YANO Hiroshi
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- SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の 周辺耐圧領域解析
阿部洸太; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和7年電気学会全国大会 講演論文集/4(90)/pp.143-144, 2025-03-18 - 低直流電圧印加 時 における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析
鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.11-147, 2025-03-14 - 4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善
吉田 開; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集/pp.89-90, 2024-11-25 - 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用
横山 義希; 堀内 颯介; 福永 博生; 島袋 聞多; 矢野 裕司; 染谷 満; 平井 悠久; 渡部...
第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.11-154, 2025-03-14 - SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性
子安 葵; 新郷 諒介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.11-146, 2025-03-14 - Unique short-circuit failure mechanisms in 1.2-kV SiC planar MOSFETs
鈴木一広; 鹿志村快音; 矢野裕司; 岩室 憲幸
Applied Physics Express/17/pp.124002-1-124002-5, 2024-12 - A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs
Suzuki Kazuhiro; Yano Hiroshi; Iwamuro Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/63(12), 2024-12-02 - ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集/pp.105-106, 2023-11 - SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集/pp.103-104, 2023-11 - 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集/pp.101-102, 2023-11 - 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
令和6年電気学会全国大会 講演論文集/4(22)/pp.37-38, 2024-03 - SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和6年電気学会全国大会 講演論文集/4(19)/pp.32-33, 2024-03 - 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和6年電気学会全国大会 講演論文集/4(20)/pp.34-35, 2024-03-14 - Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress
Enjoji Yuya; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/p.Mo.C.11, 2023-09 - Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique
Akiba Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/p.C.1, 2023-09 - チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための＋αの研究技術
矢野 裕司
Oyo Buturi/93(3)/pp.179-183, 2024-03 - Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/pp.250-253, 2023-05 - The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs
Fu Wei; Yano Hiroshi; Sakurai Takeaki; Ueda Akiko
APPLIED PHYSICS EXPRESS/16(8)/pp.081002-1-081002-6, 2023-08-01 - Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26 - Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanak...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.109-112, 2022-05-22 - Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harad...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116, 2022-05-22 - Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
柏佳介; 姚 凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116/pp.113-116, 2022-05-22 - Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26 - Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26 - more...
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