IWAMURO Noriyuki

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Articles

• Dependence of humidity-stress impact on passivation film for edge termination area in 4H-SiC diodes
  松島　宏行; Y.Mori; 島　明夫; Iwamuro Noriyuki
  Japanese Journal of Applied Physics/59(10)/pp.104003-1-104003-8, 2020-10
• Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses
  Yao Kailun; 矢野裕司; 只野博; Iwamuro Noriyuki
  IEEE Transactions on Electron Devices/67(10)/pp.4328-4334, 2020-10
• Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method
  Zhang Xufang; Matsumoto Tsubasa; Sakurai Ukyo; Makino ...
  CARBON/168/pp.659-664, 2020-10
• Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs
  Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsu...
  Japanese Journal of Applied Physics/59(4)/pp.044003-1-044003-6, 2020-04
• SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
  岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会　予稿集/pp.97-100, 2020-01
• 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
  松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.85-86, 2019-12
• pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
  根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.87-88, 2019-12
• ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
  周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.89-90, 2019-12
• 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
  坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 根本宏樹; 張旭芳; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.143-144, 2019-12
• pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
  根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  第80回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-251, 2019-09
• 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
  松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
  第80回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-248, 2019-09
• Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
  Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shin...
  Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Tu-3A-07LN, 2019-09
• Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
  Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuk...
  Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-P-30, 2019-09
• Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
  Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
  Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Th-P-52LN, 2019-09
• Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
  Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsu...
  Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-04, 2019-09
• Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
  金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野　裕司; Iwamuro Noriyuki
  Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Tu-2A-05, 2019-09
• Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
  岡本　大; 根本　宏樹; 張　旭芳; 周　星炎; 染谷　満; 岡本　光央; 原田　信介; 畠山　哲夫; Iwamuro Nori...
  Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-02, 2019-09
• 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFET with extension structure and titanium-based single contact
  清水悠佳; Watanabe Naoki; Morikawa Takahiro; Shima Akio; Iwamu...
  Japanese Journal of Applied Physics/59(2)/pp.026502-1-026502-7, 2020-01
• Design Strategy of Z-source Inverter for Utilization of Power Semiconductors with Extremely Low Short-circuit Capability
  髙嶋　薫; 飯島　竜司; 萬年　智介; 磯部　高範; 只野　博; Iwamuro Noriyuki
  Proceedings of The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019), 2019-10
• pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
  根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第5回講演会　予稿集/pp.105-106, 2018-11
• Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
  周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光央; 張 旭芳; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第5回講演会　予稿集/pp.101-102, 2018-11
• Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
  X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Har...
  電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会　予稿集/pp.221-224, 2019-01
• Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
  姚 凱倫; 矢野　裕司; 岩室 憲幸
  平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.10-11, 2019-03
• SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
  饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　大河; 小林　勇介; 原田　信介; 矢野　裕司; 岩室　憲幸
  平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.18-19, 2019-03
• SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
  大川　雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野　裕司; 岩室　憲幸
  平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.22-23, 2019-03
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