Yano Hiroshi
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- 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 根本宏樹; 張旭芳; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.143-144, 2019-12 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-251, 2019-09 - SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性
辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司
第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-228, 2019-09 - Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties
Wei Fu; Xufang Zhang; Hiroshi Umishio; Aboulaye Traore; 矢...
第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-228, 2019-09 - 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-248, 2019-09 - Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement
Takeda Hironori; Sometani Mitsuru; Hosoi Takuji; Shimura ...
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Mo-P-29, 2019-09 - Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shin...
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Tu-3A-07LN, 2019-09 - The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study
Umeda Takahide; Kobayashi Takuma; Matsushita Yu-ichro; Hi...
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-1A-02, 2019-09 - Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
Higa Eito; Sometani Mitsuru; Harada Shinsuke; Yano Hiros...
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-1A-06, 2019-09 - Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuk...
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-P-30, 2019-09 - Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Th-P-52LN, 2019-09 - Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsu...
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-04, 2019-09 - Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Tu-2A-05, 2019-09 - Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本 光央; 原田 信介; 畠山 哲夫; Iwamuro Nori...
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-02, 2019-09 - The effect of biaxial stress on the carrier-transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
Fu W.; Ueda A.; Yano Hiroshi; Harada S.; Sakurai T.
Extended Abstracts of 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)/pp.735-736, 2019-9 - Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties
Fu Wei; Zhang Xufang; Umishio Hiroshi; Traore Aboulaye; Y...
Technical Digest of The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29)/pp.1708-1710, 2019-11 - SiC MOS Interface; What limits the channel mobility
Yano Hiroshi
Extended Abstracts of 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF)/pp.112-113, 2019-11 - The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface
Terao Y.; Tsuji H.; Hosoi T.; Zhang X.; Yano Hiroshi; Shi...
Abstracts of 50th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2019)/p.6.18, 2019-12 - Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface
Umeda T.; Kobayashi T.; Sometani M.; Yano Hiroshi; Matsus...
Appl. Phys. Lett./116(7)/pp.071604-1-071604-5, 2020-02 - Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channel of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations
染谷満; 細井卓治; Hirai H.; Hatakeyama T.; Harada S.; Yano Hirosh...
Appl. Phys. Lett./115(13)/pp.132102-1-132102-5, 2019-09 - SiCパワーデバイス特有の信頼性課題 酸化膜および界面
矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 2018年度チュートリアル/pp.103-137, 2018-11 - Ba添加によるSiC MOSFET特性向上の起源の検討
藤田栄悟; 細井卓治; 染⾕満; 畠⼭哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司
第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-172, 2018-09 - 低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響
染⾕満; 細井卓治; 畠⼭哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司; 米澤喜幸; 奥村元
第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-171, 2018-09 - 4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性を引き起こす酸化膜トラップの空間分布
岡本光央; 染谷満; 原田信介; 矢野 裕司; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.281-282, 2018-11 - n型Si面4H-SiC MOSFETの閾値電圧とHall移動度の温度特性
本田達也; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.229-230, 2018-11 - more...
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