YANO Hiroshi
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- AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集/p.12-122, 2022-09-20 - 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集/p.12-121, 2022-09-20 - SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み
矢野 裕司
結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会資料/pp.22-28, 2022-10-21 - モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集/pp.91-92, 2022-12-20 - バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集/pp.75-75, 2022-12-20 - 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価：酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係
秋葉淳宏; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集/pp.73-74, 2022-12-20 - チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.12-095, 2023-03-15 - Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs
柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(SC1073)/pp.SC2073-1-SC1073-10, 2023-02 - Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection
松井ケビン; 俵 武志; 原田 信介; 田中聡; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING/18(2)/pp.278-285, 2022-10 - Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs
北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(SC1007)/pp.SC1007-1-SC1007-9, 2022-12 - Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116, 2022-05-22 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.109-112, 2022-05-22 - 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第69回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.100000000-150, 2022-03-22 - Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.100000000-138, 2022-03-22 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析
森海斗; 亀和田亮; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 予稿集/pp.61-62, 2021-12-09 - TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析
髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和4年電気学会全国大会 予稿集/pp.4-5, 2022-03-21 - モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討
西城智哉; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 予稿集/pp.95-96, 2021-12-09 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析
森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.100000000-015, 2022-03-22 - 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価
坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室 憲幸
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 予稿集/pp.27-28, 2021-12-09 - Impact of Negative Gate Bias and Inductive Load on the Single-Pulse Avalanche Capability of 1200-V SiC Trench MOSFETs
姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
IEEE Transactions on Electron Devices/69(2)/pp.637-643, 2022-02 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
姚 凱倫; 加藤史樹; 田中聡; 原田信介; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.297-300, 2022-05 - 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第7回講演会 予稿集/pp.61-62, 2020-12 - Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
第67回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.12-098, 2020-03 - On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野 裕司; 岩室憲幸
第67回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.12-261, 2020-03 - SiC-MOSFETのユニバーサル移動度の調査に基づく反転層電子の散乱機構の把握
大橋 輝之; 飯島 良介; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第7回講演会 予稿集/pp.71-72, 2020-12 - more...
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