IWAMURO Noriyuki
- Conference, etc.
- 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01 - 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16 - Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress
Enjoji Yuya; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22 - Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique
Akiba Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22 - 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16 - SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16 - Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
高橋光希; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2023)/2023-5-28--2023-6-1 - 電気熱連成解析によるモータ駆動時の SiC MOSFET の温度推定
松岡亨卓; 磯部 高範; 加藤史樹; 先崎純寿; 佐藤弘; 岩室憲幸
2022年電気学会産業応用部門大会/2022-08-30--2022-09-01 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
凱倫 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
柏佳介; 姚 凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23 - モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - SiC MOSFET高性能化に向けた最新技術
岩室 憲幸
第4回WBG実装コンソーシアム/2023-02-22 - SiC MOSFET高性能化・高信頼化の進展
岩室 憲幸
ワイドギャップ半導体学会第8回研究会/2022-10-6--2022-10-7 - Investigations of UIS failure mechanism in state-of-the-art 1.2-kV SiC trench MOSFETs using TCAD simulations
Iwamuro Noriyuki
The 3rd Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM-2022)/2022-11-14--2022-11-16 - 1.2 kV 耐圧 SiC トレンチ MOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析
北村雄大; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; 岩室 憲幸
電気学会電子デバイス研究会/2023-03-27--2023-03-27 - SBD 内蔵 SiC トレンチ MOSFET におけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和5年電気学会全国大会/2023-03-15--2023-03-17 - SBD占有面積割合の異なる1.2kV SBD内蔵SiC-MOSFETのUIS耐量解析
柏佳介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和5年電気学会全国大会/2023-3-15--2023-3-17 - Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29 - Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29 - Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-5-22--2022-05-25 - more...
- 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価