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Yano Hiroshi

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Articles
  • Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
    大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕...
    Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 2019/pp.167-170, 2019-05
  • Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
    凱倫 姚; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 2019/pp.187-190, 2019-05
  • Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
    饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/pp.23-26, 2019-05
  • First Demonstration of Short-Circuit capability for a 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
    大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    IEEE Journal of Electron Devices Society/7(1)/pp.613-620, 2019-06
  • Demonstration and analysis of channel mobility, trapped electron density and Hall effect at SiO2/SiC (0(3)over-bar3(8)over-bar) interfaces
    Masuda Takeyoshi; Hatakeyama Tetsuo; Harada Shinsuke; Yan...
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/58(SB)/pp.SBBD04-1-SBBD04-5, 2019-04
  • Investigation of stress at SiO
    Fu Wei; Kobayashi Ai; Yano Hiroshi; Ueda Akiko; Harada Sh...
    Jpn. J. Appl. Phys./58(SB)/pp.SBBD03-1-SBBD03-5, 2019-04
  • Anomalous carbon clusters in 4H-SiC/SiO2 interfaces
    Kagoyama Y.; Okamoto M.; Yamasaki T.; Tajima N.; Nara J.;...
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/125(6)/pp.065302-1-065302-8, 2019-02
  • Impact of crystal faces of 4H-SiC in SiO2/4H-SiC structures on interface trap densities and mobilities
    Hatakeyama Tetsuo; Masuda Teruyoshi; Sometani Mitsuru; Ha...
    APPLIED PHYSICS EXPRESS/12(2)/pp.201003-1-201003-5, 2019-02
  • Insight into enhanced field-effect mobility of 4H-SiC MOSFET with Ba incorporation studied by Hall effect measurements
    Fujita Eigo; Sometani Mitsuru; Hatakeyama Tetsuo; Harada ...
    AIP ADVANCES/8(8)/pp.085305-1-085305-6, 2018-08
  • Investigation of short-circuit failure mechanisms of SiC MOSFETs by varying DC bus voltage
    Namai Masaki; An Junjie; Yano Hiroshi; Iwamuro Noriyuki
    Japanese Journal of Applied Physics/57(7月)/pp.074102-074111, 2018-06
  • Hole Trapping in SiC-MOS Devices Evaluated by Fast-CV Method
    M. Hayashi; M. Sometani; T. Hatakeyama; 矢野 裕司; S. Harada
    Extended abstract of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.695-696, 2017-09
  • Characterization of Traps at SiO2/SiC (000-1) near the Conduction Band Edge by Using Hall Effect Measurements
    Hatakeyama T.; Kiuchi Y.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
    Extended abstracts of the 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related materials/p.TU.B1.2, 2017-09
  • Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions
    Sometani Mitsuru; Okamoto Mitsuo; Hatakeyama Tetsuo; Iwah...
    Extended abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.687-688, 2017-09
  • Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
    Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
    Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.145-146, 2017-11
  • Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mi...
    Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.149-150, 2017-11
  • 三次元アトムプローブを用いたSiO2/SiC界面窒素の評価
    山田敬一; 藤掛伸二; 岩橋洋平; 原田信介; 矢野 裕司; 奥村元
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-003, 2017-09
  • Analysis of interface characteristics on p-type SiC MOS capacitors by conductance method
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-009, 2017-09
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-007, 2017-09
  • Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-005, 2017-09
  • 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-011, 2017-09
  • Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.57-58, 2017-11
  • Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.261-262, 2017-11
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.177-178, 2017-11
  • 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; ...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.253-254, 2017-11
  • Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第23回研究会 講演予稿集/pp.199-202, 2018-01