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Yano Hiroshi

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Conference, etc.
  • The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface
    Terao Y.; Tsuji H.; Hosoi T.; Zhang X.; Yano Hiroshi; Shi...
    50th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2019)/2019-12-11--2019-12-14
  • Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
    岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-9-18--2019-9-21
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4
  • SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて
    矢野 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆
    SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム/2019-03-28--2019-03-29
  • 電力用半導体SiCのゲート酸化膜漏れ電流機構の解析
    矢野 裕司
    第16回環境研究シンポジウム「スマート社会と環境 豊かな暮らしと環境への配慮の両立を目指して」/2018-11-13
  • Characterization and Control of Interface Properties in SiC MOSFETs
    Yano Hiroshi
    2018 Joint Sympoium on Energy Materials Science and Technology/2018-03-08--2018-03-09
  • SiCパワーデバイス特有の信頼性課題 酸化膜および界面
    矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 2018年度チュートリアル/2018-11-05--2018-11-05
  • Ba添加によるSiC MOSFET特性向上の起源の検討
    藤田栄悟; 細井卓治; 染⾕満; 畠⼭哲夫; 原田信介; 矢野 裕司...
    第79回応用物理学会秋季学術講演会/2018-09-18--2018-09-21
  • 低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響
    染⾕満; 細井卓治; 畠⼭哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 志村考功...
    第79回応用物理学会秋季学術講演会/2018-09-18--2018-09-21
  • 4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性を引き起こす酸化膜トラップの空間分布
    岡本光央; 染谷満; 原田信介; 矢野 裕司; 奥村元
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • n型Si面4H-SiC MOSFETの閾値電圧とHall移動度の温度特性
    本田達也; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 増田健良; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因
    染谷満; 細井卓治; 平井悠久; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野 裕司...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • 4H-SiC(0001) MOSFETの可動電子密度の温度依存性に基づくチャネル内電子伝導機構の考察
    武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野 裕司; 渡部平司
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • 温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察
    武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野 裕司; 渡部平司
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26
  • Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
    X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Hara...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26
  • Influence of biaxial stress on the electron transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
    W. Fu; A. Ueda; 矢野 裕司; S. Harada; T. Sakurai
    第66回応用物理学会春季学術講演会/2019-03-09--2019-03-12
  • Analysis of oxide traps causing threshold voltage instability in 4H-SiC MOSFETs via capture time map
    Okamoto M.; Sometani M.; Harada S.; Yano Hiroshi; Okumura H.
    12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0_338(_)), (112(_)0) and {0001} and their Impacts on Electron Transport
    Hatakeyama T.; Masuda T.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
    12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers
    Sometani M.; Hosoi T.; Hatakeyama T.; Harada S.; Yano Hir...
    12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Demonstration of High Channel Mobility and Low Trapped Electron Density of SiO2/SiC (0-33-8) Interfaces
    Masuda T.; Hatakeyama T.; Harada S.; Yano Hiroshi
    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)/2018-09-09--2018-09-13
  • Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
    大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕...
    The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
  • Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
    饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
  • Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
    凱倫 姚; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23