC・GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2019-7-17
  • シリコンならびにSiCパワー半導体デバイスの最新技術動向
    岩室 憲幸
    第6回電子デバイスフォーラム京都/2019-11-1
  • TCADを用いた最先端SiCトレンチMOSFETの破壊メカニズム解析
    岩室 憲幸
    シノプシスSEGセミナー2019/2019-10-9
  • Device Design and Characteristics of SiC MOSFETs
    Iwamuro Noriyuki
    ICSCRM 2019 Tutorial/2019-09-30
Intellectural property rights
  • 炭化珪素半導体装置
    辻 崇; 木下 明将; 岩室 憲幸; 福田 憲司
  • 炭化ケイ素縦型MOSFETおよびその製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • Silicon carbide devices and fabrication method
    Iwamuro Noriyuki
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • Vertical high voltage semicouductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus
    Iwamuro Noriyuki; 原田 信介; 星 保幸; 原田 祐一
  • High Voltage Semiconductor Devices
    Iwamuro Noriyuki; 信介 原田
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    Iwamuro Noriyuki
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化ケイ素縦型MOSFET及びその製造方法
    岩室 憲幸; 原田信介; 星保幸; 原田祐一
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    Iwamuro Noriyuki
  • 炭化珪素半導体素子の製造方法
    福田憲司; 岩室 憲幸; 後藤雅秀
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    辻崇; 木下明将; 岩室 憲幸; 福田憲司
  • 炭化珪素半導体装置
    辻崇; 木下明将; 岩室 憲幸; 福田憲司
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    福田憲司; 岩室 憲幸
  • 半導体装置
    原田祐一; 岩室 憲幸; 星保幸; 原田信介
  • Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor appatus
    岩室 憲幸
  • •Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same
    岩室 憲幸
  • •炭化珪素縦型電界効果トランジスタ
    岩室 憲幸
  • •半導体装置
    岩室 憲幸
  • •ワイドバンドギャップ半導体装置
    岩室 憲幸
  • •Semiconductor device
    岩室 憲幸
  • •ワイドバンドギャップ半導体装置
    岩室 憲幸
Teaching
2019-10 -- 2020-02Research in Applied Physics VAUniversity of Tsukuba.
2019-10 -- 2020-02Research in Applied Physics IAUniversity of Tsukuba.
2019-10 -- 2020-02Research in Applied Physics IVAUniversity of Tsukuba.
2019-08 -- 2019-08Global Issues and Global society: Environment & EnergyUniversity of Tsukuba.
2019-04 -- 2019-08Research in Applied Physics IIIBUniversity of Tsukuba.
2019-10 -- 2020-02Research in Applied Physics IIIAUniversity of Tsukuba.
2019-04 -- 2019-08Research in Applied Physics IAUniversity of Tsukuba.
2019-10 -- 2020-02Research in Applied Physics IBUniversity of Tsukuba.
2019-10 -- 2020-02Research in Applied Physics IIBUniversity of Tsukuba.
2019-10 -- 2020-02Laboratory Exercise for Electronics and Quantum Effect Engineering BUniversity of Tsukuba.
Other educational activities
2017-08 -- 2017-08第6回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2016-08 -- 2016-08第5回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2015-08 -- 2015-08第4回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2014-08 -- 2014-08第3回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2013-08 -- 2013-08第2回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
Talks
  • パワーエレクトロニクスロードマップ
    岩室 憲幸
    GaN 研究コンソーシアム スプリングスクール/2019-03-26
  • パワーデバイスの進化とSiC実用化が引き起こす変革
    岩室 憲幸
    PDEAセミナー/2019-03-20
  • WBGパワーデバイス・事業展開への課題
    岩室 憲幸
    先端パワーエレクトロニクス技術体系教育講座/2018-12-13
  • パワーデバイスの動向およびSiC・GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2018-07-19
  • SiCパワーデバイスの最新技術動向と筑波大学パワエレ研究室の取り組み
    岩室 憲幸
    TPECセミナー/2018-04-16
  • IoT時代のパワーデバイスの開発状況と課題
    岩室 憲幸
    NPO法人サーキットネットワーク(C-NET)定期講演会/2017-08-23--2017-08-23
  • パワー半導体デバイスに関する今後の展望
    岩室 憲幸
    電子情報技術産業協会 半導体標準化専門委員会/2018-02-16--2018-02-16
  • ワイドギャップ半導体パワーデバイスプロセスの最新動向
    岩室 憲幸
    日本学術振興会 将来加工技術大136委員会/2018-04-19--2018-04-19
  • パワーデバイスの基礎と評価技術
    岩室 憲幸
    日本学術振興会 ワイドバンドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会/2017-10-26--2017-10-27
  • 次世代パワー半導体の最新技術動向
    岩室 憲幸
    日本ファインセラミックス協会イブニングセミナー/2015-09-04
  • 最新パワーデバイス技術と今後の展開
    岩室 憲幸
    財団法人岡山県産業振興財団 おかやま電池関連技術研究会/2015-10-20
  • パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2016-08-08
  • パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2017-07-19
  • Recent Power Semiconductor Devices Technologies fora Future Smart Society
    Iwamuro Noriyuki
    Japan-Norway Energy Science Week 2015/2015-05-27--2015-05-27
Professional activities
2018-10 -- 2019-09ICSCRM2019 論文委員会/委員
2016-09 -- 2019-02SIP 応用技術調査委員会
2018-10 -- 2019-09SSDM 2019Area4(Power Device) Program Committee Vice Chair
2018-02 -- 2018-07The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018Chair
2017-10 -- 2018-09SSDM 2018Area4(Power Device) Program Committee Vice Chair
2017-01 -- (current)IEEE EDS Power Device Technical CommitteeMember
2017-04 -- 2020-03電気学会パワーデバイス・パワーIC高性能化技術調査専門委員会/委員
2016-04 -- 2017-05パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD)Steering Committee Member
2017-04 -- 2019-03THE INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS OF JAPAN電子デバイス技術委員会/一号委員
2014-04 -- 2017-03IEEJ電子デバイス技術委員会/2号委員
University Management
2019-10 -- 2020-09数理物質科学研究科 就職担当
2017-04 -- 2019-03応用理工学類 電子量子主専攻 専攻主任
Other activities
2015-04 -- 2019-02内閣府SIP-次世代パワーエレクトロニクス技術開発 応用技術調査委員会 委員

(Last updated: 2020-03-17)