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岡本 大(オカモト ダイ; Okamoto, Dai)

研究者情報全体を表示

会議発表等
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
  • Characterization of Traps at SiO2/SiC (000-1) near the Conduction Band Edge by Using Hall Effect Measurements
    Hatakeyama T.; Kiuchi Y.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
    The 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)/2017-09-17--2017-09-22
  • Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
    Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
    International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017)/2017-11-20--2017-11-22
  • Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mi...
    International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017)/2017-11-20--2017-11-22
  • メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討
    北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    平成30年電気学会全国大会/2018-03-14--2018-03-16
  • Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions
    Sometani Mitsuru; Okamoto Mitsuo; Hatakeyama Tetsuo; Iwah...
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)/2017-09-19--2017-09-22
  • Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
    X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
    第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 畠山 哲夫; 原田 ...
    第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20
  • Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会/2018-01-18--2018-01-20
  • Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
  • Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
  • コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 4H-SiC熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野裕司; ...
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
  • ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野裕司; ...
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
  • 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
    唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; ...
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
  • 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性の周波数依存性
    王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
  • A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
    Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Sometani M.; Hara...
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
  • A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
    Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Sometani M.; Hara...
    47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2016)/2016-12-07--2016-12-10
  • 直列抵抗を考慮したインピーダンス測定によるSiC MOS界面解析
    岡本大; 張旭芳; 畠山哲夫; 染谷満; 原田信介; 小杉亮治; 岩...
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
  • 4H-SiC 熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の効果
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野裕司; ...
    先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09
  • 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
    唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; ...
    先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09
  • Quantitative estimation of near-interface traps with distributed circuit model for 4H-SiC MOS capacitors
    Zhang Xufang; 岡本大; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mitsuru...
    先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09
  • ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野裕司; ...
    先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09
  • チャージポンピング法による4H-SiC MOSFET の界面近傍酸化膜欠陥の解析
    王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司
    先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09