Yano Hiroshi

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Articles

• Simple method to estimate the shallow interface trap density near the conduction band edge of MOSFETs using Hall effect measurements
  Honda Tatsuya; Yano Hiroshi
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/60(1)/pp.016505-1-016505-6, 2021-01
• Experimental Demonstration of Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length
  金森　大河; 饗場　塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
  Proceedings of PCIM Asia, 2020/pp.25-29, 2020-11
• Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt
  饗場　塁士; 松井ケビン; 大川　雅貴; 金森　大河; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
  Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs,2020/pp.174-177, 2020-09
• Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress
  大川　雅貴; 金森　大河; 饗場　塁士; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki; 原田信介
  Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, 2020/pp.74-77, 2020-9
• Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal
  饗場　塁士; 松井ケビン; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
  IEEE Electron Device Letters/41(12)/pp.1810-1813, 2020-12
• Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses
  Yao Kailun; 矢野裕司; 只野博; Iwamuro Noriyuki
  IEEE Transactions on Electron Devices/67(10)/pp.4328-4334, 2020-10
• Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method
  Zhang Xufang; Matsumoto Tsubasa; Sakurai Ukyo; Makino ...
  CARBON/168/pp.659-664, 2020-10
• Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
  Higa Eito; Sometani Mitsuru; Hirai Hirohisa; Yano Hirosh...
  Applied Physics Letters/116(17)/pp.171602-1-171602-4, 2020-04
  
  Tsukuba Repository
• Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs
  Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsu...
  Japanese Journal of Applied Physics/59(4)/pp.044003-1-044003-6, 2020-04
• Dominant scattering mechanism in SiC MOSFET: comparative study of the universal mobility and the theoretically calculated channel mobility
  Ohashi Teruyuki; Iijima Ryosuke; Yano Hiroshi
  Jpn. J. Appl. Phys./59(3)/pp.034003-1-034003-10, 2020-03
• The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface
  寺尾豊; 辻英徳; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司
  電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会　予稿集/pp.137-139, 2020-01
• SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
  岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会　予稿集/pp.97-100, 2020-01
• 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価
  比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会/pp.67-68, 2019-12
• 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
  松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.85-86, 2019-12
• pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
  根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.87-88, 2019-12
• ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
  周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.89-90, 2019-12
• 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
  坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 根本宏樹; 張旭芳; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.143-144, 2019-12
• pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
  根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  第80回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-251, 2019-09
• SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性
  辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司
  第80回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-228, 2019-09
• Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties
  Wei Fu; Xufang Zhang; Hiroshi Umishio; Aboulaye Traore; 矢...
  第80回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-228, 2019-09
• 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
  松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
  第80回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-248, 2019-09
• Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement
  Takeda Hironori; Sometani Mitsuru; Hosoi Takuji; Shimura ...
  Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Mo-P-29, 2019-09
• Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
  Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shin...
  Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Tu-3A-07LN, 2019-09
• The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study
  Umeda Takahide; Kobayashi Takuma; Matsushita Yu-ichro; Hi...
  Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-1A-02, 2019-09
• Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
  Higa Eito; Sometani Mitsuru; Harada Shinsuke; Yano Hiros...
  Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-1A-06, 2019-09
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