YANO Hiroshi
- Articles
- Investigation of stress at SiO
Fu Wei; Kobayashi Ai; Yano Hiroshi; Ueda Akiko; Harada S...
Jpn. J. Appl. Phys./58(SB)/pp.SBBD03-1-SBBD03-5, 2019-04 - Anomalous carbon clusters in 4H-SiC/SiO2 interfaces
Kagoyama Y.; Okamoto M.; Yamasaki T.; Tajima N.; Nara J....
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/125(6)/pp.065302-1-065302-8, 2019-02 - Impact of crystal faces of 4H-SiC in SiO2/4H-SiC structures on interface trap densities and mobilities
Hatakeyama Tetsuo; Masuda Teruyoshi; Sometani Mitsuru; ...
APPLIED PHYSICS EXPRESS/12(2)/pp.201003-1-201003-5, 2019-02 - Insight into enhanced field-effect mobility of 4H-SiC MOSFET with Ba incorporation studied by Hall effect measurements
Fujita Eigo; Sometani Mitsuru; Hatakeyama Tetsuo; Harada ...
AIP ADVANCES/8(8)/pp.085305-1-085305-6, 2018-08 - Hole Trapping in SiC-MOS Devices Evaluated by Fast-CV Method
M. Hayashi; M. Sometani; T. Hatakeyama; 矢野 裕司; S. Harada
Extended abstract of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.695-696, 2017-09 - Characterization of Traps at SiO2/SiC (000-1) near the Conduction Band Edge by Using Hall Effect Measurements
Hatakeyama T.; Kiuchi Y.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
Extended abstracts of the 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related materials/p.TU.B1.2, 2017-09 - Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions
Sometani Mitsuru; Okamoto Mitsuo; Hatakeyama Tetsuo; Iwah...
Extended abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.687-688, 2017-09 - Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsu...
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.145-146, 2017-11 - Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani M...
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.149-150, 2017-11 - 三次元アトムプローブを用いたSiO2/SiC界面窒素の評価
山田敬一; 藤掛伸二; 岩橋洋平; 原田信介; 矢野 裕司; 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-003, 2017-09 - Analysis of interface characteristics on p-type SiC MOS capacitors by conductance method
唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-009, 2017-09 - 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-007, 2017-09 - Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-005, 2017-09 - 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響
木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-011, 2017-09 - Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.57-58, 2017-11 - Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.261-262, 2017-11 - 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.177-178, 2017-11 - 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響
木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.253-254, 2017-11 - Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第23回研究会 講演予稿集/pp.199-202, 2018-01 - メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討
北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室 憲幸
平成30年電気学会全国大会講演論文集/p.4-011, 2018-03 - Stress distribution at SiO2/4H-SiC interface studied by Confocal Raman Microscopy
W. Fu; A. Kobayashi; 矢野 裕司; S. Harada; T. Sakurai
第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-166, 2018-03 - Analysis of conduction mechanism of leakage current in thermally grown oxide
根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-282, 2018-03 - Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-172, 2018-03 - Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Strates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates
Y. Kiuchi; Sometani M.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Harada ...
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.151-152, 2017-11 - SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術
矢野 裕司
半導体信頼性技術ガイドラインセミナー, 2017-11 - more...
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