OKUMURA Hironori

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Talks
  • 窒化アルミニウムおよび酸化ガリウムの結晶成長からトランジスタ作製まで
    奥村 宏典
    2019年度 第3回エネルギーマネージメント・材料デバイス技術分科会/2019-07-19--2019-07-19
  • Crystal growth and devices for wide band-gap semiconductors over 5 eV
    Okumura Hironori
    Ohio State Univeristy, Seminar/2019-03-18--2019-03-18
  • 省エネに向けた新規パワーデバイス材料に関する研究
    奥村 宏典
    産学連携シンポジウム/2019-03-15--2019-03-15
  • 新規パワーデバイス用材料に関する研究
    奥村 宏典
    Nanotech expo 2019/2019-01-30--2019-02-01
  • High-power devices using ultra wide bandgap semiconductors
    Okumura Hironori
    University of California, Santa Barbara, Seminar/2018-03-20--2018-3-20
  • これまでの半導体とこれからの半導体
    奥村 宏典
    ボストン日本人研究者交流会/2018-03-17--2018-03-17
  • 高濃度Mgドーピングによるp型GaN層の接触抵抗の低減
    奥村 宏典
    筑波大学数理物質系 専攻セミナー/2016-04-01--2016-04-01
  • 垂直共振器面発光レーザー応用に向けたGaN層のトンネル接合
    奥村 宏典
    東京大学生産技術研究所 セミナー/2016-03-30--2016-03-30
  • 高濃度 Mg ドーピングを行った p 型 GaN 層の低い接触抵抗
    奥村 宏典
    京都大学大学院工学研究科 セミナー/2016-03-29--2016-03-29
  • P-Type Doping Control of Mg-doped AlGaN for deep-UV LEDs
    Okumura Hironori; Yoshitaka Taniyasu; Hideki Yamamoto
    Aalto University seminer/2015-09-14--2015-09-14
  • New Devices using Wide-Bandgap Semiconductors
    Okumura Hironori
    3rd Meeting of Japanese young scientists in EU/2015-08-29--2015-08-29
  • AlGaN growth using PAMBE and MOVPE
    Okumura Hironori
    EPFL seminar/2015-04-15