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Okamoto Dai

Affiliation
Faculty of Pure and Applied Sciences
Official title
Assistant Professor
ORCID
0000-0003-2494-1764
Sex
Male
Birth date
1983-07
KAKEN ID
50612181
URL
Email
 
Office
Power Electronics Laboratory
Research fields
Electron device/Electronic equipment
Research keywords
Semiconductor, Device Physics, Silicon Carbide, Insulater Technology, Interface Physics, Power Device
Research projects
SiCパワーデバイスの高信頼化に向けたNBTI現象の理解と抑制指針の提示2020-04 -- 2023-03岡本 大日本学術振興会/基盤研究(C)4,290,000Yen
新規前駆体熱酸化手法によるSiC絶縁膜界面制御技術の開発とトランジスタ応用2017-04 -- 2020-03岡本 大Japan Society for the Promotion of Science/Grant-in-Aid for Young Scientists(B)4,290,000Yen
新規界面原子導入による高移動度SiC MOSFET作製技術の確立2014-04 -- 2016-03Dai OkamotoJapan Society of for the Promotion of Science/Grant-in-Aid for Scientific Research
Career history
2009-04 -- 2011-03Japan Society for the Promotion of Science JSPS Research Fellow (DC2)
2011-04 -- 2015-06National Institute of Advanced Industrial Science and Technology Advanced Power Electronics Research Center Research Scientist
Degree
2008-03Master of EngineeringNara Institute of Science and Technology
2011-03Ph.D.Nara Institute of Science and Technology
Academic societies
-- (current)The Japan Society of Applied Physics
-- (current)IEEE
Honors & Awards
2019-12応用物理学会 先進パワー半導体分科会 研究奨励賞（指導学生）
2009-12応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 研究奨励賞
2010-02IEEE Kansai Section Student Paper Award
2010-05IEEE IMFEDK Best Paper Award
Articles
Books
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor, Angel Business Communications publication, pp.47-50, 2017-06
Conference, etc.
  • SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
    岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
    周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
  • Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shins...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
    Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuki...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
    Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsuru...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
    岡本　大; 根本　宏樹; 張　旭芳; 周　星炎; 染谷　満; 岡本...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-9-18--2019-9-21
  • SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて
    矢野 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆
    SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム/2019-03-28--2019-03-29
  • SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 増田健良; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
    X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Hara...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26
  • Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0＿338(＿)), (112(＿)0) and {0001} and their Impacts on Electron Transport
    Hatakeyama T.; Masuda T.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
    12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 ...
    先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
    周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光...
    先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
    Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷　満; 原田　信介; 張...
    European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    宏樹 根本; 岡本　大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原...
    12th European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
    大川　雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野　裕司; 岩室　憲幸
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Strates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates
    Y. Kiuchi; Sometani M.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Harada...
    2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2017IWDTF)/2017-11-20--2017-11-22
  • 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; ...
    先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
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Teaching
2020-04 -- 2020-08Research in Applied Physics IVBUniversity of Tsukuba.
2020-04 -- 2020-08Research in Applied Physics VBUniversity of Tsukuba.
2020-10 -- 2021-02Research in Applied Physics IIIAUniversity of Tsukuba.
2020-10 -- 2021-02Research in Applied Physics VAUniversity of Tsukuba.
2020-10 -- 2021-02Research in Applied Physics VBUniversity of Tsukuba.
2020-10 -- 2021-02Research in Applied Physics IIAUniversity of Tsukuba.
2020-10 -- 2021-02Research in Applied Physics IVAUniversity of Tsukuba.
2020-04 -- 2020-08Research in Applied Physics IIIAUniversity of Tsukuba.
2020-10 -- 2021-02Research in Applied Physics IIIBUniversity of Tsukuba.
2020-04 -- 2020-08Research in Applied Physics VAUniversity of Tsukuba.
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Professional activities
2021 -- 2021第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会プログラム委員長
2019-07 -- (current)一般社団法人　SiCアライアンス広報委員
2019-07 -- 2020-04IEICE Nonlinear Theory and Its Applications (電子情報通信学会NOLTA誌)編集委員
2020 -- 2020第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会副プログラム委員長
2019 -- 2019第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会実行・プログラム委員
2018 -- 2018第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会実行・プログラム委員
2017 -- 2017第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会実行・プログラム委員
2016 -- 20162016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)実行委員
2016 -- 2016応用物理学会 先進パワー半導体分科会第３回講演会実行委員

(Last updated: 2020-09-25)