末益 崇(スエマス タカシ)
- 論文
- 原子層ボロン吸着Si(001)基板上へのSi MBE成長とその電気的特性
末益 崇
Jpn. J. Appl. Phys./36/p.7146-7151, 1997-01 - ハライド気相成長法におけるGaAs(001)基板上の立方晶GaNの基板洗浄と成長条件依存(共著)
末益 崇
J. Cryst. Growth/468/p.63-67, 1997-01 - ハイドライド成長法によるGaAs(001)基板上への立方晶GaNの成長
末益 崇
Jpn. J. Appl. Phys./36(1A/B)/p.L1-L3, 1997-01 - Si(001)基板上へのRDE法によるβ-FeSi2層のエピタキシャル成長
末益 崇
Jpn. J. Appl. Phys./117/p.303-307, 1997-01 - 単結晶β-FeSi2膜のアニール及びSi上層成長による凝集
末益 崇
Jpn. J. Appl. Phys./36/p.L1225-L1228, 1997-01 - X線測定による六方晶/立方晶GaN混合比の推定とHVPE GaN/GaAsの評価
末益 崇
電子情報通信学会 信学技報/p.43-48, 1997-01 - Quantum-Effect Electron Devices Using Metol(CoSi2)/Insulator(CaF2)/Si Heterostructares(共著)
末益 崇
Technical Report of IEICE ED96-2, 1996-01 - 金属(Cosi2)/絶縁体(CaF2)量子干渉トランジスタにおけるホットエレクトロンの輸送効率
末益 崇
Jpn. J. Appl. Phys./361/p.209-212, 1996-01 - 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)/Siヘテロ接合量子効果デバイス
末益 崇
電子情報通信学会 電子デバイス研究会 信学技報, 1996-01 - 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)量子干渉トランジスタにおける室温での負性微分抵抗の観測
末益 崇
Electronics Letters/227/p.213-215, 1996-01 - Metal (CoSi_2)/Insulator (CaF_2) Hot Electron Transistor Fabricated by Electron-Beam Lithography on a Si Substrate
SAITOH Wataru; SUEMASU Takashi; KOHNO Yoshifumi; WATANABE...
Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters/34(10)/pp.L1254-L1256, 1995-10 - Multiple Negative Differential Resistance due to Quantum Interference of Hot Electron Waves in Metal (CoSi_2)/Insulator (CaF_2) Heterostructures and Influence of Parasitic Circuit Elements
SAITOH Wataru; SUEMASU Takashi; KOHNO Yoshifumi; WATANABE...
Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes/34(8)/pp.4481-4484, 1995-08 - Epitaxial Growth of a metal (CoSi2)/insulator (CaF2) nanometer-thick heterostructure and its application to quantum-effect devices
末益 崇
Journal of Vacuum Science and Technology/A13(3)/p.623-628, 1995-01 - 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)ホットエレクトロントランジスタの電子ビーム描画によるSi基板上への作製
末益 崇
Jpn. J. Appl. Phys./34(10A)/p.L1254-L1256, 1995-01 - 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)ヘテロ構造におけるホットエレクトロン量子干渉による多重負性微分抵抗と、寄生素子の影響
末益 崇
IEEE Trans. Electron Devices/34/p.4481-4482, 1995-01 - Theoretical and Measured Characteristics of Metal (CoSi2)/Insulator (CaF2) Resonant Tunneling Transistors and the Influence of Parasitic Elements
末益 崇
IEEE Transactions on Electron Devices/42(12)/p.2203-2210, 1995-01 - Quantum Interference of Electron Wave in Metal (CoSi_2)/Insulator (CaF_2) Resonant Tunneling Hot Electron Transistor Structure
SUEMASU Takashi; KOHNO Yoshifumi; SAITOH Wataru; SUZUKI ...
Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters/33(12)/pp.L1762-L1765, 1994-12 - Different Characteristics of Metal (CoSi_2)/Insulator (CaF_2) Resonant Tunneling Transistors Depending on Base Quantum-Well Layer (Special Issue on Heterostructure Devices and Epitaxial Growth Techniques)
Suemasu Takashi; Kohno Yoshifumi; Suzuki Nobuhiro; Watana...
IEICE transactions on electronics/77(9)/pp.1450-1454, 1994-09 - Different Characteristics of Metal (CoSi2)/Insulator (CaF2) Resonant Tunneling Transistors Depending on Base Quantum-Well Layer
末益 崇
IEICE Transactions on Electronics/E77-C(9)/p.1450-1454, 1994-01 - 金属/絶縁体ヘテロ接合電子デバイス
末益 崇
応用物理/63(2)/p.124-131, 1994-01 - Metal(CoSi_2)/Insulator(CaF_2) Resonant Tunneling Diode
SUEMASU Takashi; WATANABE Masahiro; SUZUKI Jun; KOHNO Yo...
Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes/33(1)/pp.57-65, 1994-01 - Quantam Interference of Electron Wave in Metal (CoSi2)/Insulator (CaF2) Resonant Tunneling Hot Electron Transistor Structure
末益 崇
Japanese Journal of Applied Physics/33(12B)/p.L1762-L1765, 1994-01 - 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)3重障壁共鳴トンネルダイオードにおける負性微分低抗
末益 崇
Jpn. J. Appl. Phys./62/p.300-302, 1993-01 - Metal (CoSi2)/Insulator (CaF2) Resonant Tunneling Transistor
末益 崇
IEEE International Electron Devices Meeting Tednical Digest/p.553-556, 1993-01 - Epitaxial Growth and Electrical Conductarce of Metal (CoSi2)/Insulator (CaF2) Nanometer-Thick Layered Structures on Si (111)
末益 崇
Journal of Electronic Materials/21(8)/p.783-789, 1992-01 - さらに表示...
- 原子層ボロン吸着Si(001)基板上へのSi MBE成長とその電気的特性