矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)

所属
数理物質系
職名
准教授
ORCID
0000-0001-7241-7014
研究分野
電子・電気材料工学
研究キーワード
SiC, MOS界面, MOSFET, パワーデバイス
研究課題
ＳｉＣ横型超接合パワーＭＯＳＦＥＴによるワンチップ相補型電力変換器の開発2022 -- (現在)矢野 裕司日本学術振興会/基盤研究(B)
低損失p型SiC超接合パワーMOSFETの基盤技術開発2016-04 -- 2020-03矢野 裕司日本学術振興会/科学研究費補助金　基盤研究(B)16,120,000円
異種原子導入によるSiC／絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新2011-04 -- 2014-03矢野 裕司日本学術振興会/科学研究費補助金　若手研究（B)4,420,000円
職歴
2013-12 -- (現在)筑波大学数理物質系　物理工学域准教授
2013-12 -- 2016-03奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科客員准教授
2007-04 -- 2013-11奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助教
2001-04 -- 2007-03奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助手
取得学位
2001-03博士(工学)京都大学
所属学協会
2011-01 -- (現在)IEEE
1998-03 -- (現在)応用物理学会
論文
  • ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会　予稿集/pp.105-106, 2023-11
  • SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
    松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会　予稿集/pp.103-104, 2023-11
  • 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会　予稿集/pp.101-102, 2023-11
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    令和6年電気学会全国大会　講演論文集/4(22)/pp.37-38, 2024-03
  • SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
    菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会　講演論文集/4(19)/pp.32-33, 2024-03
  • 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
    鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会　講演論文集/4(20)/pp.34-35, 2024-03-14
  • Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress
    Enjoji Yuya; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/p.Mo.C.11, 2023-09
  • Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique
    Akiba Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/p.C.1, 2023-09
  • チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための＋αの研究技術
    矢野 裕司
    応用物理/93(3)/pp.179-183, 2024-03
  • Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
    髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/pp.250-253, 2023-05
  • The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs
    Fu Wei; Yano Hiroshi; Sakurai Takeaki; Ueda Akiko
    APPLIED PHYSICS EXPRESS/16(8)/pp.081002-1-081002-6, 2023-08-01
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26
  • Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
    Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanak...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.109-112, 2022-05-22
  • Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
    Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harad...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116, 2022-05-22
  • Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
    柏佳介; 姚　凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116/pp.113-116, 2022-05-22
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26
  • AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第83回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.12-122, 2022-09-20
  • 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    第83回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.12-121, 2022-09-20
  • SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み
    矢野 裕司
    結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会資料/pp.22-28, 2022-10-21
  • モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　予稿集/pp.91-92, 2022-12-20
  • バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　予稿集/pp.75-75, 2022-12-20
  • 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価：酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　予稿集/pp.73-74, 2022-12-20
  • チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.12-095, 2023-03-15
  • さらに表示...
著書
  • SiC半導体
    矢野 裕司
    次世代パワー半導体の開発動向と応用展開/シーエムシー出版/pp.22-30, 2021-08
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor/Angel Business Communications publication/pp.47-50, 2017-06
会議発表等
  • ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01
  • SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
    松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01
  • 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16
  • Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress
    Enjoji Yuya; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22
  • Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique
    Akiba Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22
  • 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
    鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16
  • SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
    菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16
  • Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
    高橋光希; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2023)/2023-5-28--2023-6-1
  • Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
    凱倫 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22
  • Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
    北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵　武志; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22
  • Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
    柏佳介; 姚　凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22
  • AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23
  • 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23
  • SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み
    矢野 裕司
    結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会/2022-10-21
  • モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21
  • バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21
  • 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価：酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21
  • チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    第70回応用物理学会春季学術講演会/2023-03-15--2023-03-18
  • Characterization of SiC MOS structures using p-channel devices
    Yano Hiroshi
    The 10th Asia-Pasific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2022)/2022-11-13--2022-11-18
  • 1.2 kV 耐圧 SiC トレンチ MOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析
    北村雄大; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    電気学会電子デバイス研究会/2023-03-27--2023-03-27
  • SBD 内蔵 SiC トレンチ MOSFET におけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和5年電気学会全国大会/2023-03-15--2023-03-17
  • SBD占有面積割合の異なる1.2kV SBD内蔵SiC-MOSFETのUIS耐量解析
    柏佳介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和5年電気学会全国大会/2023-3-15--2023-3-17
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29
  • さらに表示...
知的財産権
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
    下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司
担当授業科目
2024-10 -- 2024-11電磁気学1筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究IIB筑波大学
2024-05 -- 2024-08電気回路筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IVB筑波大学
さらに表示...
学協会等委員
2023-04 -- (現在)SiCアライアンス技術・普及WG/グループリーダー
2022-11 -- 2023-03SiCアライアンス技術・普及WG/委員
2022-10 -- (現在)SSDM 2023プログラム委員会/JJAP特集号責任編集委員
2022-10 -- (現在)ICSCRM 2023プログラム委員会/委員
2022-09 -- (現在)ICSCRM国際運営委員会/委員
2022-07 -- 2023-03EDTM 2023プログラム委員会/委員
2022-01 -- (現在)SSDM 2022プログラム委員会/JJAP特集号責任編集委員
2021-12 -- 2022-10ICSCRM 2022プログラム委員会/委員
2021-07 -- 2022-03EDTM 2022プログラム委員会/委員
2021-04 -- (現在)応用物理学会APEX/JJAP編集委員
さらに表示...
学内管理運営業績
2021-04 -- 2022-03国際交流支援部門企画・審査委員会委員
2021-04 -- 2023-03学生担当教員
2020-04 -- 2022-03数理物質系共通施設委員会委員
2020-04 -- 2022-03パワエレ共用システム責任者
2019-04 -- 2021-03応用理工学類運営委員会運営委員
2020-04 -- 2021-03応用理工学類2年クラス担任
2019-04 -- 2020-03応用理工学類1年クラス担任
2018-04 -- 2020-03交通安全会理事

(最終更新日: 2024-05-08)