IWAMURO Noriyuki
- Conference, etc.
- 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化
北村 雄大; 亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-3-16--2021-3-19 - 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析
亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-3-16--2021-3-19 - 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析
柏 佳介; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和3年電気学会全国大会/2021-3-9--2021-3-11 - 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価
松井ケビン; 饗場 塁士; 柏 佳介; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和3年電気学会全国大会/2021-3-9--2021-3-11 - Recent progress of power semiconductor devices and expectation for GaN power devices (Invited)
Iwamuro Noriyuki
39th Electronic Materials Symposium/2020-10-7--2020-10-9 - Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
Kanamori Taiga; Aiba Ruito; Okawa Masataka; Harada Shins...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-09-29--2019-10-04 - 最新パワーデバイス技術動向ならびに新材料パワーデバイスへの期待
岩室 憲幸
（一社）ニューダイヤモンドフォーラム 2019年度第1回研究会/2019-06-26--2019-06-26 - 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
松井 ケビン; 戸高 駿希; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
亀和田亮; 饗場 塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01 - 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 根本宏樹; 張旭芳; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21 - Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shin...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuk...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsu...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Recent Progress of SiC-MOSFETs and Their Futures - Competion with state-of-the-art Si-IGBT -
Iwamuro Noriyuki
International Conference on Electronics Packaging (ICEP)/2019-04-17--2019-04-20 - Investigation of UIS Capability for-600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
Yao Kailun; Yano Hiroshi; Iwamuro Noriyuki
31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23 - Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
Okawa Masataka; Aiba Ruito; Kanamori Taiga; Yano Hiroshi...
31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)/2019-05-19--2019-05-23 - Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本 光央; 原田 信介; 畠山 哲夫; Iwamuro Nori...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4 - more...
- 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化