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矢野 裕司(ヤノ ヒロシ; Yano, Hiroshi)

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論文
  • Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses
    Yao Kailun; 矢野裕司; 只野博; Iwamuro Noriyuki
    IEEE Transactions on Electron Devices/67(10)/pp.4328-4334, 2020-10
  • Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method
    Zhang Xufang; Matsumoto Tsubasa; Sakurai Ukyo; Makino Tos...
    CARBON/168/pp.659-664, 2020-10
  • Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
    Higa Eito; Sometani Mitsuru; Hirai Hirohisa; Yano Hiroshi...
    Applied Physics Letters/116(17)/pp.171602-1-171602-4, 2020-04
  • Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    Japanese Journal of Applied Physics/59(4)/pp.044003-1-044003-6, 2020-04
  • Dominant scattering mechanism in SiC MOSFET: comparative study of the universal mobility and the theoretically calculated channel mobility
    Ohashi Teruyuki; Iijima Ryosuke; Yano Hiroshi
    Jpn. J. Appl. Phys./59(3)/pp.034003-1-034003-10, 2020-03
  • The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface
    寺尾豊; 辻英徳; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第25回研究会 予稿集/pp.137-139, 2020-01
  • SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
    岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第25回研究会 予稿集/pp.97-100, 2020-01
  • 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価
    比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/pp.67-68, 2019-12
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.85-86, 2019-12
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.87-88, 2019-12
  • pチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
    周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.89-90, 2019-12
  • 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.143-144, 2019-12
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-251, 2019-09
  • SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性
    辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-228, 2019-09
  • Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties
    Wei Fu; Xufang Zhang; Hiroshi Umishio; Aboulaye Traore; ...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-228, 2019-09
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-248, 2019-09
  • Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement
    Takeda Hironori; Sometani Mitsuru; Hosoi Takuji; Shimura ...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Mo-P-29, 2019-09
  • Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shins...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Tu-3A-07LN, 2019-09
  • The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study
    Umeda Takahide; Kobayashi Takuma; Matsushita Yu-ichro; Hi...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-1A-02, 2019-09
  • Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
    Higa Eito; Sometani Mitsuru; Harada Shinsuke; Yano Hirosh...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-1A-06, 2019-09
  • Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
    Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuki...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-P-30, 2019-09
  • Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
    Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsuru...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Th-P-52LN, 2019-09
  • Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-04, 2019-09
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Tu-2A-05, 2019-09
  • Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
    岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-02, 2019-09