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佐々木 正洋(ササキ マサヒロ; Sasaki, Masahiro)

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論文
  • 尖鋭構造を持たない炭素膜からの電界放出
    堀江 翔太; 麻薙 健; 明神 拓真; 山田 洋一; 佐々木 正洋
    表面科学学術講演会要旨集/35/p.366, 2015
  • 単分子層の構造制御に基づく高配向性picene分子膜作製
    坪井 大夢; 佐々木 正洋; 山田 洋一
    表面科学学術講演会要旨集/35/p.419, 2015
  • 超音速H_2分子線による曲率を有する炭素系低分子と水素との反応計測
    生津 達也; 國原 淳; 庄司 陸人; 山田 洋一; 佐々木 正洋
    表面科学学術講演会要旨集/35/p.375, 2015
  • 分子レベル構造制御によるAu(111)上DNTT単分子膜の電子状態の変調
    長谷川 友里; 細貝 拓也; 若山 裕; K.R. Koswattage; 山田 洋...
    表面科学学術講演会要旨集/35/p.90, 2015
  • 室温Pd(110)の水素吸蔵過程におけるHe原子線散乱計測
    生津 達也; 庄司 陸人; 前田 拓郎; 冨永 正人; 宮城 良世; 山...
    表面科学学術講演会要旨集/36/p.291, 2016
  • エミッタ先端に吸着したC60分子からの電界電子放出
    安達 学; 西山 裕二; 麻薙 健; 明神 拓真; 山田 洋一; 佐々木...
    表面科学学術講演会要旨集/36/p.288, 2016
  • Si(111)-(√7×√3)-In表面へのアクセプター分子およびドナー原子の吸着による電子状態、電気伝導変調
    角 直也; 長谷川 友里; 山田 洋一; 佐々木 正洋; 吉澤 俊介; ...
    表面科学学術講演会要旨集/36/p.350, 2016
  • 六方晶窒化ホウ素上のCoナノ粒子の垂直磁気異方性
    渡邉 貴弘; 山田 洋一; 佐々木 正洋; 小出 明広; 圓谷 志郎; ...
    表面科学学術講演会要旨集/36/p.397, 2016
  • 尖鋭構造を持たない炭素膜からの電界放出
    堀江 翔太; 麻薙 健; 明神 拓真; 樋口 敏春; 山田 洋一; 佐々...
    Journal of the Vacuum Society of Japan/60(1)/pp.13-17, 2017
  • カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討(第3報)(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
    樋口 敏春; 佐々木 正洋; 堀江 翔太; 山田 洋一; 松本 修二; ...
    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス/114(262)/pp.1-6, 2014-10
  • On the mechanism of improvement of field emission properties of carbon-coated field emitters
    Higuchi Toshiharu; Sasaki Masahiro; Horie Shota; Yamada Y...
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B/33(3), 2015-05
  • One-Dimensional Nanotemplate Structure of a Si(110) Substrate
    Yokoyama Yuta; Asaoka Hidehito; Sinsarp Asawin; Sasaki Ma...
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology/10/pp.509-512, 2012
  • On the Mechanism of Improvement of Field Emission Properties of Carbon Coated Field Emitters
    Higuchi Toshiharu; Sasaki Masahiro; Hone Shota; Yamada Yo...
    2014 27TH INTERNATIONAL VACUUM NANOELECTRONICS CONFERENCE (IVNC), 2014
  • In situ synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study of the oxidation of the Ge(100)-2 x 1 surface by supersonic molecular oxygen beams
    Yoshigoe Akitaka; Teraoka Yuden; Okada Ryuta; Yamada Yoic...
    JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS/141(17), 2014-11
  • カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討(第1報)
    樋口 敏春; 佐々木 正洋; 遠藤 俊宏; 堀江 翔太; 山田 洋一; ...
    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス/112(303)/pp.1-6, 2012-11
  • The determination of the thickness of the silicon oxide by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy (SR-XPS) analysis
    Sasaki Masahiro
    Measurement Science and Technology/22/p.024007, 2010-12
  • Microscopic study of the work function reduction induced by Cs-adsorption(共著)
    Sinsarp; Y. Yamada; M. Sasaki; S. Yamamoto
    Jpn. j. Appl. Phys/pp.42(7)4882-4886, 2003-01
  • UV absorption spectra of adlayers of trimethylgallium and arsine (共著)
    佐々木 正洋
    Japanese Journal of Applied Physics/28/p.L131, 1989-01
  • UV absorption spectra of adllayers of MOCVD source gases (共著)
    佐々木 正洋
    Applied Surface Science/41,42/p.42/,342, 1989-01
  • GaAs atomic layer epitaxy using KrF excimer laser (共著)
    佐々木 正洋
    Japanese Journal of Applied Physics/28/p.L1439, 1989-01
  • KrF eximer laser irradiation effect of GaAs atomic layer epitaxy (共著)
    Hironori Ishikawa; Yoshito Kawakyu; Masahiro Sasaki; and ...
    Japanese Journal of Applied Physics/28/p.L2327-L2329, 1989-01
  • Thermal decomposition of trimethylgallium on variously reconstructed GaAs (111) B surfaces (共著)
    佐々木 正洋
    Applied Physics Letters/59/p.2538, 1991-01
  • Large difference in the decomposition rate of metalorganics between on As-and Ga-saturated GaAs (111) B surfaces (共著)
    佐々木 正洋
    Journal of Crystal Growth/115/p.226, 1991-01
  • In-situ selective area epitaxy of a GaAs-based heterostructure using a GaAs oxide layer as a mask (共著)
    佐々木 正洋
    Journal of Crystal Growth/115/p.74, 1991-01
  • Trimethylgallium reaction on As-stabilized and Ga-stabilized GaAs (100) surfaces (共著)
    佐々木 正洋
    Japanese Journal of Applied Physics/31/p.L1313, 1992-01