Yano Hiroshi
- Conference, etc.
- モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討
西城智哉; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会/2021-12-09--2021-12-10 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析
森海斗; 亀和田亮; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10 - TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析
髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和4年電気学会全国大会/2022-03-21--2022-03-23 - Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15 - On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野 裕司; 岩室憲幸
第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15 - 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10 - SiC-MOSFETのユニバーサル移動度の調査に基づく反転層電子の散乱機構の把握
大橋 輝之; 飯島 良介; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10 - 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価
坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 矢野 裕司; 岩室憲幸
先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10 - 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析
松谷 優汰; 矢野 裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-03-16--2021-03-19 - Development of Analytical Channel Mobility Model Based on Study of Universal Mobility in SiC MOSFET
Ohashi Teruyuki; Iijima Ryosuke; Yano Hiroshi
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)/2020-09-27--2020-09-30 - Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-5-30--2021-6-3 - Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
Yao Kailun; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt
饗場 塁士; 松井ケビン; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2020)/2020-09-13--2020-09-18 - Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress
大川 雅貴; 金森大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2020)/2020-09-13--2020-09-18 - Experimental Demonstration of Superior Vf-Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length
金森大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
PCIM asia 2020/2020-11-16--2020-11-18 - Influence of Interface Traps on the Shape of Split C-V Curves of 4H-SiC MOSFETs at Inversion
Cui Xiaoran; Iwamuro Noriyuki; 矢野裕司
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)/2020-9-27--2020-9-30 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化
北村 雄大; 亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-3-16--2021-3-19 - 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析
亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-3-16--2021-3-19 - 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析
柏 佳介; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和3年電気学会全国大会/2021-3-9--2021-3-11 - 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価
松井ケビン; 饗場 塁士; 柏 佳介; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和3年電気学会全国大会/2021-3-9--2021-3-11 - Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
Kanamori Taiga; Aiba Ruito; Okawa Masataka; Harada Shins...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-09-29--2019-10-04 - 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
松井 ケビン; 戸高 駿希; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - more...
- モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討