YANO Hiroshi

Affiliation
Institute of Pure and Applied Sciences
Official title
Professor
ORCID
0000-0001-7241-7014
Research fields
Electronic materials/Electric materials
Research keywords
SiC, MOS interface, MOSFET, power device
Research projects
ＳｉＣ横型超接合パワーＭＯＳＦＥＴによるワンチップ相補型電力変換器の開発2022 -- (current)矢野 裕司Japan Society for the Promotion of Science/Grant-in-Aid for Scientific Research(B)
低損失p型SiC超接合パワーMOSFETの基盤技術開発2016-04 -- 2020-03矢野 裕司Japan Society of for the Promotion of Science/Grant in Aid for Scientific Research (B)16,120,000Yen
異種原子導入によるSiC／絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新2011-04 -- 2014-03矢野 裕司Japan Society of for the Promotion of Science/科学研究費補助金　若手研究（B)4,420,000Yen
Career history
2025-06 -- (current)筑波大学数理物質系　物理工学域教授
2013-12 -- 2025-05筑波大学数理物質系　物理工学域准教授
2013-12 -- 2016-03奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科客員准教授
2007-04 -- 2013-11奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助教
2001-04 -- 2007-03奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助手
Academic background
1998-04 -- 2001-03京都大学大学院 工学研究科 電子物性工学専攻　博士後期課程
1996-04 -- 1998-03京都大学大学院 工学研究科 電子物性工学専攻　修士課程
1992-04 -- 1996-03京都大学 工学部 電気工学第二学科
Degree
2001-03博士(工学)京都大学
Academic societies
2011-01 -- (current)IEEE
1998-03 -- (current)The Japan Society of Applied Physics
Articles
  • SiC MOSFETの順方向サージ電流耐量向上に関する検討
    鈴木 一広; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    第85回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.13-217, 2025-09-07
  • ゲートAC印加時におけるSiC MOSFETの発光によるしきい値電圧変動
    新郷 諒介; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    第85回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.13-216, 2025-09-07
  • SiC MOSFETにおけるゲートACストレス下の発光観測とAC BTIメカニズムの検討
    新郷 諒介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    先進パワー半導体分科会 第12回講演会　予稿集/pp.153-154, 2025-11-19
  • オン抵抗、アバランシェ耐量、ならびに負荷短絡耐量を同時改善する1.2-kV SiC MOSFETの最適ゲート構造の検討
    鈴木 一広; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    先進パワー半導体分科会 第12回講演会　予稿集/pp.111-112, 2025-11-19
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの寄生容量とスイッチング損失の関係
    吉田 開; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    先進パワー半導体分科会 第12回講演会　予稿集/pp.109-110, 2025-11-19
  • 1.2 kV SiC-DioMOSの高温条件下でのオン抵抗-負荷短絡耐量トレードオフ特性
    鹿志村快音; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    令和8年電気学会全国大会　予稿集/pp.54-55, 2026-03-12
  • 1.2 kV SiC DioMOSチャネル移動度の温度特性解析
    内山 颯; 鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    令和8年電気学会全国大会　予稿集/pp.54-55, 2026-03-12
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのスイッチング損失に及ぼすチャージインバランスの影響解析
    吉田 開; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    令和8年電気学会全国大会　予稿集/pp.50-51, 2026-03-12
  • 量産プロセス適用可能なホットウォール酸化炉を用いたSiC-MOS界面へのCO2 POA効果の検証
    染谷 満; 平井 悠久; 熊谷 直樹; 矢野 裕司; 磯部 高範; 細井 卓治; 渡部 平司
    第73回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.13-171, 2026-03-15
  • Mechanism of Threshold Voltage Drift in SiC MOSFETs under Bipolar AC Gate Stress via Photon-Assisted Electron Injection
    Shingo Ryosuke; Enjoji Yuya; Iwamuro Noriyuki; YANO Hiroshi
    Abstract of The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 (ICSCRM 2025)/pp.1086-1087, 2025-09-14
  • 半導体物理　後編　－pn接合からMOSFETまで－
    矢野 裕司
    応用物理/94(6)/pp.326-330, 2025-06
  • 半導体物理　前編　－結晶構造からキャリア伝導まで－
    矢野 裕司
    応用物理/94(5)/pp.270-274, 2025-05
  • Investigation of optimum Gate Structures for 1.2-kV SiC MOSFETYs by Analyzing Avalanche and Short-circuit Withstanding Capability
    岩室 憲幸; 矢野裕司; 鈴木一広
    Proceedings of the 37th International Symposium on Power Semicondctor Devices and ICs/pp.393-396, 2025-05
  • パワーデバイスと信頼性の基礎
    矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 2024年度チュートリアル/6(1)/pp.57-89, 2024-11-24
  • A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs
    鈴木一広; 矢野裕司; IWAMURO Noriyuki
    Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.221-222, 2024-9-1
  • Three-Level Charge Pumping Technique for SiC-MOS Interface Characterization
    YANO Hiroshi
    Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024)/pp.507-508, 2024-09-01
  • Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    Horiuchi Sosuke; Fukunaga Hiroki; Shimabukuro Bunta; Y...
    Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/pp.307-308, 2024-09-29
  • Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs by photon-assisted electron injection under bipolar AC gate stress
    YANO Hiroshi; Enjoji Yuya; Shingo Ryosuke; Iwamuro No...
    Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/pp.367-368, 2024-09-29
  • Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance
    Matsuki Kotaro; Ichikawa Yoshihito; Onozawa Yuichi; Iw...
    Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/pp.563-564, 2024-09-29
  • Relationship between luminescence and threshold voltage shift in SiC MOSFETs under gate AC stress
    Shingo Ryosuke; Enjoji Yuya; Iwamuro Noriyuki; YANO H...
    Proceedings of The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2024)/p.MC2-3, 2024-10-13
  • Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光
    堀内 颯介; 福永 博生; 島袋 聞多; 矢野 裕司; 染谷 満; 平井 悠久; 渡部 平司; 梅田 享英
    第85回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.12-191, 2024-09-16
  • SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動
    新郷 諒介; 円城寺 佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第85回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.12-266, 2024-09-16
  • 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響
    松木 康太郎; 市川 義人; 小野澤 勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第85回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.12-256, 2024-09-16
  • 電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響
    松木 康太郎; 市川 義人; 小野澤 勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第11回講演会　予稿集/pp.93-94, 2024-11-25
  • SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係
    新郷 諒介; 円城寺 佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第11回講演会　予稿集/pp.81-82, 2024-11-25
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Books
  • 界面特性・欠陥の測定評価法
    矢野 裕司
    SiCの製造・加工技術　～結晶成長・加工プロセス技術と各種課題への対応～/情報機構/pp.374-381, 2025-12
  • SiC半導体
    矢野 裕司
    次世代パワー半導体の開発動向と応用展開/シーエムシー出版/pp.22-30, 2021-08
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor/Angel Business Communications publication/pp.47-50, 2017-06
Conference, etc.
  • SiC MOSFETの順方向サージ電流耐量向上に関する検討
    鈴木 一広; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    第85回応用物理学会秋季学術講演会/2025-09-07--2025-09-10
  • ゲートAC印加時におけるSiC MOSFETの発光によるしきい値電圧変動
    新郷 諒介; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    第85回応用物理学会秋季学術講演会/2025-09-07--2025-09-10
  • SiC MOSFETにおけるゲートACストレス下の発光観測とAC BTIメカニズムの検討
    新郷 諒介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    先進パワー半導体分科会 第12回講演会/2025-11-19--2025-11-20
  • オン抵抗、アバランシェ耐量、ならびに負荷短絡耐量を同時改善する1.2-kV SiC MOSFETの最適ゲート構造の検討
    鈴木 一広; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    先進パワー半導体分科会 第12回講演会/2025-11-19--2025-11-20
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの寄生容量とスイッチング損失の関係
    吉田 開; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    先進パワー半導体分科会 第12回講演会/2025-11-19--2025-11-20
  • 1.2 kV SiC-DioMOSの高温条件下でのオン抵抗-負荷短絡耐量トレードオフ特性
    鹿志村快音; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    令和8年電気学会全国大会/2026-03-12--2026-03-14
  • 1.2 kV SiC DioMOSチャネル移動度の温度特性解析
    内山 颯; 鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    令和8年電気学会全国大会/2026-03-12--2026-03-14
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのスイッチング損失に及ぼすチャージインバランスの影響解析
    吉田 開; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    令和8年電気学会全国大会/2026-03-12--2026-03-14
  • 量産プロセス適用可能なホットウォール酸化炉を用いたSiC-MOS界面へのCO2 POA効果の検証
    染谷 満; 平井 悠久; 熊谷 直樹; 矢野 裕司; 磯部 高範; 細井 卓治; 渡部 平司
    第73回応用物理学会春季学術講演会/2026-03-15--2026-03-18
  • Mechanism of Threshold Voltage Drift in SiC MOSFETs under Bipolar AC Gate Stress via Photon-Assisted Electron Injection
    Shingo Ryosuke; Enjoji Yuya; Iwamuro Noriyuki; YANO H...
    The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 (ICSCRM 2025)/2025-09-14--2025-09-19
  • Investigation of Optimum Gate Structures for 1.2-kV SiC MOSFETs by Analyzing Avalanche and Short-Circuit Withstanding Capabilities
    Suzuki Kazuhiro; YANO Hiroshi; Iwamuro Noriyuki
    The 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2025)/2025-06-01--2025-06-05
  • Reliability Issues in SiC MOSFETs: Threshold Voltage Instability under Gate AC Operation
    YANO Hiroshi
    The 9th International Symposium on Wide Bandgap Semiconductor 2025 (WBGS2025)/2025-11-20
  • Threshold voltage instability in SiC MOSFETs under gate AC operation
    YANO Hiroshi
    The 6th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM2025)/2025-11-25--2025-11-27
  • パワーデバイスと信頼性の基礎
    矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 2024年度チュートリアル/2024-11-24
  • SiC MOSFETのしきい値変動メカニズム：バイポーラAC ゲートストレスによる光援用電子注入
    矢野 裕司
    SiC/GaNパワー半導体のガイドラインセミナー/2025-01-31
  • Three-Level Charge Pumping Technique for SiC-MOS Interface Characterization
    YANO Hiroshi
    2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024)/2024-09-01--2024-09-04
  • Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    Horiuchi Sosuke; Fukunaga Hiroki; Shimabukuro Bunta; Y...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/2024-09-29--2024-10-04
  • Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs by photon-assisted electron injection under bipolar AC gate stress
    YANO Hiroshi; Enjoji Yuya; Shingo Ryosuke; Iwamuro No...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/2024-09-29--2024-10-04
  • Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance
    Matsuki Kotaro; Ichikawa Yoshihito; Onozawa Yuichi; Iw...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/2024-09-29--2024-10-04
  • Relationship between luminescence and threshold voltage shift in SiC MOSFETs under gate AC stress
    Shingo Ryosuke; Enjoji Yuya; Iwamuro Noriyuki; YANO H...
    The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2024)/2024-10-13--2024-10-17
  • Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光
    堀内 颯介; 福永 博生; 島袋 聞多; 矢野 裕司; 染谷 満; 平井 悠久; 渡部 平司; 梅田...
    第85回応用物理学会秋季学術講演会/2024-09-16--2024-09-20
  • SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動
    新郷 諒介; 円城寺 佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第85回応用物理学会秋季学術講演会/2024-09-16--2024-09-20
  • 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響
    松木 康太郎; 市川 義人; 小野澤 勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第85回応用物理学会秋季学術講演会/2024-09-16--2024-09-20
  • 電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響
    松木 康太郎; 市川 義人; 小野澤 勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第11回講演会/2024-11-25--2024-11-26
  • SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係
    新郷 諒介; 円城寺 佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第11回講演会/2024-11-25--2024-11-26
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Intellectural property rights
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
    下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司
Teaching
2025-10 -- 2025-12Semiconductor Device Physics 2University of Tsukuba.
2025-11 -- 2026-02Electromagnetism IIIUniversity of Tsukuba.
2025-10 -- 2025-11Electromagnetism 1University of Tsukuba.
2025-10 -- 2026-02Research in Applied Physics VBUniversity of Tsukuba.
2025-04 -- 2025-08Research in Applied Physics VBUniversity of Tsukuba.
2025-10 -- 2026-02Research in Applied Physics VAUniversity of Tsukuba.
2025-04 -- 2025-08Research in Applied Physics VAUniversity of Tsukuba.
2025-10 -- 2026-02Research in Applied Physics IVBUniversity of Tsukuba.
2025-04 -- 2025-08Research in Applied Physics IVBUniversity of Tsukuba.
2025-10 -- 2026-02Research in Applied Physics IVAUniversity of Tsukuba.
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Professional activities
2026-01 -- (current)DTDA 2026Program Committee/Member
2025-08 -- 2026-05CSW 2026Program Committee/Member
2025-07 -- 2026-03IRPS 2026Technical Program Committee/Member
2026-04 -- (current)応用物理学会　先進パワー半導体分科会幹事長
2024-06 -- (current)TPEC人材育成部会/委員
2024-02 -- 2026-01応用物理学会代議員
2024-04 -- 2026-03応用物理学会　先進パワー半導体分科会副幹事長
2023-01 -- (current)ICSCRM 2026Technical Program Committee/Chair, Organizing Committee/Member
2025-04 -- 2025-10DTDA 2025Technical Program Committee/Member
2024-08 -- 2025-09ICSCRM 2025Technical Program Committee/Member
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University Management
2026-04 -- (current)TREMS　電気エネルギー制御部門部門長
2022-04 -- (current)マテリアル先端リサーチインフラ(ARIM)パワエレ担当
2025-04 -- 2026-03理工学群寺子屋塾実行委員会委員長
2025-04 -- 2026-03理工学群総合政策室室員
2024-04 -- (current)数理物質系図書委員会委員
2021-04 -- 2022-03国際交流支援部門企画・審査委員会委員
2021-04 -- 2023-03学生担当教員
2020-04 -- 2022-03数理物質系共通施設委員会委員
2020-04 -- 2022-03パワエレ共用システム責任者
2019-04 -- 2021-03応用理工学類運営委員会運営委員
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(Last updated: 2026-04-30)