現在地

岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ; Iwamuro, Noriyuki)

研究者情報全体を表示

知的財産権
  • •逆耐圧を有する縦型窒化ガリウム半導体装置
    岩室 憲幸
  • •半導体装置
    岩室 憲幸
  • •Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus
    岩室 憲幸
  • •Semiconductor device
    岩室 憲幸
  • •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof
    岩室 憲幸
  • •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    岩室 憲幸
  • •Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    岩室 憲幸
  • •Fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    岩室 憲幸
  • •Silicon carbide vertical field effect transistor
    岩室 憲幸
  • •電力変換装置
    岩室 憲幸
  • •電力変換装置
    岩室 憲幸
  • •縦型高耐圧装置の製造方法および縦型高耐圧半導体装置
    岩室 憲幸
  • •炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • •半導体装置
    岩室 憲幸
  • •縦型高耐圧装置および縦型高耐圧半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • •High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof
    岩室 憲幸
  • •Wide band gap semiconductor device and method for producing the same
    岩室 憲幸
  • •Semiconductor device
    岩室 憲幸
  • •Vertical high-voltage semiconductor device and fabrication method thereof
    岩室 憲幸
  • •High voltage semiconductor apparatus
    岩室 憲幸
  • •Wide band gap semiconductor device
    岩室 憲幸
  • 高耐圧半導体装置およびその製造方法
    岩室 憲幸; 原田信介
  • •炭化珪素半導体装置およびその製造方法
    岩室 憲幸
  • •炭化珪素半導体素子の製造方法
    岩室 憲幸
  • •Semiconductor Device With SiC Base Layer
    岩室 憲幸