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岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ; Iwamuro, Noriyuki)

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知的財産権
  • •Semiconductor Device
    岩室 憲幸
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof
    岩室 憲幸
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
    下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司
  • 電力変換装置
    磯部高範; 岩室憲幸; 只野博; 矢野 裕司
  • 電力変換装置
    磯部高範; 岩室憲幸; 只野博; 矢野 裕司
  • 前駆体溶液及び炭化シリコンを含有する層、並びに、パワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
    下田達也; 井上 聡; 増田 貴史; 村上 達也; 岩室 憲幸; 矢野 ...