UEDONO Akira
- Articles
- 6a-A3-3 深さの関数としての陽電子消滅測定(I) : 半導体のイオン注入欠陥
上殿 明良; 松近 敬行; 谷川 庄一郎
秋の分科会講演予稿集/1988(2)/p.57, 1988-09 - 6a-A3-4 深さの関数としての陽電子消滅測定(II) : 金属中の注入希ガス原子
上殿 明良; 松近 敬行; 谷川 庄一郎; 坂入 英雄
秋の分科会講演予稿集/1988(2)/p.57, 1988-09 - 3a-C4-6 MOS積層構造中の荷電粒子(陽電子)の挙動と界面欠陥
上殿 明良; 松近 敬行; 谷川 庄一郎
秋の分科会講演予稿集/1988(2)/p.352, 1988-09 - 単色陽電子線による半導体の表面・界面近傍の欠陥評価
上殿 明良; 谷川 庄一郎
応用物理/58(6)/pp.p918-923, 1989-06 - Slow Position Used as a Probe for the Detection of Defects under Surfaces and Interfaces
上殿 明良; 谷川 庄一郎
Journal of the Surface Finishing Society of Japan/41(4)/pp.355-360, 1990-01 - 24p-T-3 Defects in Thin Films Probed with a Monoenergetic Positron Bean
上殿 明良; 谷川 庄一郎
春の分科会講演予稿集/1991(2)/pp.35-36, 1991-03 - 27a-ZN-3 Oxgen-Vacancy Complexes in Electron Irradiated Cz-Si Studied by Positron Annihilation
上殿 明良; 氏平 祐輔; 碇 敦; 芳賀 博世; 依田 修
年会講演予稿集/47(2)/p.22, 1992-03 - ポジトロン消滅と材料の解析
上殿 明良; 谷川 庄一郎
表面/30(7)/pp.p588-597, 1992-07 - Positron beams. 1. Generation of a slow positron beam
谷川 庄一郎; 上殿 明良; 鈴木 良一
Radioisotopes/41(10)/pp.536-542, 1992-10 - Design of Measurement System for Doppler Broadening Profiles of Annihilation Radiations as a Function of Controlled Specimen Temperature and Its Applications for a Study of Metals in the Thermal Equiliburium State.
上殿 明良; 河野 孝央; 谷川 庄一郎
Radioisotopes/41(11)/pp.570-573, 1992-11 - Detection of Defects in Electron-irradiated Synthetic Silica Quartz Probed by Positron Annihilation.
綿打 敏司; 上殿 明良; 依田 修; 氏平 祐輔
Journal of the Chemical Society of Japan,chemistry and industrial chemistry. Nippon Kagaku Kaishi/1994(6)/pp.505-511, 1994-06 - Characterization of SiO_2 films by slow postrons
上殿 明良; 谷川 庄一郎
應用物理/64(1)/pp.43-46, 1995-01 - Characterization of Polymers by Positron Annihilation
上殿 明良; 谷川 庄一郎
Kobunshi/44(3)/pp.136-140, 1995-03 - 陽電子消滅による高分子材料評価
上殿 明良
Sumitomo electric technical review/(147)/pp.p168-173, 1995-09 - Positron Annihilation at the Surface and Characterization of Materials by Monoenergetic Positron Beam
上殿 明良; 谷川 庄一郎
まてりあ : 日本金属学会会報/35(2)/pp.140-146, 1996-02 - Glass Transition and Relaxation Processes of Polymers Studied by Positron Annihilation
上殿 明良; 谷川 庄一郎
高分子論文集/53(10)/pp.563-574, 1996-10 - Design for Measurement System of Doppler Broadening Profiles with the Coincidence Technique Using a Nal Detector in Colinear Geometry with the Ge Detector
森 和照; 上殿 明良; 谷川 庄一郎; 中居 克彦
Radioisotopes/47(8)/pp.623-627, 1998-08 - イオン注入及び注入後熱処理した3C-SiC中の残留欠陥の研究 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
大島 武; 伊藤 久義; 上殿 明良
Bulletin of the Electrotechnical Laboratory/62(10)/pp.469-478, 1998-11 - Reactions between Positronium and Molecules Studied by an Age-Momentum Correlation Measurement
上殿 明良; 鈴木 良一; 谷川 庄一郎
Radioisotopes/41(12)/pp.611-617, 1999-12 - Observation of void-defects generation at SiC/Si interface by positron annihilation technique
渡辺 匡人; 市橋 鋭也; 上殿 明良; 谷川 庄一郎
Journal of the Japanese Association of Crystal Growth/27(1)/p.46, 2000-07 - Analysing charge state of defects in electron-irradiated natural diamond probed by positron annihilation
生形 友宏; 上殿 明良; 森下 憲雄; 伊藤 久義; 藤井 知; 鹿田 真一; 谷川 庄一郎
Meeting abstracts of the Physical Society of Japan/55(2)/p.837, 2000-09 - Oxygen-Related Defects Introduced by As^+-Implantation through Cap Layers in Si Probed by Monoenergetic Positron Beams
村松 誠; 上殿 明良; 生形 友宏; 谷野 浩敏; 中野 明彦; 山本 秀和; 鈴木 良一; 大平 俊行; 谷川...
Meeting abstracts of the Physical Society of Japan/55(2)/p.858, 2000-09 - 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
上殿 明良; 谷川 庄一郎; 大島 武
KURRI-KR/(63)/pp.113-118, 2000-11 - A study of vacancy-type defects introduced by the carbonization of Si by monoenergetic positron beams
上殿 明良; 村松 誠; 生形 友宏; 渡辺 匡人; 市橋 鋭也; 鈴木 良一; 大平 俊行; 三角 智久; 高須...
Meeting abstracts of the Physical Society of Japan/56(1)/p.845, 2001-03 - 陽電子消滅によるSrTiO3およびBaTiO3の酸素欠陥の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
上殿 明良; 下山 和男; 清原 正寛
KURRI-KR/(89)/pp.155-160, 2002-11 - more...
- 6a-A3-3 深さの関数としての陽電子消滅測定(I) : 半導体のイオン注入欠陥