現在地

末益 崇(スエマス タカシ; Suemasu, Takashi)

研究者情報全体を表示

研究課題
マイクロチャネルエピタキシーによる赤外線受光用大粒径鉄シリサイド膜2009 -- 2011末益 崇日本学術振興会/基盤研究(B)16,510,000円
シリサイド半導体の禁制帯幅拡大と伝導型制御による高効率太陽電池         2006 -- 2008末益 崇日本学術振興会/基盤研究(B)13,980,000円
アルカリ土類金属を用いたシリコンベース狭ギャップ半導体             2006 -- 2007末益 崇日本学術振興会/萌芽研究2,700,000円
アルカリ土類金属を用いた新しいシリコン系半導体の探探2004 -- (現在)末益 崇日本学術振興会/萌芽的研究3,400,000円
半導体鉄シリサイドを用いた室温動作赤外発光ダイオードの作製2002 -- (現在)末益 崇日本学術振興会/基盤研究(B)5,100,000円
半導体鉄シリサイドを用いた光配線用赤外発光ダイオードの研究開発2002 -- (現在)末益 崇日本学術振興会/若手研究(B)2,100,000円
直接遷移型半導体β-FeSi_2を用いたSi上発光ダイオードの研究開発2000 -- (現在)末益 崇日本学術振興会/奨励研究(A)2,000,000円
シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究1999 -- (現在)末益 崇日本学術振興会/特定領域研究(A)2,100,000円
直接遷移型半導体β-FeSizを用いたシリコン系発光素子の研究開発1998 -- (現在)末益 崇日本学術振興会/奨励研究(A)2,000,000円
シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究1998 -- (現在)末益 崇日本学術振興会/特定領域研究(A)1,800,000円