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岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ; Iwamuro, Noriyuki)
研究者情報全体を表示
- 会議発表等
- TCADを用いた最先端SiCトレンチMOSFETの破壊メカニズム解析
岩室 憲幸
シノプシスSEGセミナー2019/2019-10-9 - Device Design and Characteristics of SiC MOSFETs
Iwamuro Noriyuki
ICSCRM 2019 Tutorial/2019-09-30 - Recent Progress of SiC-MOSFETs and Competition with state-of-the-art Si-IGBTs
Iwamuro Noriyuki
National Tsing Hua University (Taiwan)/2019-05-27 - Power Semicouductor Devices and Their Future
岩室 憲幸
Int. Symp. Semiconductor Technology Innovation for Next Distinguished Evolutional World 2019/2019-9-5 - Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4 - Si, SiC, GaNパワーデバイスの開発動向と課題
岩室 憲幸
2018エレクトロニクス実装学会 最先端実装技術シンポジウム/2018-06-07--2018-06-07 - Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Hara...
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26 - Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕...
The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23 - Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23 - Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
凱倫 姚; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 ...
先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07 - Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光...
先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07 - Zソースインバータにおける負荷短絡を考慮したインピーダンスソースの設計
高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14 - Zソースインバータの負荷短絡時の電流遮断能力の検討
高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
半導体電力変換/モータドライブ合同研究会/2018-09-06--2018-09-07 - Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷 満; 原田 信介; 張...
European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06 - Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
宏樹 根本; 岡本 大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原...
12th European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06 - Recent Progress of SiC-MOSFETs and Competition with state-of-the-art Si-IGBTs (Keynote Speech)
Iwamuro Noriyuki
WiPDA-Asia/2019-05-23--2019-05-25 - Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
姚 凱倫; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14 - SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕...
平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14 - SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14 - SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
大川 雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14 - State-of-the-art and Future Prospective of Si-IGBT Technologies,
Iwamuro Noriyuki
The 4th Int. Academic Forum of China IGBT Technology Innovation and Industry Alliance/2018-11-06--2018-11-06 - Recent Progress of SiC MOSFET Devices (Planary talk)
Iwamuro Noriyuki
Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2018/2018-07-09--2018-07-12 - 相補型インバータにおけるSiC-pMOSFETの性能に対する電圧利用率の検討
吉田 千恵; 磯部 高範; 岩室 憲幸; 只野博
平成30年電気学会全国大会/2018-03-14--2018-03-16 - Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors
Karamoto Yuki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology (IWDTF)/2017-11-20--2017-11-22