Yano Hiroshi
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- モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討
西城智哉; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 予稿集/pp.95-96, 2021-12-09 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析
森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.100000000-015, 2022-03-22 - 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価
坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室 憲幸
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 予稿集/pp.27-28, 2021-12-09 - Impact of Negative Gate Bias and Inductive Load on the Single-Pulse Avalanche Capability of 1200-V SiC Trench MOSFETs
姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
IEEE Transactions on Electron Devices/69(2)/pp.637-643, 2022-02 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
姚 凱倫; 加藤史樹; 田中聡; 原田信介; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.297-300, 2022-05 - 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第7回講演会 予稿集/pp.61-62, 2020-12 - Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
第67回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.12-098, 2020-03 - On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野 裕司; 岩室憲幸
第67回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.12-261, 2020-03 - SiC-MOSFETのユニバーサル移動度の調査に基づく反転層電子の散乱機構の把握
大橋 輝之; 飯島 良介; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第7回講演会 予稿集/pp.71-72, 2020-12 - 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価
坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 矢野 裕司; 岩室憲幸
先進パワー半導体分科会 第7回講演会 予稿集/pp.69-70, 2020-12 - SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会 予稿集/pp.7-8, 2020-03 - SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
亀和田亮; 饗場 塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会 予稿集/pp.9-10, 2020-03 - 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
松井 ケビン; 戸高 駿希; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会 予稿集/pp.1-2, 2020-03 - 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会 予稿集/pp.11-12, 2020-03 - 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析
柏 佳介; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和3年電気学会全国大会 予稿集/pp.5-6, 2021-03 - 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価
松井ケビン; 饗場 塁士; 柏 佳介; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和3年電気学会全国大会 予稿集/pp.7-8, 2021-03 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化
北村 雄大; 亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.13-150, 2021-03 - 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析
亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.13-149, 2021-03 - 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析
松谷 優汰; 矢野 裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.13-182, 2021-03 - Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET Based on Temperature-Dependent Hall Effect Measurement
Takeda H.; Sometani M.; Hosoi T.; Shimura T.; Yano Hiros...
Materials Science Forum/1004/pp.620-626, 2020-07 - Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of the 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/pp.219-222, 2021-05 - Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of the 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/pp.215-218, 2021-05 - Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
Yao Kailun; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/pp.115-118, 2021-05 - Investigations of short-circuit failure in double trench SiC MOSFETs through three-dimensional electro-thermal-mechanical stress analysis
姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Microelectronics Reliability/122/pp.114163-1-114163-10, 2021-07 - Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method
坂田 大輝; 岡本 大; Sometani M.; Okamoto M.; Hirai H.; Harada S.; ...
Japanese Journal of Applied Physics/60(6)/pp.060901-1-060901-4, 2021-06 - more...
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