現在地

梅田 享英(ウメダ タカヒデ; Umeda, Takahide)

研究者情報全体を表示

一般講演
  • 電子スピン共鳴分光と第一原理計算による4H-SiC中の格子間炭素欠陥の同定
    梅田享英; 磯谷順一; 森下憲雄; 大島武; 伊藤久義; A. Gali
    第69回応用物理学学術講演会/2008-09-02
  • 4H-SiC MOSFET界面の電流検出電子スピン共鳴分光(EDMR)評価
    梅田享英; 江嵜加奈; 磯谷順一; 小杉亮治; 福田 憲司; 森下憲...
    第70回応用物理学会学術講演会/2009-09-11
  • シリコン中のフッ素-空孔欠陥の電子スピン共鳴観察
    梅田享英; 磯谷順一; 大島武; 小野田忍; 森下憲雄
    第57回応用物理学関係連合講演会/2010-03-20
  • フッ素注入による欠陥制御を行ったDRAMセルの電子スピン共鳴分光評価
    大崎純一; 梅田享英; 小此木堅祐; 大湯静憲
    第68回応用物理学会学術講演会/2007-09-02
  • Roles of nitrogen in SiC-SiO2 interface system studied by EDMR/ESR and other spectroscopic techniques
    T. Umeda; R. Kosugi; Y. Sakuma; Y. Satoh; M. Okamoto; S. ...
    2012 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting/2012-04-10
  • Electrically detected magnetic resonance (EDMR) study of SiC-SiO2 interfaces
    T. Umeda; R. Kosugi; K. Fukuda; N. Morishita; T. Ohshima
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2011/2011-09-15
  • ESR/EDMR測定と界面構造解析
    梅田享英
    第40回薄膜・表面物理基礎講座(2011年)「ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向」/2011-11-10
  • EDMR分光法によるシリコンMOSFET内部の結晶欠陥観察~トランジスタの中で欠陥は何をしているのか?
    梅田享英
    応用物理学会シリコンテクノロジー第146回研究集会/2012-03-09
  • SiC MOSFET界面での水素・窒素の役割と、炭素由来の界面欠陥:電流検出ESRからの知見
    梅田享英; 小杉亮治; 福田憲司; 大島武; 森下憲雄; 江嵜加奈;...
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会/2010-10-22