YANO Hiroshi
- Conference, etc.
- 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
松井 ケビン; 戸高 駿希; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
亀和田亮; 饗場 塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface
寺尾豊; 辻英徳; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01 - SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01 - 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価
比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 根本宏樹; 張旭芳; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21 - SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性
辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司
第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21 - Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties
Wei Fu; Xufang Zhang; Hiroshi Umishio; Aboulaye Traore; 矢...
第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21 - Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement
Takeda Hironori; Sometani Mitsuru; Hosoi Takuji; Shimura ...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shin...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study
Umeda Takahide; Kobayashi Takuma; Matsushita Yu-ichro; Hi...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
Higa Eito; Sometani Mitsuru; Harada Shinsuke; Yano Hiros...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuk...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsu...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - The effect of biaxial stress on the carrier-transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
Fu W.; Ueda A.; Yano Hiroshi; Harada S.; Sakurai T.
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)/2019-9-2--2019-9-5 - Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties
Fu Wei; Zhang Xufang; Umishio Hiroshi; Traore Aboulaye; Y...
The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29)/2019-11-4--2019-11-8 - SiC MOS Interface; What limits the channel mobility
Yano Hiroshi
2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF)/2019-11-18--2019-11-20 - The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface
Terao Y.; Tsuji H.; Hosoi T.; Zhang X.; Yano Hiroshi; Shi...
50th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2019)/2019-12-11--2019-12-14 - more...
- 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析