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矢野 裕司(ヤノ ヒロシ; Yano, Hiroshi)

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会議発表等
  • 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価
    比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
    周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
  • SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性
    辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
  • Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties
    Wei Fu; Xufang Zhang; Hiroshi Umishio; Aboulaye Traore; ...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
  • Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement
    Takeda Hironori; Sometani Mitsuru; Hosoi Takuji; Shimura ...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shins...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study
    Umeda Takahide; Kobayashi Takuma; Matsushita Yu-ichro; Hi...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
    Higa Eito; Sometani Mitsuru; Harada Shinsuke; Yano Hirosh...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
    Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuki...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
    Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsuru...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • The effect of biaxial stress on the carrier-transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
    Fu W.; Ueda A.; Yano Hiroshi; Harada S.; Sakurai T.
    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)/2019-9-2--2019-9-5
  • Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties
    Fu Wei; Zhang Xufang; Umishio Hiroshi; Traore Aboulaye; Y...
    The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29)/2019-11-4--2019-11-8
  • SiC MOS Interface; What limits the channel mobility
    Yano Hiroshi
    2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF)/2019-11-18--2019-11-20
  • The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface
    Terao Y.; Tsuji H.; Hosoi T.; Zhang X.; Yano Hiroshi; Shi...
    50th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2019)/2019-12-11--2019-12-14
  • Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
    岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-9-18--2019-9-21
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4
  • SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて
    矢野 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆
    SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム/2019-03-28--2019-03-29
  • 電力用半導体SiCのゲート酸化膜漏れ電流機構の解析
    矢野 裕司
    第16回環境研究シンポジウム「スマート社会と環境 豊かな暮らしと環境への配慮の両立を目指して」/2018-11-13
  • Characterization and Control of Interface Properties in SiC MOSFETs
    Yano Hiroshi
    2018 Joint Sympoium on Energy Materials Science and Technology/2018-03-08--2018-03-09