UMEDA Takahide
- Conference, etc.
- 電子スピン共鳴分光法から見たSiC-MOS界面欠陥と窒素・リンの関係
Umeda Takahide
先進パワー半導体分科会第2回個別討論会/2016-08-01--2016-08-01 - C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETの電流検出型電子スピン共鳴分光評価
鹿児山 陽平; 岡本 光央; 吉岡 裕典; 原田 信介; 山崎 隆浩; 大野 隆央; Umeda Takahide
先進パワー半導体分科会第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - ドライ酸化とウェット酸化で成長させた(0001)4H-SiC MOSFETの電流検出型電子共鳴分光を用いた酸化膜の比較
鹿児山 陽平; 岡本 光央; 吉岡 裕典; 原田 信介; 山崎 隆浩; 大野 隆央; Umeda Takahide
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETにおける界面炭素関連欠陥の面内分布解析
鹿児山 陽平; 岡本 光央; 吉岡 裕典; 原田 信介; 山崎 隆浩; 大野 隆央; Umeda Takahide
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - 電流検出ESRによるドライ酸化、窒化Si面SiC-MOSFET界面の比較
Umeda Takahide; Geonwoo Kim; 吉岡 裕典; 小杉 亮治; 原田 信介
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - ドライ酸化、窒化、POCl3処理Si面SiC-MOS界面の電子スピン共鳴分光
Geonwoo Kim; 奥田 貴史; 木本 恒暢; 須田 淳; 岡本 光央; 原田 信介; Umeda Tak...
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源の偏光角度依存性
阿部 裕太; 岡本 光央; 小野田 忍; 大島 武; 春山 盛善; 加田 渉; 花泉 修; 小杉 亮治; 原田 ...
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - 4H-SiC MOSFETにおける単一発光欠陥の酸化膜界面依存性の共焦点顕微鏡評価
阿部 裕太; 岡本 光央; 小杉 亮治; 原田 信介; 波多野 睦子; 岩崎 孝之; 小野田 忍; 春山 盛善; ...
先進パワー半導体分科会第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - 4H-SiC MOSFETにおける単一発光欠陥の界面酸化プロセス依存性の共焦点顕微鏡評価
阿部 裕太; 岡本 光央; 小杉 亮治; 原田 信介; 波多野 睦子; 岩崎 孝之; 小野田 忍; 春山 盛善; ...
第77回応用物理学会学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価
梅田 享英
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会/2013-06-18 - 電流検出ESRによる C面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察
梅田 享英; 荒井亮; 佐藤嘉洋; 岡本光央; 原田信介; 小杉亮治; 奥村元; 牧野高紘; 大島武
第74回応用物理学会秋季学術講演会/2013-09-16--2013-09-20 - シリコンカーバイド（4H-SiC）中の格子欠陥の評価：電子スピン共鳴（ESR）法と、第一原理計算の対応
梅田 享英
第24回格子欠陥フォーラム/2014-09-10--2014-09-11 - 4H-SiC MOS界面窒化処理における窒素ドーピングのESR定量
梅田 享英; 佐藤嘉洋; 佐久間由貴; 小杉亮治
第75回応用物理学会秋季学術講演会/2014-09-17--2014-09-20 - Defects in 4H-SiC MOSFETs studied by capacitively detected magnetic resonance
Y. Kagoyama; Umeda Takahide; M. Okamoto; R. Kosugi; S. Harada...
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)/2014-09-21--2014-09-25 - Nitrogen doping to channel regions of 4H-SiC MOSFETs characterized by electron spin resonance
Umeda Takahide; Y. Sato; R. Kosugi; M. Okamoto; S. Harada; H. ...
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)/2014-09-21--2014-09-25 - 4H-SiC中の空孔欠陥と水素の反応と、水素複合欠陥のESR評価
棚井創基; 村上功樹; 奥田貴史; 須田淳; 木本恒暢; 小杉亮治; 大島武; 梅田 享英
第62回応用物理学会春季学術講演会/2015-03-11--2015-03-14 - Electrically detected magnetic resonance (EDMR) study on interface defects in C-face 4H-SiC metal-oxide-semi-conductor field effect transistors
G. W. Kim; S. J. Ma; R. Arai; 岡本光央; 原田信介; 牧野高紘; 大島武; 梅田 享英
第62回応用物理学会春季学術講演会/2015-03-11--2015-03-14 - 容量検出型電子スピン共鳴分光法による4H-SiC MOSFETの結晶欠陥の測定
鹿児山陽平; 岡本光央; 小杉亮治; 原田信介; 牧野高紘; 大島武; 梅田 享英
第62回応用物理学会春季学術講演会/2015-03-11--2015-03-14 - ESR study on hydrogen passivation of intrinsic defects in p-type and semi-insulating 4H-SiC
K. Murakami; S. Tanai; T. Okuda; J. Suda; T. Kimoto; Umeda Tak...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015)/2015-10-04--2015-10-09 - An interfacial defect complex (the P8/9 centers) in C-face 4H-SiC MOSFET studied by electrically detected magnetic resonance
Umeda Takahide; R. Arai; M. Okamoto; R. Kosugi; S. Harada
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015)/2015-10-04--2015-10-09 - Microscopic difference between dry and wet oxidations of C-face 4H-SiC MOSFFETs studied by electrically detected magnetic resonance
Y. Kagoyama; M. Okamoto; S. Harada; R. Arai; Umeda Takahide
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015)/2015-10-04--2015-10-09 - Electrically detected magnetic resonance study on interface defects responsible for threshold-voltage shift in C-face 4H-SiC MOSFETs
Umeda Takahide; R. Arai; S. J. Ma; G. W. Kim; M. Okamoto; H. Y...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015)/2015-10-04--2015-10-09 - 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察
梅田 享英; 阿部裕太; Y. W. Zhu; 岡本光央; 小杉亮治; 原田信介; 春山盛善; 小野田忍; 大島武
第63回応用物理学春季学術講演会/2016-03-19--2016-03-22 - エピタキシャル基板を使用した4H-SiC MOS窒化界面のESR評価
梅田 享英; 鹿児山陽平; 奥田貴史; 須田淳; 木本暢恒; 小杉亮治; 岡本光央; 原田信介
第63回応用物理学春季学術講演会/2016-03-19--2016-03-22 - C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance
T. Umeda; M. Okamoto; R. Arai; Y. Satoh; R. Kosugi; S. Harada; ...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2013/2013-09-30--2013-10-04
- 電子スピン共鳴分光法から見たSiC-MOS界面欠陥と窒素・リンの関係