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岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ; Iwamuro, Noriyuki)

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論文
  • Zソースインバータにおける負荷短絡を考慮したインピーダンスソースの設計
    高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会, 2019-03
  • Zソースインバータの負荷短絡時の電流遮断能力の検討
    高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
    半導体電力変換/モータドライブ合同研究会, 2018-09
  • Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
    大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕...
    Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/pp.167-170, 2019-05
  • Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
    凱倫 姚; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/pp.187-190, 2019-05
  • Recent Progress of SiC-MOSFETs and Their Futures
    Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of International Conference on Electronic Packageing 2019/pp.260-264, 2019-04
  • Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
    饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/pp.23-26, 2019-05
  • Recent Progress of SiC MOSFET Devices
    Iwamuro Noriyuki
    Material Science Forum/954/pp.90-98, 2019-05
  • First Demonstration of Short-Circuit capability for a 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
    大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    IEEE Journal of Electron Devices Society/7(1)/pp.613-620, 2019-06
  • 最新パワー半導体デバイスの開発動向
    岩室 憲幸
    エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集/29/pp.484-486, 2015
  • 相補型インバータにおけるSiC-pMOSFETの性能に対する電圧利用率の検討
    吉田 千恵; 磯部 高範; 岩室 憲幸; 只野博
    平成30年電気学会全国大会, 2018-03
  • Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
    Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
    Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.145-146, 2017-11
  • Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mi...
    Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.149-150, 2017-11
  • コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-009, 2017-09
  • Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-005, 2017-09
  • Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.57-58, 2017-11
  • コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.261-262, 2017-11
  • Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第23回研究会 講演予稿集/pp.199-202, 2018-01
  • メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討
    北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    平成30年電気学会全国大会講演論文集/p.4-011, 2018-03
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 畠山 哲夫; 原田 ...
    第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-282, 2018-03
  • Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
    X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
    第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-172, 2018-03
  • Methodology for Enhanced Short-Circuit capability of SiC MOSFETs
    An Junjie; Namai Masaki; Yano Hiroshi; Kobayashi Yusuke; ...
    Proceedings of the 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/pp.391-394, 2018-05
  • Investigation of short-circuit failure mechanisms of SiC MOSFETs by varying DC bus voltage
    Namai M.; An J.; Yano Hiroshi; Iwamuro N.
    Jpn. J. Appl. Phys./57(7)/pp.074102-1-074102-10, 2018-07
  • Investigation of short-circuit failure mechanisms of SiC MOSFETs by varying DC bus voltage
    Namai Masaki; An Junjie; Yano Hiroshi; Iwamuro Noriyuki
    Japanese Journal of Applied Physics/57(7月)/pp.074102-074111, 2018-06
  • Correction of IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects
    Iwamuro Noriyuki; Laska Thomas
    IEEE Transaction on Electron Devices/65(6)/pp.2675-2675, 2018-06
  • Methodology for Enhanced Short-Circuit Capability of SiC MOSFETs
    An Junjie; Namai Masaki; Yano Hiroshi; Iwamuro Noriyuki; ...
    Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD)/pp.391-394, 2018-05