IWAMURO Noriyuki
- Conference, etc.
- State-of-the-art and Future Prospective of Si-IGBT Technologies,
Iwamuro Noriyuki
The 4th Int. Academic Forum of China IGBT Technology Innovation and Industry Alliance/2018-11-06--2018-11-06 - Recent Progress of SiC MOSFET Devices (Planary talk)
Iwamuro Noriyuki
Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2018/2018-07-09--2018-07-12 - Study on Voltage Utilization Ratio of Complementary Inverter depends on SiC-pMOSFET Characteristics
吉田 千恵; 磯部 高範; 岩室 憲幸; 只野博
平成30年電気学会全国大会/2018-03-14--2018-03-16 - Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors
Karamoto Yuki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsu...
International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology (IWDTF)/2017-11-20--2017-11-22 - パワー半導体デバイス～日本に残すべき体系的パワエレ技術～
岩室憲幸
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第22回研究会/2017-1-20--2017-01-22 - Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsu...
International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017)/2017-11-20--2017-11-22 - Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani M...
International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017)/2017-11-20--2017-11-22 - マルチエピタキシャル型SiC SJ ダイオードの電気特性のプロセス依存性
原田穣; 森本忠雄; 原田信介; 岩室 憲幸
第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20 - Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
周星炎; 岡本大; 畠山哲夫; 染谷満; 原田信介; 唐本祐樹; 張旭芳; 岩室憲幸; 矢野裕司
第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20 - メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討
北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室 憲幸
平成30年電気学会全国大会/2018-03-14--2018-03-16 - Experimental demonstration on ultra-high voltae and high speed 4H-SiC DSRD with smaller numbers of die stacks for pulse power applications
Goto Taiga; Shirai Takuma; Tokuchi Akira; Naito Takashi; ...
International Conference of Silicon Carbide and Related Materials 2017/2017-09-16--2017-09-22 - Methodology for Enhanced Short-Circuit capability of SiC MOSFETs
An Junjie; Namai Masaki; Yano Hiroshi; Kobayashi Yusuke; ...
30th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/2018-05-13--2018-05-17 - Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20 - Analysis of conduction mechanism of leakage current in thermally grown oxide
根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20 - Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会/2018-01-18--2018-01-20 - Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08 - Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02 - Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02 - Analysis of interface characteristics on p-type SiC MOS capacitors by conductance method
唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08 - Recent Progress of Power Semiconductor Devices and Their Futures
Iwamuro Noriyuki
IEEE-CPMT Symposium Japan (ICSJ)/2017-11-20--2017-11-22 - 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; 岩室憲幸; 矢野裕司
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性の周波数依存性
王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Sometani M.; Hara...
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Sometani M.; Hara...
47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2016)/2016-12-07--2016-12-10 - 直列抵抗を考慮したインピーダンス測定によるSiC MOS界面解析
岡本大; 張旭芳; 畠山哲夫; 染谷満; 原田信介; 小杉亮治; 岩室憲幸; 矢野裕司
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - more...
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