YANO Hiroshi
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- SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫; 増田健良; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.227-228, 2018-11 - 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因
染谷満; 細井卓治; 平井悠久; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.225-226, 2018-11 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.105-106, 2018-11 - Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光央; 張 旭芳; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.101-102, 2018-11 - 4H-SiC(0001) MOSFETの可動電子密度の温度依存性に基づくチャネル内電子伝導機構の考察
武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野 裕司; 渡部平司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.97-98, 2018-11 - 温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察
武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野 裕司; 渡部平司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会 予稿集/pp.225-228, 2019-01 - Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Har...
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会 予稿集/pp.221-224, 2019-01 - Influence of biaxial stress on the electron transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
W. Fu; A. Ueda; 矢野 裕司; S. Harada; T. Sakurai
第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.12-037, 2019-03 - Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
姚 凱倫; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.10-11, 2019-03 - SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.18-19, 2019-03 - SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
大川 雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.22-23, 2019-03 - SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.12-13, 2019-03 - Analysis of oxide traps causing threshold voltage instability in 4H-SiC MOSFETs via capture time map
Okamoto M.; Sometani M.; Harada S.; Yano Hiroshi; Okumura...
Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.MO.P.MI7, 2018-09 - Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0＿338(＿)), (112(＿)0) and {0001} and their Impacts on Electron Transport
Hatakeyama T.; Masuda T.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.WE.02b.06, 2018-09 - Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers
Sometani M.; Hosoi T.; Hatakeyama T.; Harada S.; Yano Hi...
Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.WE.02b.05, 2018-09 - Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷 満; 原田 信介; 張旭芳; Iwamuro Noriy...
Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.WE.02b.04, 2018-09 - Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
宏樹 根本; 岡本 大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原田 信介; Iwamuro ...
Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.We.P.MI6, 2018-09 - Demonstration of High Channel Mobility and Low Trapped Electron Density of SiO2/SiC (0-33-8) Interfaces
Masuda T.; Hatakeyama T.; Harada S.; Yano Hiroshi
Ext. abstract of 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)/pp.249-250, 2018-09 - Stress at Interface of SiO2/4H-SiC Studied by Confocal Raman Microscopy
Fu W.; Kobayashi A.; Yano Hiroshi; Harada S.; Sakurai T.
Ext. abstract of 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)/pp.313-314, 2018-09 - SiC酸化膜界面への窒素、リン、ホウ素添加による界面特性改善効果
矢野 裕司
工業材料/67(1)/pp.63-68, 2019-01 - Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/pp.167-170, 2019-05 - Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
凱倫 姚; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/pp.187-190, 2019-05 - Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/pp.23-26, 2019-05 - First Demonstration of Short-Circuit capability for a 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
IEEE Journal of Electron Devices Society/7(1)/pp.613-620, 2019-06 - Demonstration and analysis of channel mobility, trapped electron density and Hall effect at SiO2/SiC (0(3)over-bar3(8)over-bar) interfaces
Masuda Takeyoshi; Hatakeyama Tetsuo; Harada Shinsuke; Yan...
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/58(SB)/pp.SBBD04-1-SBBD04-5, 2019-04 - more...
- SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果