佐野 伸行(サノ ノブユキ)

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論文

• 運動論的観点からの準弾道電子輸送の理論的考察(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
  佐野 伸行
  電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術/104(322)/pp.45-50, 2004-09
  
  CiNii
• Impact ionization coefficients of 4H silicon carbide
  Hatakeyama T; Watanabe T; Shinohe T; Kojima K; Arai K; Sa...
  APPLIED PHYSICS LETTERS/85(8)/pp.1380-1382, 2004-08
• Kinetic Study of Velocity Distributions in Nanoscale Semiconductor Devices under Room-Temperature Operation
  Nobuyuki Sano
  Appl. Phys. Lett./85/p.4208-4210, 2004-01
• Impact Ionization Coefficients in Silicon Carbite
  T. Hatakeyama; T. Watanabe; K. Kojima; N. Sano; K. S...
  Materials Science Forum/457-460/p.673, 2004-01
• Stable Simulation of Impurity Fluctuation for Contact Resistance and Schottky Diodes
  Kazuya Matsuzawa; Nobuyuki Sano
  Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD-2004)/p.231-234, 2004-01
• Impact Ionization Coefficients in Silicon Carbite
  T. Hatakeyama; T. Watanabe; T. Shinohe; K. Kojima; K. Ar...
  Appl. Phys. Lett./85/p.1380-1382, 2004-01
• Statistical Study of Subthreshold Characteristics in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
  Yoshiyuki Kitahara; Shigeyuki Takagi; Nobuyuki Sano
  J. Appl. Phys./94/p.7789-7795, 2003-01
• (INVITED) Electron Kinetic Transport under Localized Impurities: How Could Localized Impurities be Incorporated in Simulations?
  Nobuyuki Sano
  The Proceedings of The 9-th IMACS Seminar on Monte Carlo Methods MCM-2003/p.5-6, 2003-01
• A New Grain Boundary Model for Drift-Diffusion Device Simulations in Polycrystalline Silicon Thin-Film TransistorsC
  Yoshiyuki Kitahara; Shuichi Toriyama; and Nobuyuki Sano; ...
  Jpn. J. Appl. Phys./42/p.L634-L636, 2003-01
• Probability Distribution Functions of Threshold Voltage Fluctuations due to Random Impurities in Deca–nano MOSFETs
  Shuichi Toriyama; Nobuyuki Sano
  Physica E/19/p.44-47, 2003-01
• Probability Distribution Functions of Threshold Voltage Fluctuations due to Random Impurities in Deca-nano MOSFETs？
  Shuichi Toriyama; Nobuyuki Sano
  The 4-th International Symposium on Nanostructures and Mesoscopic Structures (nanoMES-2003)/p.FP-2, 2003-01
• 統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
  北原 義之; 高木 茂行; 鳥山 周一; 佐野 伸行
  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス/102(346)/pp.25-30, 2002-09
  
  CiNii
• 統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
  北原 義之; 高木 茂行; 鳥山 周一; 佐野 伸行
  電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術/102(344)/pp.25-30, 2002-09
  
  CiNii
• デバイス・シミュレーションとその物理
  佐野 伸行
  應用物理/71(7)/pp.906-910, 2002-07
  
  CiNii
• デバイスシミュレーションとその物理
  佐野伸行
  応用物理学会誌/7月号/p.906-910, 2002-07
• Probability Distribution of Threshold Voltage Fluctuations in Metal-OXide-Semiconductor Field-Effect-Transistors : Semiconductors
  SANO Nobuyuki; MATSUZAWA Kazuya; HIROKI Akira; NAKAYAMA ...
  Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters/41(5)/pp.L552-L554, 2002-05
  
  CiNii
• Significance of the Long-range Part of the Potential on the Mobility in Impure Semiconductorsb
  Takashi Kurusu; Nobuyuki Sano
  Physica B/314/p.198-202, 2002-01
• (INVITED) Device Modeling and Simulations toward Sub-10 nm Semiconductor Devices
  Nobuyuki Sano; Akira Hiroki; and Kazuya Matsuzawa
  IEEE Transactions on Nanotechnology/1/p.63-71, 2002-01
• モデリングの立場からみた微細化限界：物理的観点からの私見
  佐野伸行
  BREAKTHROUGH/185/p.4-7, 2002-01
• On Discrete Random Dopant Modeling in Drift-Diffusion Simulations:Physical Meaning of Atomistic Dopants
  Nobuyuki Sano Kazuya Matsuzawa Mikio Mukai and Noriak...
  Microelectronics Reliability/42/p.189-199, 2002-01
• 不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響
  来栖 貴史; 佐野 伸行; 松沢 一也; 広木 彰; 中山 範明
  電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術/101(319)/pp.61-66, 2001-09
  
  CiNii
• 不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響
  来栖 貴史; 佐野 伸行; 松沢 一也; 広木 彰; 中山 範明
  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス/101(321)/pp.61-66, 2001-09
  
  CiNii
• Minimum Value of the Specific Contact Resistance of Si-Metal Contacts
  Kenji Natori; Tomo Shimizu; and Nobuyuki Sano; +佐野 伸行
  Proceedings of the Int. Conf. on Solid State Devices and Materials/p.388-389, 2001-01
• Mobility Degradation by Long-range Potential Fluctuations in Impure Bulk Semiconductors
  Takashi Kurusu; Nobuyuki Sano
  Proceedings of the International Conference on Nonequilibrium Carrier Transport/p.1_25, 2001-01
• Quantitative Prediction of Threshold Voltage Fluctuations in Sub-100nm MOSFETs by a New Dopant Model
  Hiroyuki Yamamoto; Yoshimitsu Okada; and Nobuyuki Sano; +...
  Proceedings of Device Research Conference(DRC-2001)/p.171-172, 2001-01
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