佐々木 正洋(ササキ マサヒロ)
- 論文
- 超音速H_2分子線による曲率を有する炭素系低分子と水素との反応計測
生津 達也; 國原 淳; 庄司 陸人; 山田 洋一; 佐々木 正洋
表面科学学術講演会要旨集/35(0)/p.375, 2015 - 分子レベル構造制御によるAu(111)上DNTT単分子膜の電子状態の変調
長谷川 友里; 細貝 拓也; 若山 裕; K.R. Koswattage; 山田 洋一; 佐々木 正洋
表面科学学術講演会要旨集/35(0)/p.90, 2015 - 室温Pd(110)の水素吸蔵過程におけるHe原子線散乱計測
生津 達也; 庄司 陸人; 前田 拓郎; 冨永 正人; 宮城 良世; 山田 洋一; 佐々木 正洋
表面科学学術講演会要旨集/36(0)/p.291, 2016 - エミッタ先端に吸着したC60分子からの電界電子放出
安達 学; 西山 裕二; 麻薙 健; 明神 拓真; 山田 洋一; 佐々木 正洋
表面科学学術講演会要旨集/36(0)/p.288, 2016 - Si(111)-(√7×√3)-In表面へのアクセプター分子およびドナー原子の吸着による電子状態、電気伝導変調
角 直也; 長谷川 友里; 山田 洋一; 佐々木 正洋; 吉澤 俊介; 内橋 隆
表面科学学術講演会要旨集/36(0)/p.350, 2016 - 六方晶窒化ホウ素上のCoナノ粒子の垂直磁気異方性
渡邉 貴弘; 山田 洋一; 佐々木 正洋; 小出 明広; 圓谷 志郎; 境 誠司
表面科学学術講演会要旨集/36(0)/p.397, 2016 - 尖鋭構造を持たない炭素膜からの電界放出
堀江 翔太; 麻薙 健; 明神 拓真; 樋口 敏春; 山田 洋一; 佐々木 正洋
Journal of the Vacuum Society of Japan/60(1)/pp.13-17, 2017 - カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討(第3報)(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
樋口 敏春; 佐々木 正洋; 堀江 翔太; 山田 洋一; 松本 修二; 福田 茂樹
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス/114(262)/pp.1-6, 2014-10 - On the mechanism of improvement of field emission properties of carbon-coated field emitters
Higuchi Toshiharu; Sasaki Masahiro; Horie Shota; Yamad...
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B/33(3), 2015-05 - One-Dimensional Nanotemplate Structure of a Si(110) Substrate
Yokoyama Yuta; Asaoka Hidehito; Sinsarp Asawin; Sasaki...
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology/10(0)/pp.509-512, 2012 - On the Mechanism of Improvement of Field Emission Properties of Carbon Coated Field Emitters
Higuchi Toshiharu; Sasaki Masahiro; Hone Shota; Yamada...
2014 27TH INTERNATIONAL VACUUM NANOELECTRONICS CONFERENCE (IVNC), 2014 - In situ synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study of the oxidation of the Ge(100)-2 x 1 surface by supersonic molecular oxygen beams
Yoshigoe Akitaka; Teraoka Yuden; Okada Ryuta; Yamada ...
JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS/141(17), 2014-11 - カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討(第1報)
樋口 敏春; 佐々木 正洋; 遠藤 俊宏; 堀江 翔太; 山田 洋一; 松本 修二; 福田 茂樹
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス/112(303)/pp.1-6, 2012-11 - The determination of the thickness of the silicon oxide by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy (SR-XPS) analysis
Sasaki Masahiro
Measurement Science and Technology/22/p.024007, 2010-12 - Microscopic study of the work function reduction induced by Cs-adsorption（共著）
Sinsarp; Y. Yamada; M. Sasaki; S. Yamamoto
Jpn. j. Appl. Phys/pp.42(7)4882-4886, 2003-01 - UV absorption spectra of adlayers of trimethylgallium and arsine (共著)
佐々木 正洋
Japanese Journal of Applied Physics/28/p.L131, 1989-01 - UV absorption spectra of adllayers of MOCVD source gases (共著)
佐々木 正洋
Applied Surface Science/41,42/p.42/,342, 1989-01 - GaAs atomic layer epitaxy using KrF excimer laser (共著)
佐々木 正洋
Japanese Journal of Applied Physics/28/p.L1439, 1989-01 - KrF eximer laser irradiation effect of GaAs atomic layer epitaxy (共著)
Hironori Ishikawa; Yoshito Kawakyu; Masahiro Sasaki; and ...
Japanese Journal of Applied Physics/28/p.L2327-L2329, 1989-01 - Thermal decomposition of trimethylgallium on variously reconstructed GaAs (111) B surfaces (共著)
佐々木 正洋
Applied Physics Letters/59/p.2538, 1991-01 - Large difference in the decomposition rate of metalorganics between on As-and Ga-saturated GaAs (111) B surfaces (共著)
佐々木 正洋
Journal of Crystal Growth/115/p.226, 1991-01 - In-situ selective area epitaxy of a GaAs-based heterostructure using a GaAs oxide layer as a mask (共著)
佐々木 正洋
Journal of Crystal Growth/115/p.74, 1991-01 - Trimethylgallium reaction on As-stabilized and Ga-stabilized GaAs (100) surfaces (共著)
佐々木 正洋
Japanese Journal of Applied Physics/31/p.L1313, 1992-01 - Trimethylgallium reaction on variously prepared GaAs (100) surfaces studied by mass spectrometry (共著)
佐々木 正洋
Applied Surface Science/60161/p.240, 1992-01 - Stoichiometry- and bond-structure-dependent decomposition of trimethylgallium on As-rich GaAs (100) surface (共著)
佐々木 正洋
Journal of Vacuum Science and Technology/B10/p.1720, 1992-01 - さらに表示...
- 超音速H_2分子線による曲率を有する炭素系低分子と水素との反応計測