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梅田 享英(ウメダ タカヒデ; Umeda, Takahide)

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会議発表等
  • 4H-SiC MOSFETにおける単一発光欠陥の界面酸化プロセス依存性の共焦点顕微鏡評価
    阿部 裕太; 岡本 光央; 小杉 亮治; 原田 信介; 波多野 睦子; ...
    第77回応用物理学会学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
  • 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価
    梅田 享英
    電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会/2013-06-18
  • 電流検出ESRによる C面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察
    梅田 享英; 荒井亮; 佐藤嘉洋; 岡本光央; 原田信介; 小杉亮治...
    第74回応用物理学会秋季学術講演会/2013-09-16--2013-09-20
  • シリコンカーバイド(4H-SiC)中の格子欠陥の評価:電子スピン共鳴(ESR)法と、第一原理計算の対応
    梅田 享英
    第24回格子欠陥フォーラム/2014-09-10--2014-09-11
  • 4H-SiC MOS界面窒化処理における窒素ドーピングのESR定量
    梅田 享英; 佐藤嘉洋; 佐久間由貴; 小杉亮治
    第75回応用物理学会秋季学術講演会/2014-09-17--2014-09-20
  • Defects in 4H-SiC MOSFETs studied by capacitively detected magnetic resonance
    Y. Kagoyama; Umeda Takahide; M. Okamoto; R. Kosugi; S. Ha...
    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)/2014-09-21--2014-09-25
  • Nitrogen doping to channel regions of 4H-SiC MOSFETs characterized by electron spin resonance
    Umeda Takahide; Y. Sato; R. Kosugi; M. Okamoto; S. Harada...
    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)/2014-09-21--2014-09-25
  • 4H-SiC中の空孔欠陥と水素の反応と、水素複合欠陥のESR評価
    棚井創基; 村上功樹; 奥田貴史; 須田淳; 木本恒暢; 小杉亮治;...
    第62回応用物理学会春季学術講演会/2015-03-11--2015-03-14
  • Electrically detected magnetic resonance (EDMR) study on interface defects in C-face 4H-SiC metal-oxide-semi-conductor field effect transistors
    G. W. Kim; S. J. Ma; R. Arai; 岡本光央; 原田信介; 牧野高...
    第62回応用物理学会春季学術講演会/2015-03-11--2015-03-14
  • 容量検出型電子スピン共鳴分光法による4H-SiC MOSFETの結晶欠陥の測定
    鹿児山陽平; 岡本光央; 小杉亮治; 原田信介; 牧野高紘; 大島...
    第62回応用物理学会春季学術講演会/2015-03-11--2015-03-14
  • ESR study on hydrogen passivation of intrinsic defects in p-type and semi-insulating 4H-SiC
    K. Murakami; S. Tanai; T. Okuda; J. Suda; T. Kimoto; Umed...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015)/2015-10-04--2015-10-09
  • An interfacial defect complex (the P8/9 centers) in C-face 4H-SiC MOSFET studied by electrically detected magnetic resonance
    Umeda Takahide; R. Arai; M. Okamoto; R. Kosugi; S. Harada
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015)/2015-10-04--2015-10-09
  • Microscopic difference between dry and wet oxidations of C-face 4H-SiC MOSFFETs studied by electrically detected magnetic resonance
    Y. Kagoyama; M. Okamoto; S. Harada; R. Arai; Umeda Takahide
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015)/2015-10-04--2015-10-09
  • Electrically detected magnetic resonance study on interface defects responsible for threshold-voltage shift in C-face 4H-SiC MOSFETs
    Umeda Takahide; R. Arai; S. J. Ma; G. W. Kim; M. Okamoto;...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015)/2015-10-04--2015-10-09
  • 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察
    梅田 享英; 阿部裕太; Y. W. Zhu; 岡本光央; 小杉亮治; 原田...
    第63回応用物理学春季学術講演会/2016-03-19--2016-03-22
  • エピタキシャル基板を使用した4H-SiC MOS窒化界面のESR評価
    梅田 享英; 鹿児山陽平; 奥田貴史; 須田淳; 木本暢恒; 小杉亮...
    第63回応用物理学春季学術講演会/2016-03-19--2016-03-22
  • C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance
    T. Umeda; M. Okamoto; R. Arai; Y. Satoh; R. Kosugi; S. Ha...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2013/2013-09-30--2013-10-04