SHIGEKAWA Hidemi
- Articles
- 機械的損傷にともなう金属からのPSEE
重川 秀実
IONICS/73(11)/pp.41-44, 1983-01 - Change of Energy-Level Distribution of Photo-emission Sources in Al and Zn Caused by Scratching.
重川 秀実
Jpn. J. Appl. Phys./22(1)/p.42-45, 1983-01 - Intensity vs Time Profiles of Photostimulated Exoelectron Emission from Scratched Aluminum.
重川 秀実
Jpn. J. Appl. Phys./22(10)/p.1493-1495, 1983-01 - An Improved Method for Determining the Emission Rate and Source Population of PSEE.
重川 秀実
Jpn. J. Appl. Phys./22(10)/p.1627, 1983-01 - 光ファイバー強度に及ぼすガラス/コーテイング界面の影響
重川 秀実
東京大学工学部紀要A/22/pp.34-35, 1984-01 - 二過程モデルから見たPSEEとTSEEの類似性
重川 秀実
京都大学原子炉実験報告/(253)/p.9-10, 1984-01 - Acoustic Location of Fracture Origin in Optical Fibers.
重川 秀実
Comunication of the American Ceramic Society/67(6)/p.c104-105, 1984-01 - A Note on Electron Transfer to Exoelectron Emission Sources from Scratched Aluminum.
重川 秀実
Jpn. J. Appl. Phys./23(8)/p.1146, 1984-01 - 光ファイバーの引っ張り強度と破断位置の相関
重川 秀実
東京大学工学部総合試験所年報/(44)/p.75-78, 1985-01 - Two-Process Model of PSEE from Scratched Metals.
重川 秀実
Appl. Surf. Sci./22(23)/p.361-368, 1985-01 - Two-Process Model for a Comprehensive Interpretation of Photostimulated Exoelectron Emission.
重川 秀実
Jpn. J. Appl. Phys. Suppl./24(4)/p.21-26, 1985-01 - 機械的損傷とエキソ放出
重川 秀実
応用物理/55(5)/p.431-435, 1986-01 - エキソ放出
重川 秀実
表面物性工学ハンドブック(丸善)/p.446-448, 1987-01 - Component Assignments of the Raman Spectrum from Highly Elongated Silica Glass Fibers.
重川 秀実
Jpn. J. Appl. Phys./26(5)/p.649-654, 1987-01 - 半導体の原子尺度での制御と評価
重川 秀実
第49応用物理学会学術講演会シンポジウムダイジェストJSAP,AP881225-03/p.23-27, 1988-01 - Adsorption of Antimony on Au(001).
重川 秀実
Phys. Rev. B./38(14)/p.9606-9611, 1988-01 - Structure Studies of Solid Surfaces by UHV-STM.
重川 秀実
7th Record of Semiconductor Phys. and Elec. Symp./p.81, 1988-01 - Interface Formation on Co/Si(111)Using Angle Resolved Photoemin for Band Mapping.
重川 秀実
National Synchrotron Light Source(Brookhaven National Laboratory, USA)Annual Report/p.83, 1988-01 - Adsorption of Antimony on Au(001).
重川 秀実
National Synchrotron Light Source(Brookhaven National Laboratory, USA)/p.90, 1988-01 - Step bunching caused by annealing vicinal GaAs(001)in AsH3 and hydrogen ambient in its stationary state.
重川 秀実
Phys. Rev. B/57(8)/p.4500-4508, 1988-01 - テレビカメラとマイクロコンピュータを利用した低速電子の回折強度の迅速測定
重川 秀実
表面科学/10(1)/p.47-51, 1989-01 - 放射光光電子分光による硫化アンモニウム処理GaAs表面状態の解析
重川 秀実
電子情報通信学会/(ED89-64)/p.1-6, 1989-01 - STM/STSを用いた半導体表面の研究
重川 秀実
表面科学/10(9)/p.579-587, 1989-01 - Study of Interface Formation on Co/Si (111)-7x7 Using Angle Resolved Photoemission
重川 秀実
J. Vac. Sci. Tech. A/7(3)/p.2449-2453, 1989-01 - Structure Studies of Solid Surfaces by UHV-STM.
重川 秀実
8th Record of Semiconductor Phys. and Elec. Symp./p.35-41, 1989-01 - more...
- 機械的損傷にともなう金属からのPSEE