| マイクロチャネルエピタキシーによる赤外線受光用大粒径鉄シリサイド膜 | 2009 -- 2011 | 末益 崇 | 日本学術振興会/基盤研究(B) | 16,510,000円 |
| シリサイド半導体の禁制帯幅拡大と伝導型制御による高効率太陽電池 | 2006 -- 2008 | 末益 崇 | 日本学術振興会/基盤研究(B) | 13,980,000円 |
| アルカリ土類金属を用いたシリコンベース狭ギャップ半導体 | 2006 -- 2007 | 末益 崇 | 日本学術振興会/萌芽研究 | 2,700,000円 |
| アルカリ土類金属を用いた新しいシリコン系半導体の探探 | 2004 -- (現在) | 末益 崇 | 日本学術振興会/萌芽的研究 | 3,400,000円 |
| 半導体鉄シリサイドを用いた室温動作赤外発光ダイオードの作製 | 2002 -- (現在) | 末益 崇 | 日本学術振興会/基盤研究(B) | 5,100,000円 |
| 半導体鉄シリサイドを用いた光配線用赤外発光ダイオードの研究開発 | 2002 -- (現在) | 末益 崇 | 日本学術振興会/若手研究(B) | 2,100,000円 |
| 直接遷移型半導体β-FeSi_2を用いたSi上発光ダイオードの研究開発 | 2000 -- (現在) | 末益 崇 | 日本学術振興会/奨励研究(A) | 2,000,000円 |
| シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究 | 1999 -- (現在) | 末益 崇 | 日本学術振興会/特定領域研究(A) | 2,100,000円 |
| 直接遷移型半導体β－FeSizを用いたシリコン系発光素子の研究開発 | 1998 -- (現在) | 末益 崇 | 日本学術振興会/奨励研究(A) | 2,000,000円 |
| シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究 | 1998 -- (現在) | 末益 崇 | 日本学術振興会/特定領域研究(A) | 1,800,000円 |
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