UEDONO Akira
- Articles
- Radiative and Nonradiative Processes in Strain-Free AlxGa1-xN Films Studied by Time-Resolved Photoluminescence and Positron Annihilation Techniques
T. Onuma; S. F. Chichibu; A. Uedono; T. Sota; P. Cantu; T...
J. Appl. Phys. 95, 2495-2504 (2004)./95/p.2495-2504, 2004-01 - Reduced Defect Densities in Cubic GaN Epilayers with AlGaN/GaN Superlattice Underlayers Grown on (001) GaAs Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
M. Sugiyama; T. Nosaka; T. Suzuki; T. Koida; K. Nakajima...
Jpn. J. Appl. Phys. 43, 958-965 (2004)./43/p.958-965, 2004-01 - Vacancy-Type Defects in Electroplated Cu Films Probed by Using a Monoenergetic Positron Beam
A. Uedono; T. Suzuki; T. Nakamura
J. Appl. Phys. 95, 913-917 (2004)./95/p.913-917, 2004-01 - Characterizing metal-oxide-semiconductor structures consisting of HfSiOx as gate dielectrics using monoenergetic positron beams
A. Uedono; N. Hattori; A. Ogura; J. Kudo; S. Nishikawa; T...
Jpn. J. Appl. Phys. 43, 1254-1259 (2004)./43/p.1254-1259, 2004-01 - Charge trapping by oxygen-related defects in HfO2-based high-k gate dielectrics
K. Yamabe; M. Goto; K. Higuchi; A. Uedono; K. Shiraishi; ...
IEEE 2005 Int. Reliability Physics Symposium Proceeding, (2005) p. 648-649./p.648-649., 2005-01 - 陽電子を用いた材料中の空孔型欠陥の評価
上殿明良; 大塚崇; 伊東健一; 森和照; 大平俊行; 鈴木良一; 石橋章司
放射線と産業 112, 13-17 (2006)./112/p.13-17, 2006-01 - A study of interaction of Hf and SiO2 film for high-k materials
T-W. Chiu; M. Tanabe; A. Uedono; R. Hasunuma; K. Yamabe
Jpn. J. Appl. Phys., 45 6253-6255 (2006)./45/p.6253-6255, 2006-01 - Reversible Photodissociation of Hexacarbonyl Tungsten in Cross-Linked Polymers
A. Watanabe; T. Watanabe; Y. J. Shan; K. Tezuka; H. Imot...
Bull. Chem. Soc. Jpn., 79 1787-1792 (2006)./79/p.1787-1792, 2006-01 - Positron annihilation studies on the behaviour of vacancies in LaAlO3/SrTiO3 heterostructures
Yuan Guoliang; Li Chen; Yin Jiang; Liu Zhiguo; Wu Di; Ued...
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS/45(44), 2012-11 - 1a-SG-13 陽電子消滅の温度・スペクトル2次元相関測定法の開発とAl合金中の熱平衡欠陥
伊藤 和彦; 鈴木 良一; 上殿 明良; 谷川 庄一郎
年会講演予稿集/37(2)/p.40, 1982-09 - 1a-SG-14 BGO64検出器陽電子消滅角相関装置の製作
松岡 是治; 伊藤 和彦; 寺門 信悟; 岩瀬 吉倫; 上殿 明良; 鈴木 良一; 谷川 庄一郎
年会講演予稿集/37(2)/p.40, 1982-09 - 11p-A-12 低速陽電子装置による表面、界面研究法の開発
岩瀬 義倫; 上殿 明良; 谷川 庄一郎
秋の分科会講演予稿集/1983(2)/p.382, 1983-09 - 2a-KL-9 陽電子消滅法によるInP単結晶の評価
上殿 明良; 岩瀬 義倫; 谷川 庄一郎; 荒木 暉; 鈴木 敬愛
年会講演予稿集/39(2)/p.56, 1984-03 - 2a-RJ-8 低速陽電子による表面損傷の研究
岩瀬 義倫; 上殿 明良; 谷川 庄一郎; 坂入 英雄
年会講演予稿集/39(2)/p.335, 1984-03 - 3a-C-12 陽電子寿命-運動量相関測定による非晶質合金中の空孔型欠陥の研究
小田 克郎; 七尾 進; 上殿 明良; 鈴木 良一; 谷川 庄一郎; 吉田 博行
秋の分科会講演予稿集/1984(2)/p.72, 1984-09 - 3a-C-13 非晶質金属における陽電子捕獲効果の温度依存性
上殿 明良; 岩瀬 義倫; 谷川 庄一郎
秋の分科会講演予稿集/1984(2)/p.72, 1984-09 - 5p-E-4 低速陽電子法によるSiO_2/Si界面の照射効果
岩瀬 義倫; 上殿 明良; 谷川 庄一郎
秋の分科会講演予稿集/1984(2)/p.422, 1984-09 - 1p-M-4 低速陽電子法によるInPの表面欠陥の検出
上殿 明良; 藤井 知; 谷川 庄一郎
秋の分科会講演予稿集/1985(2)/p.54, 1985-09 - 1p-M-5 低速陽電子法によるNiに注入したHeの深さ分布測定
上殿 明良; 藤井 知; 谷川 庄一郎; 坂入 英雄
秋の分科会講演予稿集/1985(2)/p.54, 1985-09 - 1p-M-6 Al希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験における高温域での異常
上殿 明良; 藤井 知; 谷川 庄一郎
秋の分科会講演予稿集/1985(2)/p.55, 1985-09 - 1p-M-7 Pb希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験
上殿 明良; 藤井 知; 谷川 庄一郎
秋の分科会講演予稿集/1985(2)/p.55, 1985-09 - 30p-RC-6 低速陽電子による金属中の注入Heの集合、再放出過程の測定
上殿 明良; 円満堂 勉; 谷川 庄一郎; 坂入 英雄
秋の分科会講演予稿集/1986(2)/p.92, 1986-09 - 27A-Z-8 単色低速陽電子線を用いた金属中のHeイオン注入プロファイルの測定
上殿 明良; 谷川 庄一郎; 坂入 英雄
秋の分科会講演予稿集/1987(4)/p.4, 1987-09 - 27a-Z-9 単色低速陽電子線を用いたSiのBイオン注入に伴う欠陥分布の測定
上殿 明良; 谷川 庄一郎
秋の分科会講演予稿集/1987(4)/p.4, 1987-09 - 単一エネルギ-低速陽電子を用いた表面解析装置
上殿 明良; 谷川 庄一郎
Radioisotopes/37(4)/pp.p217-220, 1988-04 - more...
- Radiative and Nonradiative Processes in Strain-Free AlxGa1-xN Films Studied by Time-Resolved Photoluminescence and Positron Annihilation Techniques