IWAMURO Noriyuki
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- SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.12-13, 2019-03 - Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷 満; 原田 信介; 張旭芳; Iwamuro Noriy...
Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.WE.02b.04, 2018-09 - Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
宏樹 根本; 岡本 大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原田 信介; Iwamuro ...
Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.We.P.MI6, 2018-09 - Investigation of Impedance Source of Z-source Inverter Considering Load Short-circuit
高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会, 2019-03 - Investigation of Current Breaking Capability of Z-source Inverter in Load Short-Cirucuit
高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
半導体電力変換/モータドライブ合同研究会, 2018-09 - Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/pp.167-170, 2019-05 - Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
凱倫 姚; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/pp.187-190, 2019-05 - Recent Progress of SiC-MOSFETs and Their Futures
Iwamuro Noriyuki
Proceedings of International Conference on Electronic Packageing 2019/pp.260-264, 2019-04 - Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/pp.23-26, 2019-05 - Recent Progress of SiC MOSFET Devices
Iwamuro Noriyuki
Material Science Forum/954/pp.90-98, 2019-05 - First Demonstration of Short-Circuit capability for a 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
IEEE Journal of Electron Devices Society/7(1)/pp.613-620, 2019-06 - Recent Trend of Power Semiconductor Devices
岩室 憲幸
Proceedings of JIEP Annual Meeting/29(0)/pp.484-486, 2015 - Study on Voltage Utilization Ratio of Complementary Inverter depends on SiC-pMOSFET Characteristics
吉田 千恵; 磯部 高範; 岩室 憲幸; 只野博
平成30年電気学会全国大会, 2018-03 - Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsu...
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.145-146, 2017-11 - Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani M...
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.149-150, 2017-11 - Analysis of interface characteristics on p-type SiC MOS capacitors by conductance method
唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-009, 2017-09 - Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-005, 2017-09 - Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.57-58, 2017-11 - Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.261-262, 2017-11 - Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第23回研究会 講演予稿集/pp.199-202, 2018-01 - メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討
北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室 憲幸
平成30年電気学会全国大会講演論文集/p.4-011, 2018-03 - Analysis of conduction mechanism of leakage current in thermally grown oxide
根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-282, 2018-03 - Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-172, 2018-03 - Methodology for Enhanced Short-Circuit capability of SiC MOSFETs
An Junjie; Namai Masaki; Yano Hiroshi; Kobayashi Yusuke; ...
Proceedings of the 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/pp.391-394, 2018-05 - Investigation of short-circuit failure mechanisms of SiC MOSFETs by varying DC bus voltage
Namai M.; An J.; Yano Hiroshi; Iwamuro N.
Jpn. J. Appl. Phys./57(7)/pp.074102-1-074102-10, 2018-07 - more...
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