| ナノスケール素子における高濃度電子輸送の３次元粒子シミュレーションによる研究 | 2006 -- 2008 | 佐野伸行 | 日本学術振興会/基盤研究(B) | 15,610,000円 |
| 微視的揺らぎと少数電子系の輸送機構 | 2006 -- 2009 | 佐野伸行 | 日本学術振興会/特定領域研究 | 46,600,000円 |
| 高エネルギー粒子による半導体誤動作のシミュレーション解析 | 2005 -- 2005 | 佐野伸行 | NTスペース/企業からの受託研究 | |
| デカナノスケールのデバイスにおける電子不純物相互作用の理論的研究 | 2003 -- 2006 | 佐野伸行 | 東芝/企業からの受託研究 | |
| 極微細半導体素子のしきい値電圧ばらつき解析のための離散不純物モデルの構築 | 2002 -- 2003 | 佐野伸行 | 日本学術振興会/基盤研究(C) | 3,200,000円 |
| SiC におけるインパクトイオン化過程の研究 | 2002 -- 2003 | 佐野伸行 | 産業技術総合研究所/その他 | |
| SiCにおけるインパクトイオン化過程の研究 | 2002 -- 2003 | 佐野伸行 | /受託研究 | |
| ３Dシミュレーションのための離散不純物モデルと分子動力学法の研究 | 2001 -- 2002 | 佐野伸行 | 株式会社 半導体理工学研究センター/企業からの受託研究 | |
| 極微細半導体素子での基板電流ゆらぎに伴う素子寿命不確定性抑制の研究 | 1998 -- 2000 | 佐野伸行 | 日本学術振興会/基盤研究(B) | 5,600,000円 |
| 半導体における量子輸送の理論的研究 | 1998 -- 2000 | 佐野伸行 | モデナ大学/国際共同研究 | |
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