YANO Hiroshi

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• Investigation of Maximum Junction Temperature for 4H-SiC MOSFET during Unclamped Inductive Switching Test
  安 俊傑; 生井 正輝; 岡本 大; 矢野 裕司; 只野 博; 岩室 憲幸
  IEEJ Transaction of EIS/137(2)/pp.216-221, 2017
  
  CiNii
• 相補型インバータ向け縦型SiC-pMOSFETの検討
  奥田 一真; 磯部 高範; 矢野 裕司; 岩室 憲幸; 只野 博
  Journal of the Japan Institute of Power Electronics/40/pp.238-238, 2015-03
  
  CiNii