現在地

岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ; Iwamuro, Noriyuki)

研究者情報全体を表示

会議発表等
  • Recent Progress of SiC-MOSFETs and Competition with state-of-the-art Si-IGBTs
    Iwamuro Noriyuki
    National Tsing Hua University (Taiwan)/2019-05-27
  • Power Semicouductor Devices and Their Future
    岩室 憲幸
    Int. Symp. Semiconductor Technology Innovation for Next Distinguished Evolutional World 2019/2019-9-5
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4
  • Si, SiC, GaNパワーデバイスの開発動向と課題
    岩室 憲幸
    2018エレクトロニクス実装学会 最先端実装技術シンポジウム/2018-06-07--2018-06-07
  • Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
    X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Hara...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26
  • Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
    大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕...
    The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
  • Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
    饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
  • Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
    凱倫 姚; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 ...
    先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
    周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光...
    先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • Zソースインバータにおける負荷短絡を考慮したインピーダンスソースの設計
    高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • Zソースインバータの負荷短絡時の電流遮断能力の検討
    高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
    半導体電力変換/モータドライブ合同研究会/2018-09-06--2018-09-07
  • Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
    Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷 満; 原田 信介; 張...
    European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    宏樹 根本; 岡本 大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原...
    12th European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Recent Progress of SiC-MOSFETs and Competition with state-of-the-art Si-IGBTs (Keynote Speech)
    Iwamuro Noriyuki
    WiPDA-Asia/2019-05-23--2019-05-25
  • Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
    姚 凱倫; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析
    金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕...
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
    饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
    大川 雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • State-of-the-art and Future Prospective of Si-IGBT Technologies,
    Iwamuro Noriyuki
    The 4th Int. Academic Forum of China IGBT Technology Innovation and Industry Alliance/2018-11-06--2018-11-06
  • Recent Progress of SiC MOSFET Devices (Planary talk)
    Iwamuro Noriyuki
    Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2018/2018-07-09--2018-07-12
  • 相補型インバータにおけるSiC-pMOSFETの性能に対する電圧利用率の検討
    吉田 千恵; 磯部 高範; 岩室 憲幸; 只野博
    平成30年電気学会全国大会/2018-03-14--2018-03-16
  • Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors
    Karamoto Yuki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
    International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology (IWDTF)/2017-11-20--2017-11-22
  • パワー半導体デバイス~日本に残すべき体系的パワエレ技術~
    岩室憲幸
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第22回研究会/2017-1-20--2017-01-22
  • Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
    Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
    International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017)/2017-11-20--2017-11-22