岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ; Iwamuro, Noriyuki)

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会議発表等

• メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討
  北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室 憲幸
  平成30年電気学会全国大会/2018-03-14--2018-03-16
• Experimental demonstration on ultra-high voltae and high speed 4H-SiC DSRD with smaller numbers of die stacks for pulse power applications
  Goto Taiga; Shirai Takuma; Tokuchi Akira; Naito Takashi; ...
  International Conference of Silicon Carbide and Related Materials 2017/2017-09-16--2017-09-22
• Methodology for Enhanced Short-Circuit capability of SiC MOSFETs
  An Junjie; Namai Masaki; Yano Hiroshi; Kobayashi Yusuke; ...
  30th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/2018-05-13--2018-05-17
• Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
  X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
  第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20
• pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
  根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 畠山 哲夫; 原田 ...
  第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20
• Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
  張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
  第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会/2018-01-18--2018-01-20
• Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
  張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
  第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
• コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
  唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
  先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
• Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
  張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
  先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
• コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析
  唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
  第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
• Recent Progress of Power Semiconductor Devices and Their Futures
  Iwamuro Noriyuki
  IEEE-CPMT Symposium Japan (ICSJ)/2017-11-20--2017-11-22
• 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
  唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; ...
  第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
• 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性の周波数依存性
  王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司
  第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
• A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
  Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Sometani M.; Hara...
  第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
• A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
  Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Sometani M.; Hara...
  47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2016)/2016-12-07--2016-12-10
• 直列抵抗を考慮したインピーダンス測定によるSiC MOS界面解析
  岡本大; 張旭芳; 畠山哲夫; 染谷満; 原田信介; 小杉亮治; 岩...
  第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
• 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
  唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; ...
  先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09
• Quantitative estimation of near-interface traps with distributed circuit model for 4H-SiC MOS capacitors
  Zhang Xufang; 岡本大; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mitsuru...
  先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09
• チャージポンピング法による4H-SiC MOSFET の界面近傍酸化膜欠陥の解析
  王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司
  先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09
• Verification of Modified Distributed Circuit Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Interface
  Zhang Xufang; 岡本大; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mitsuru...
  電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－　第22回研究会/2017-01-20--2017-01-21
• 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性
  王緒昆; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野裕司
  第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17
• SiC MOSFETのホール移動度の温度依存性
  天野貴章; 岡本大; 原田信介; 畠山哲夫; 岩室憲幸; 矢野裕司
  第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17
• Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications
  An J.; Namai M.; Tanabe M.; Okamoto D.; Yano Hiroshi; Iwa...
  International Electron Device Meeting 2016 (IEDM2016)/2016-12-03--2016-12-07
• Experimental and Numerical Demonstration and Optimized Methods for SiC Trench MOSFET Short-Circuit Capability
  Namai M.; An J.; Yano Hiroshi; Iwamuro N.
  The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2017)/2017-05-29--2017-06-01
• 試作SiC-pチャネルMOSFETを適用したフル-SiC相補型インバータの実機検証
  奥田 一真; 高嶋 薫; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
  平成29年 電気学会全国大会/2017-03-15--2017-03-17

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