IWAMURO Noriyuki

Researcher's full information

Conference, etc.

• Design Strategy of Z-source Inverter for Utilization of Power Semiconductors with Extremely Low Short-circuit Capability
  髙嶋　薫; 飯島　竜司; 萬年　智介; 磯部　高範; 只野　博; Iwamuro Noriyuki
  The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019)/2019-10-14--2019-10-17
• 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
  松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
  第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-9-18--2019-9-21
• パワーデバイスの動向およびSiC・GaN研究開発の最前線
  岩室 憲幸
  電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2019-7-17
• シリコンならびにSiCパワー半導体デバイスの最新技術動向
  岩室 憲幸
  第6回電子デバイスフォーラム京都/2019-11-1
• TCADを用いた最先端SiCトレンチMOSFETの破壊メカニズム解析
  岩室 憲幸
  シノプシスSEGセミナー2019/2019-10-9
• Device Design and Characteristics of SiC MOSFETs
  Iwamuro Noriyuki
  ICSCRM 2019 Tutorial/2019-09-30
• Recent Progress of SiC-MOSFETs and Competition with state-of-the-art Si-IGBTs
  Iwamuro Noriyuki
  National Tsing Hua University (Taiwan)/2019-05-27
• Power Semicouductor Devices and Their Future
  岩室 憲幸
  Int. Symp. Semiconductor Technology Innovation for Next Distinguished Evolutional World 2019/2019-9-5
• Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
  金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野　裕司; Iwamuro Noriyuki
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4
• Si, SiC, GaNパワーデバイスの開発動向と課題
  岩室 憲幸
  2018エレクトロニクス実装学会　最先端実装技術シンポジウム/2018-06-07--2018-06-07
• Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
  X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Har...
  電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26
• Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
  大川　雅貴; 饗場　塁士; 金森　大河; 原田　信介; 矢野　裕司; Iwamuro Noriyuki
  The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
• Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
  饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　大河; 小林　勇介; 原田　信介; 矢野　裕司; Iwamuro Noriyuki
  The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
• Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
  凱倫 姚; 矢野　裕司; Iwamuro Noriyuki
  The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
• pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
  根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
• Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
  周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光央; 張 旭芳; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
• Zソースインバータにおける負荷短絡を考慮したインピーダンスソースの設計
  高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
  平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
• Zソースインバータの負荷短絡時の電流遮断能力の検討
  高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
  半導体電力変換/モータドライブ合同研究会/2018-09-06--2018-09-07
• Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
  Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷　満; 原田　信介; 張旭芳; Iwamuro Noriy...
  European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
• Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
  宏樹 根本; 岡本　大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原田　信介; Iwamuro ...
  12th European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
• Recent Progress of SiC-MOSFETs and Competition with state-of-the-art Si-IGBTs (Keynote Speech)
  Iwamuro Noriyuki
  WiPDA-Asia/2019-05-23--2019-05-25
• Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
  姚 凱倫; 矢野　裕司; 岩室 憲幸
  平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
• SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析
  金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野　裕司; 岩室 憲幸
  平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
• SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
  饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　大河; 小林　勇介; 原田　信介; 矢野　裕司; 岩室　憲幸
  平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
• SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
  大川　雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野　裕司; 岩室　憲幸
  平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
• more...