YANO Hiroshi

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Conference, etc.

• Characterization of SiC MOS structures using p-channel devices
  Yano Hiroshi
  The 10th Asia-Pasific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2022)/2022-11-13--2022-11-18
• 1.2 kV 耐圧 SiC トレンチ MOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析
  北村雄大; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  電気学会電子デバイス研究会/2023-03-27--2023-03-27
• SBD 内蔵 SiC トレンチ MOSFET におけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析
  北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  令和5年電気学会全国大会/2023-03-15--2023-03-17
• SBD占有面積割合の異なる1.2kV SBD内蔵SiC-MOSFETのUIS耐量解析
  柏佳介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  令和5年電気学会全国大会/2023-3-15--2023-3-17
• Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
  柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29
• Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
  北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29
• Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
  松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
  The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
• Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
  戸高駿希; 松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
  The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
• Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
  Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
  The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-5-22--2022-05-25
• Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
  Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
  The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25
• Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
  Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
  The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25
• 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討
  秋葉淳宏; 矢野 裕司
  第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26
• Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
  Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
  第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26
• 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析
  森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26
• 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価
  坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会　第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10
• モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討
  西城智哉; 岩室 憲幸; 矢野裕司
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会　第８回講演会/2021-12-09--2021-12-10
• 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析
  森海斗; 亀和田亮; 岩室 憲幸; 矢野裕司
  応用物理学会先進パワー半導体分科会　第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10
• TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析
  髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  令和4年電気学会全国大会/2022-03-21--2022-03-23
• Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
  姚　凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
  The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
• Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
  Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
  第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15
• On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
  岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野 裕司; 岩室憲幸
  第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15
• 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
  根本　宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10
• SiC-MOSFETのユニバーサル移動度の調査に基づく反転層電子の散乱機構の把握
  大橋　輝之; 飯島　良介; 矢野 裕司
  先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10
• 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価
  坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 矢野 裕司; 岩室憲幸
  先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10
• 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析
  松谷 優汰; 矢野 裕司
  第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-03-16--2021-03-19
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