YANO Hiroshi
- Conference, etc.
- 4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善
吉田 開; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第11回講演会/2024-11-25--2024-11-26 - 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用
横山 義希; 堀内 颯介; 福永 博生; 島袋 聞多; 矢野 裕司; 染谷 満; 平井 悠久; 渡部...
第72回応用物理学会春季学術講演会/2025-03-14--2025-03-17 - SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性
子安 葵; 新郷 諒介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第72回応用物理学会春季学術講演会/2025-03-14--2025-03-17 - SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の 周辺耐圧領域解析
阿部洸太; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和7年電気学会全国大会/2025-03-18--2025-03-20 - 低直流電圧印加 時 における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析
鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会/2025-03-14--2025-03-17 - A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs
鈴木一広; 矢野裕司; IWAMURO Noriyuki
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials/2024-9-1--2024-9-4 - ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01 - SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01 - 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01 - 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16 - Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress
Enjoji Yuya; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22 - Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique
Akiba Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22 - 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16 - SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16 - Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
高橋光希; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2023)/2023-5-28--2023-6-1 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
凱倫 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
柏佳介; 姚 凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23 - 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23 - SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み
矢野 裕司
結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会/2022-10-21 - モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価：酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係
秋葉淳宏; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第70回応用物理学会春季学術講演会/2023-03-15--2023-03-18 - more...
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